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赵正平

作品数:5 被引量:12H指数:1
供职机构:电子工业部更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 2篇X波段
  • 1篇单片
  • 1篇多芯片
  • 1篇多芯片组件
  • 1篇微波器件
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子学
  • 1篇微组装
  • 1篇芯片
  • 1篇芯片组件
  • 1篇晶体管
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器
  • 1篇固态
  • 1篇放大器
  • 1篇半导体
  • 1篇GAASFE...
  • 1篇GAASME...

机构

  • 5篇电子工业部

作者

  • 5篇赵正平
  • 2篇张慕义
  • 1篇金圣东
  • 1篇苏世民

传媒

  • 2篇半导体情报
  • 2篇1985年全...
  • 1篇1997年全...

年份

  • 3篇1997
  • 2篇1985
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
固态微波器件的新进展
<正>六十年代末提出的调制掺杂超晶格理论借助于八十年代诞生的MBE、MOCVD等原子尺度加工手段,使得新一代微波固态器件HEMT和HBT诞生并不断发展。进入九十年代这些以异质结和量子阱为特点的新型器件和MIMIC已成为固...
赵正平
文献传递
X波段GaAsFET混合集成放大器
文章介绍了将FET芯片直接制作成放大器的实验结果和曲线。作者们采用源复盖空气桥结构,把各个源区连接起来,绕过边缘到芯片背面接地,以提高FET器件的微波性能。经计算源引线电感仅15PH。用上述器件制成的两级芯片放大器,在9...
邓鸿章赵正平张慕义
文献传递
单片X波段GaAsMESFET功率放大器
1984年作者们试制出X波段单片功率放大器样品,单片面积为1.84mm×1.32mm,中心频率为10.3G Hz,带宽为250MHz,线性增益大于3dB,增益压缩1dB处的输出功率为110mW。1985年,作者们在器件物...
赵正平邓鸿章张慕义
文献传递
微组装技术的发展被引量:11
1997年
论述了目前高密度封装和 MCM 的现状。指出目前高密度封装和 MCM 技术正在从数字电路向模拟电路尤其是微波电路转移,并例举了几种常见的微波 MCM。还论述了近年来我所研制的一些微封装、微组装的典型产品。
赵正平苏世民
关键词:多芯片组件微组装
伟大的发明,巨大的产业——晶体管诞生五十周年被引量:1
1997年
回顾了晶体管发明50周年的历史和我国微电子学的创立史,展望了目前基于尺寸缩小原理的微电子学的前景。
金圣东赵正平
关键词:晶体管微电子学半导体
共1页<1>
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