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陈涛

作品数：2 被引量：10H指数：1
供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇硅薄膜
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇电池
  • 1篇氧化硅薄膜
  • 1篇少子寿命
  • 1篇太阳电池
  • 1篇气相沉积
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇减反射膜
  • 1篇硅太阳电池
  • 1篇红外
  • 1篇二氧化硅薄膜
  • 1篇PECVD法

机构

  • 2篇浙江大学

作者

  • 2篇杨德仁
  • 2篇席珍强
  • 2篇陈涛
  • 1篇汪雷
  • 1篇阙端麟

传媒

  • 1篇材料热处理学...
  • 1篇第九届中国太...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
氢辅助PECVD法沉积氮化硅薄膜的钝化效果研究
氮化硅薄膜被广泛应用于硅太阳电池的减反射膜.本文对比了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中有无氢气参与情况下氮化硅薄膜的钝化效果.实验样品的傅立叶红外吸收光谱(FTIR)表明氢气参与氮化硅薄膜的沉积对薄膜的成分和...
陈涛席珍强汪雷杨德仁
关键词：氮化硅薄膜少子寿命化学气相沉积硅太阳电池减反射膜
文献传递
快速热氧化制备二氧化硅薄膜的红外研究被引量：10
2007年
通过傅立叶红外吸收光谱分析了不同温度和时间下在硅衬底上快速热氧化(RTO)处理后的样品。结果表明,在处理相同的时间下,随着热处理温度的升高,二氧化硅薄膜的非对称伸展振动模式峰强度增强,其峰位发生了偏移。在800℃下制备二氧化硅薄膜的热氧化动力学规律不同于1200℃下的情况。在800℃下,快速热氧化制备的薄膜中含有非化学计量比的氧化硅(SiOx),SiOxDE再氧化使得薄膜的氧化生长速率不断增加,同时也是导致红外吸收光谱中ASM峰位向长波数方向偏移。在1200℃下,快速热氧化制备的薄膜成份是二氧化硅,这种薄膜具有良好的介电性能。
陈涛席珍强杨德仁阙端麟
关键词：二氧化硅薄膜
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