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陈雪军

作品数：6 被引量：20H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 5篇电路
  • 5篇砷化镓
  • 5篇集成电路
  • 4篇单片
  • 3篇单片集成
  • 3篇单片集成电路
  • 3篇微波单片
  • 3篇微波单片集成
  • 3篇微波单片集成...
  • 3篇功率放大
  • 3篇功率放大器
  • 3篇放大器
  • 2篇GAAS微波...
  • 1篇单片功率放大...
  • 1篇行波放大器
  • 1篇移动通信
  • 1篇移动通信用
  • 1篇通信
  • 1篇微波集成
  • 1篇微波集成电路

机构

  • 6篇南京电子器件...

作者

  • 6篇陈雪军
  • 3篇林金庭
  • 3篇陈效建
  • 2篇李辉
  • 2篇陈克金
  • 2篇岑元飞
  • 2篇宋军
  • 2篇徐世晖
  • 1篇高建峰

传媒

  • 4篇固体电子学研...
  • 1篇半导体情报
  • 1篇电子学报

年份

  • 1篇2001
  • 2篇2000
  • 2篇1998
  • 1篇1996
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
单片行波功率放大器被引量：2
1996年
单片行波功率放大器陈雪军，林金庭，陈克金（南京电子器件研究所，２１００１６）ＡＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＴｒａｖｅｌｉｎｇＷａｖｅＰｏｗｅｒＡｍｐｌｉｆｉｅｒ￥ＣｈｅｎＸｕｅｊｕｎ；ＬｉｎＪｉｍｉｎｇ；ＣｈｅｎＫｅｊｉｎ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃ...
陈雪军林金庭陈克金
关键词：单片行波放大器功率放大器
单片行波功率放大器被引量：3
1998年
报道了一个单片行波功率放大器的研究结果。单级放大器电路采用6个栅宽为420μn的GaAsMESFET作为有源器件，通过采用栅串联电容和漏线阻抗渐变技术，在（1-13）GHz频率范围内线性增益为7．5±0．5dB，输出功率大于0．5W，功率附加效率为16％，输入输出驻波比在1．2—2，1之间。采用离子注入、背面通孔等先进工艺制作在厚度为0．1mm的GaAs基片上，芯片面积为3．7mm×1．85mm。将两个这样的芯片级联得到13±1dB的线性增益。
陈雪军林金庭陈克金
关键词：微波集成电路砷化镓
移动通信用GaAs微波单片集成电路的CAD技术研究被引量：2
2000年
介绍了一个移动通信用 Ga As MMIC集成电路 CAD系统。该系统包括单片电路器件模型系统和 CAD软件包。应用该系统已完成多个移动通信电路的优化设计 ,取得良好效果。
徐世晖陈雪军李辉岑元飞宋军陈效建
关键词：砷化镓CAD单片集成电路移动通信
2～26GHzGaAs单片功率放大器被引量：8
2000年
报道了一个具有低噪声性能的 2～ 2 6GHzGaAs超宽带单片功率放大器的研究结果 ,介绍了模型提取、电路设计和单片制作的全过程 .放大器采用分布式设计 ,在超宽带频率范围内增益为 6 5± 0 5dB ,输入输出驻波比小于 2 0 .在 2～ 2 0GHz内测得输出功率大于 30 0mW ,噪声系数为 3 5～ 5 5dB .单片放大器包括所有匹配、隔直及偏置电路 ,芯片面积为 3 2mm× 1 2 75mm× 0 1mm .
陈雪军高建峰陈效建林金庭
关键词：微波单片集成电路砷化镓
GaAs微波单片集成电路中器件的精确建模被引量：6
2001年
论述了精确模型的建立对于微波单片集成电路研制和产品开发的重要意义 ,介绍了工程模型的概念和提取模型的方法 ,给出了在南京电子器件研究所进行的 MMIC有源器件的建模实例及验证结果。
陈雪军徐世晖岑元飞李辉宋军陈效建
关键词：砷化镓场效应晶体管单片集成电路
1997年IEEE GaAs IC国际会议简介被引量：2
1998年
陈雪军
关键词：砷化镓IC集成电路
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