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马佩军
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286
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H指数:6
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西安电子科技大学
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郝跃
西安电子科技大学微电子学院微电...
史江义
西安电子科技大学微电子学院宽禁...
张进成
西安电子科技大学
马晓华
西安电子科技大学微电子学院微电...
毛维
西安电子科技大学
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一种横向同质异质结存储器器件及制备方法
本发明涉及一种横向同质异质结存储器器件及制备方法,存储器器件包括:衬底栅层、第一介质层、第二介质层、二维半导体沟道层和欧姆电极,其中,第一介质层和第二介质层均位于衬底栅层上,且第一介质层和第二介质层相接触;二维半导体沟道...
宁静
张弛
张进成
王东
马佩军
郝跃
一种用于有效荷载检查的CF-CH算法
本发明公开了一种用于有效荷载检查的CF‑CH算法,包括:将外部输入的待插入规则信息插入到布谷鸟过滤器和布谷鸟哈希结构的存储单元;在模糊匹配阶段:根据外部输入的待查询数据从每个布谷鸟过滤器的存储单元中查询是否存在待查询数据...
史江义
杨浩
马佩军
潘伟涛
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祝君超
郝跃
一种具有高散热结构的N面GaN HEMT器件及制作方法
本发明涉及一种具有高散热结构的N面GaN HEMT器件及制作方法,包括步骤:选取衬底;在衬底上依次生长AlN成核层、GaN缓冲层,AlN插入层以及AlGaN势垒层;在所述AlGaN势垒层上生长金刚石层;依次去除所述衬底、...
马晓华
王瑜
郝跃
武玫
马佩军
文献传递
多路控制复合功能器件
本发明公开了一种多路控制复合功能器件,主要解决现有氮化镓基功率晶体管只能单向阻断的问题。其自下而上包括:衬底、过渡层、沟道层和势垒层,沟道层和势垒层通过内部的隔离深槽分成多个条状结构;每个条状结构从左至右依次设置有左电极...
毛维
裴晨
杨翠
杜鸣
马佩军
张金风
张进成
郝跃
基于片上网络的异构多核处理系统
本发明公开了一种基于片上网络的异构多核处理系统,主要解决现有技术的系统通信效率低、系统计算性能和灵活性差的问题。其包括一个n×m的片上网络(1)、处理子系统(2)和存储子系统(3)。其中,处理子系统(2)包括通用处理单元...
史江一
舒浩
余文哲
马佩军
王禛
吴冰冰
李钊
刘沛委
文献传递
一种数字芯片功能验证方法及系统
本发明提出了一种数字芯片功能验证方法及系统,用于解决现有技术中存在的验证准确度低的技术问题,本发明考虑了应用系统环境因素和故障信息对验证结果的影响,验证方法步骤为:模拟应用系统环境信息;模拟故障信息;根据待验证设计的设计...
史江义
李钊
缪磊
马佩军
古生霖
舒浩
文献传递
弧形栅场板电流孔径功率器件
本发明公开了一种弧形栅场板电流孔径功率器件,主要解决现有垂直功率器件中场板结构无法有效调制器件中电场分布的问题。其包括:衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、二级台阶形的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和钝...
毛维
杨翠
马佩军
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一种基于衬底背面外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法
本发明涉及一种基于衬底背面外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法,该硅基AlGaN/GaN HEMT的制备方法包括步骤:S1、在Si衬底的背面依次生长若干SiGe外延层;S2、在所述Si衬底的正面依次生长Al...
马金榜
张雅超
李一帆
姚一昕
张进成
马佩军
马晓华
郝跃
GaN高电子迁移率晶体管非线性可伸缩模型的构建方法
本发明公开了一种构建GaN HEMT非线性可伸缩模型的方法,主要解决现有GaN HEMT大信号模型无法精确拟合输出电流中各种效应和难以仿真不同尺寸器件的问题。其技术方案是:1.测量所用器件,通过计算得到高电子迁移率晶体管...
马晓华
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马佩军
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郝跃
零开销切换多线程处理器及其线程切换方法
本发明公开了一种零开销线程切换的方法及其多线程处理器,该处理器包括:用于完成基本指令运行的五级流水线处理单元,用于从多个处于就绪态的线程中仲裁得到切换线程的线程仲裁单元,用于响应对外部存储单元访问的反馈事件信号的信号监视...
郝跃
王庆成
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史江义
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