韩尧
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：四川压电与声光技术研究所更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- Bi_(12)GeO_(20)单晶色带的成因与消除
- 2000年
- 锗酸铋 (Bi12 GeO2 0 ,BGO)单晶具有良好的压电、光电和光导特性。特别是利用其优良的压电性能制作的声表面波器件 ,如脉压延迟线等已广泛地应用于通讯雷达及电子对抗等国防领域。由于BGO单晶声表面波声速较低 ,是制作中长延迟时间声表面波延迟线的理想基片材料 ,大大缩小了器件如反向栅阵列抽头延迟线 (RAC器件 )的体积 ,该器件已成功地用于机载雷达的脉冲扩展和压缩子系统中。但是 ,V .S .Dolat等在制作RAC器件时发现晶片内的色带使以此为衬底的器件出现严重的响应下降和过量插损。用静电探针测量表明 ,色带区域表面波速较正常区域的慢 ,且材料的非均匀性引起了表面波传播的严重失真。相反 ,在无色带基片上制作的RAC器件则获得了接近理论值的响应。BGO单晶色带的存在严重制约了声表面波器件的性能发挥。采用提拉法生长BGO晶体 ,分析了BGO晶体中色带的分布。色带横向分布基本上是中心对称结构 :纵向呈带状分布 ,总的表现为上疏下密。采用PHILIPSPW2 40 0X射线光谱分析仪分析了熔体挥发物的组成。两种的质量分数分别为GeO2 4.77% ,Bi2 O3 95 .2 3% ,换算成摩尔比则为 :GeO2 :Bi2 O3 =( 4.77/1 0 4.5 9) /( 95 .2 3/4 6 6 ) =1 .2 7∶6 (mol比 )而化学配比的两组分摩尔比为 1∶6。可知挥发物中GeO2 的量?
- 韩尧史榜春胡少勤张凤鸣盛敏华
- 关键词：锗酸铋晶体引上法晶体生长
- 多管下降炉生长Bi_4Ge_3O_(12)单晶的温场与界面
- 2000年
- 采用 2种不同的炉膛结构设计。温场试验表明温场条件同炉膛结构密切相关。克服了各管的温场差异 ,获得良好的界面热环境。经过多次晶体生长试验 ,得到了理想的微凸界面 ,生长出高质量的 Bi4Ge3 O1 2 单晶。
- 韩尧胡少勤史榜春
- 关键词：温场单晶晶体生长
- 坩埚下降法生长BGO晶体过程中微凸界面的控制
- 2000年
- 微凸界面生长晶体有利于避免坩埚引起的寄生成核及其它缺陷 ,从而生长出优质晶体 ,是闪烁晶体BGO较理想的生长界面。本文通过独特的温场设计制作辅以合理的生长工艺参数 ,成功地进行了闪烁晶体BGO的微凸界面生长。在生长过程中随意停止生长 ,以观察生长各阶段的界面形状。使用的下降炉为垂直两温区结构 ,采用铁铬铝丝加热 ,温区之间以陶瓷板隔热。通过在炉管外自上而下将保温材料逐渐增厚的“梯次填充法”保温 ,配合密封炉管减小热对流 ,以及在陶瓷坩埚托中心插入导热金属棒且与水冷散热器相连接 ,改善了生长界面的纵向和径向热环境。具体参数如下 :晶体尺寸5 0mm× 80mm ;生长方向 [1 1 0 ],[0 0 1 ],[1 1 1 ];下降速率 0 .3～0 .5mm/h ,界面纵向温度梯度 2 5～ 32℃ /cm。在以上条件下进行的闪烁晶体BGO生长过程中 ,界面自始至终保持了理想的微凸状 ,炉内温度波动极小 ,晶体生长界面位置移动小 ,生长出的晶体无色 ,透明度高。用QJH 3型He Ne激光光源照射无缺陷。使用X射线定向仪检测结果表明方向偏差小 ,无寄生成核等缺陷。
- 韩尧胡少勤于明晓
- 关键词：布里奇曼法
