黄森
- 作品数：11 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：高等学校科技创新工程重大项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程更多>>
- SiNx钝化对Al×Ga1-xN/GaN异质结构中二维电子气高温输运性质的影响
- AlGaN/GaN 异质结构是发展高温、高频、高功率电子器件的优选材料,研究 AlGaN/GaN 异质结构中二维电子气(2DEG)的高温输运性质对于理解 AlGaN/GaN 异质结构的物理特性以及器件研制具有重要意义。
- 王茂俊沈波黄森许福军王彦许谏杨志坚秦志新张国义
- 关键词：二维电子气钝化
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- Al0.245Ga0.755N/GaN异质结和Ni/Au肖特基接触间插入薄铝层的肖特基结的漏电机制
- 目前GaN基HEMT器件中肖特基的反向漏电仍然是制约GaN基HEMT器件发展的一个瓶颈。本文在Ni/Au栅和Al0.245Ga0.755N/GaN异质结间插入了3nm的薄铝层，并对这种新型肖特基结和传统Ni/Au肖特基结...
- 刘芳王涛黄森许福军林芳马楠沈波
- 关键词：异质结伏安特性肖特基结
- 文献传递
- GaN和AlxGa1-xN/CaN异质结的高温性质
- 2007年
- 通过高温Hall测量研究了GaN和AlxGa1-xN/GaN异质结从室温到500℃高温下的输运性质.实验发现GaN背景载流子浓度随着温度的升高而升高,载流子浓度变化的幅度和GaN的位错密度存在正比关系,持续光电导的跃迁幅度和GaN的位错密度也存在正比关系,说明位错相关的深施主或者陷阱对GaN在高温下的背景浓度有很大影响.实验发现AlxGa1-xN/GaN异质结中二维电子气的浓度在室温到250℃的范围内随着温度的升高而下降,然后随着温度的升高开始增加.前者主要是由于随着温度的升高,AlxGa1-xN/GaN异质结的导带不连续减小引起的,后者主要是由GaN层背景载流子浓度增加导致的.通过求解自洽的薛定谔和泊松方程得到的二维电子气浓度的温度关系和实验结果一致.
- 王茂俊沈波王彦黄森许福军许谏杨志坚张国义
- 关键词：GAN位错HALL
- GaN和AlxGa1-xN/GaN异质结高温性质的研究
- 通过高温Hall测量研究了GaN和AlxGa1-xN/GaN异质结从室温到500℃高温下的输运性质.实验发现GaN背景载流子浓度随着温度的升高而升高,载流子浓度变化的幅度和GaN的位错密度存在正比关系,持续光电导的跃迁幅...
- 王茂俊沈波王彦黄森许福军许谏杨志坚张国义
- 关键词：GAN材料位错密度载流子浓度
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- AlN插入层厚度对Al0.25Ga0.75N/GaN异质结肖特基接触反向漏电的影响
- AIN插入层已被广泛用来提高Al0.25Ga0.75N/GaN/AIN体系中的二维电子气的迁移率和浓度，然而很少有人关注AIN插入层对该异质结构上肖特基接触的反向漏电的影响。而栅极反向漏电会造成AlxGa1-xN/GaN...
- 黄森沈波马楠许福军林芳苗振林宋杰鲁麟桑立雯秦志新
- 关键词：二维电子气反向漏电异质结
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- 用硫化铵做表面处理的n型GaN上Ti/Al/Ni/Au欧姆接触的高温特性
- 本文用传输线模型对用硫化铵做表面处理的n型GaN上Ti/Al/Ni/Au欧姆接触的比接触电阻率对温度的依赖关系进行了研究。
- 林芳张国义沈波黄森许福君鲁麟宋杰梅伏洪马楠秦志新
- 关键词：表面处理欧姆接触
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- 成核层退火压力对形成高阻GaN的作用
- 本文采用了MOCVD生长技术来获得高阻GaN,发现GaN的方块电阻会随着成核层退火压力的降低而迅速升高.当成核层退火压力降到75torr时,形成了高阻GaN,方块电阻达到1011Ω/sq以上.原子力显微镜结果显示高阻Ga...
- 许谏张国义沈波许福军苗振林王茂俊黄森鲁麟潘尧波杨志坚
- 关键词：刃型位错MOCVD生长表面粗糙度
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- AlN插入层对AlzGa1-zN／GaN异质结微结构和电学性质的影响
- @@引言： AlxGa1-xN／GaN异质结在高温、高频和高功率电子器件方面有很大的应用前景。对AlxGa1-xN／GaN异质结的研究中的一个重要的问题是提高其二维电子气体的输运性质。采用AIN插入层可以有效地提高二维电...
- 宋杰沈波许福军苗振林鲁麟杨志坚张国义黄森
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- 成核层退火压力对形成高阻GaN的作用
- 2007年
- 采用了MOCVD生长技术来获得高阻GaN,发现GaN的方块电阻会随着成核层退火压力的降低而迅速升高.当成核层退火压力降到75torr时,形成了高阻GaN,方块电阻达到1011Ω/□以上.原子力显微镜结果显示高阻GaN的表面非常平整,表面粗糙度只有0.15nm.在位激光检测发现高阻样品的成核层经过退火后会形成密度较高的成核岛.样品的X射线分析结果表明,随着退火压力的改变,刃型位错相对于螺型位错会有较大变化.说明刃型位错是GaN电阻变化的主要原因.
- 许谏沈波许福军苗振林王茂俊黄森鲁麟潘尧波杨志坚张国义
- 关键词：刃型位错MOCVD
- Ni扩散对AlzGa1-zN/GaN异质结构电学性质的影响
- 木文采用深能级瞬态谱(DLTS)和变温霍尔测量研究了Ni/AlxGa1-xN/GaN结构的热退火处理对AlxGa1-xN/GaN异质结构电学性质的影响。实验发现带有10nm Ni盖帽层的Al0.25Gao0.75N/Ga...
- 黄森沈波林芳马楠许福军鲁麟秦志新杨志坚张国义
- 关键词：电学性质输运性质退火处理氮化镓
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