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毛维
作品数:
193
被引量:15
H指数:3
供职机构:
西安电子科技大学
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国家自然科学基金
国家科技重大专项
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相关领域:
电子电信
理学
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合作作者
郝跃
西安电子科技大学微电子学院宽禁...
杨翠
西安电子科技大学技术物理学院
张进成
西安电子科技大学微电子学院宽禁...
杜鸣
西安电子科技大学
马佩军
西安电子科技大学
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作者
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毛维
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InSb红外焦平面探测器阵列及其制作方法
本发明公开了一种InSb红外焦平面探测器阵列及其制作方法。该探测器阵列包括n型InSb衬底(1)和钝化层(7),n型InSb衬底(1)上刻蚀有t×t个台面(2),t为整数且t≥1;每个台面(2)上部淀积有阳极(5),n型...
杨翠
马京立
张延涛
毛维
张小雷
孟超
刘鹏
张建奇
文献传递
源场板高电子迁移率晶体管
本发明公开了一种源场板高电子迁移率晶体管,该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、栅极(6)、钝化层(7)、保护层(10)和源场板(8),该源场板(8)与源极(4)电气连接,其中...
郝跃
过润秋
毛维
张进成
马晓华
杨翠
王冲
文献传递
内嵌肖特基二极管的复合功率开关器件及其制作方法
本发明公开了一种内嵌肖特基二极管的复合功率开关器件,主要解决现有功率开关器件只能单向导通的问题。其包括:衬底、过渡层、第一沟道层、第一势垒层、第二沟道层、第二势垒层;第二势垒层上部依次设有P型块和栅极;第一沟道层、第一势...
毛维
裴晨
杨翠
杜鸣
马佩军
赵胜雷
段小玲
张进成
郝跃
Г栅异质结场效应晶体管及其制作方法
本发明公开了一种Γ栅异质结场效应晶体管及其制作方法,该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、钝化层(6)、Γ栅(8)和保护层(10),该钝化层(6)上开有凹槽(7),其中,钝化层...
郝跃
过润秋
毛维
杨翠
文献传递
基于直角源场板和直角漏场板的复合场板功率器件
本发明公开了一种基于直角源场板和直角漏场板的复合场板功率器件,其包括:衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、肖特基漏极(5)、台面(6)、栅极(7)、钝化层(8)和保护层(13)。钝化层内刻有源槽(9)与漏...
毛维
佘伟波
赵雁鹏
李洋洋
杨翠
张金风
郝跃
文献传递
漏连接半超结氮化镓基垂直型异质结功率器件
本发明公开了一种漏连接半超结氮化镓基垂直型异质结功率器件,其自下而上包括:肖特基漏极(15)、衬底(1)、漂移层(3)、孔径层(5)、左右两个对称的电流阻挡层(6)、沟道层(8)、势垒层(9)、帽层(10)和栅极(12)...
毛维
石朋毫
杨翠
郝跃
一种垂直功率器件及其制作方法
本发明提供一种垂直功率器件及其制作方法,所述垂直功率器件包括依次设置的漏极金属衬底、第一n<Sup>+</Sup>GaN接触层、n<Sup>+</Sup>GaN过渡层、n<Sup>‑</Sup>GaN渡越层、n<Sup>...
何云龙
马晓华
郝跃
杨凌
王冲
毛维
文献传递
单片集成的逆导型氮化镓纵向功率器件及其制作方法
本发明公开了一种单片集成的逆导型氮化镓纵向功率器件及其制作方法,主要解决了现有的氮化镓基功率器件双向导通特性差,其电路成本高,性能差的问题。其自下而上包括:漏极、衬底层、漂移层、沟道层和源极,该沟道层的两侧设有P型GaN...
毛维
谢渊源
杨翠
赵天龙
王树龙
郑雪峰
张进成
郝跃
多路控制复合功能器件
本发明公开了一种多路控制复合功能器件,主要解决现有氮化镓基功率晶体管只能单向阻断的问题。其自下而上包括:衬底、过渡层、沟道层和势垒层,沟道层和势垒层通过内部的隔离深槽分成多个条状结构;每个条状结构从左至右依次设置有左电极...
毛维
裴晨
杨翠
杜鸣
马佩军
张金风
张进成
郝跃
具有阶梯式源区/栅极的垂直型极化掺杂InN/InGaN基隧穿场效应晶体管
本发明公开了一种具有阶梯式源区/栅极的垂直型极化掺杂InN/InGaN基隧穿场效应晶体管,主要解决传统隧穿场效应晶体管导通电流较低的问题。其包括:衬底、漏区、沟道区、源区和介质层;该漏区的两侧为漏极,源区的上侧为源极,该...
毛维
马麟
杨翠
张进成
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