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于明晓

作品数:3 被引量:0H指数:0
供职机构:四川压电与声光技术研究所更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 2篇电晶体
  • 2篇压电晶体
  • 2篇铁电
  • 2篇铁电体
  • 2篇坩埚下降法
  • 2篇坩埚下降法生...
  • 2篇下降法
  • 2篇晶体
  • 1篇单晶
  • 1篇引上法
  • 1篇引上法晶体生...
  • 1篇铌酸锂
  • 1篇铌酸锂晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇BGO
  • 1篇LI
  • 1篇布里奇曼法

机构

  • 3篇四川压电与声...

作者

  • 3篇于明晓
  • 1篇徐洲
  • 1篇韩尧
  • 1篇王德龙
  • 1篇胡少勤

传媒

  • 3篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2000
  • 2篇1997
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
坩埚下降法生长Li_2B_4O_7单晶
1997年
坩埚下降法生长Li2B4O7单晶王德龙徐洲于明晓(四川压电与声光技术研究所,重庆630060)GrowthofLi2B4O7SingleCrystalsbyBridgmanMethodWangDelongXuZhouYuMingxiao(Sichua...
王德龙徐洲于明晓
关键词:压电晶体坩埚下降法铁电体
Y64°铌酸锂单晶的生长
1997年
Y64°铌酸锂单晶的生长于明晓(四川压电与声光技术研究所,重庆630060)GrowthofY64°LiNbO3SingleCrystalYuMingxiao(SichuanInstituteofPiezoelectricandAcoustoopti...
于明晓
关键词:压电晶体铌酸锂晶体引上法晶体生长铁电体
坩埚下降法生长BGO晶体过程中微凸界面的控制
2000年
微凸界面生长晶体有利于避免坩埚引起的寄生成核及其它缺陷 ,从而生长出优质晶体 ,是闪烁晶体BGO较理想的生长界面。本文通过独特的温场设计制作辅以合理的生长工艺参数 ,成功地进行了闪烁晶体BGO的微凸界面生长。在生长过程中随意停止生长 ,以观察生长各阶段的界面形状。使用的下降炉为垂直两温区结构 ,采用铁铬铝丝加热 ,温区之间以陶瓷板隔热。通过在炉管外自上而下将保温材料逐渐增厚的“梯次填充法”保温 ,配合密封炉管减小热对流 ,以及在陶瓷坩埚托中心插入导热金属棒且与水冷散热器相连接 ,改善了生长界面的纵向和径向热环境。具体参数如下 :晶体尺寸5 0mm× 80mm ;生长方向 [1 1 0 ],[0 0 1 ],[1 1 1 ];下降速率 0 .3~0 .5mm/h ,界面纵向温度梯度 2 5~ 32℃ /cm。在以上条件下进行的闪烁晶体BGO生长过程中 ,界面自始至终保持了理想的微凸状 ,炉内温度波动极小 ,晶体生长界面位置移动小 ,生长出的晶体无色 ,透明度高。用QJH 3型He Ne激光光源照射无缺陷。使用X射线定向仪检测结果表明方向偏差小 ,无寄生成核等缺陷。
韩尧胡少勤于明晓
关键词:布里奇曼法
共1页<1>
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