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童明照

作品数:4 被引量:9H指数:2
供职机构:上海交通大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇单电子晶体管
  • 3篇电容耦合
  • 3篇晶体管
  • 2篇数值模拟
  • 2篇值模拟
  • 1篇单电子器件
  • 1篇单元电路
  • 1篇电路
  • 1篇电子器件
  • 1篇特性分析
  • 1篇逻辑单元
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米加工技术
  • 1篇库仑阻塞
  • 1篇互补型
  • 1篇高温超导
  • 1篇SPM
  • 1篇超导

机构

  • 4篇上海交通大学

作者

  • 4篇童明照
  • 3篇蒋建飞
  • 3篇蔡琪玉
  • 1篇黄萍

传媒

  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 2篇1998
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
电容耦合三结单电子晶体管特性分析被引量:3
1998年
本文基于电容耦合多个纳米隧道结串联结构的半经典模型,研究了三结单电子晶体管的基本方程,分析了其I-V特性,并对三结与两结单电子晶体管的特性进行了比较.结果表明,单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别,且三结单电子晶体管与两结单电子晶体管相比较。
童明照蒋建飞蔡琪玉
关键词:电容耦合晶体管单电子晶体管
电容耦合三结高温超导单电子晶体管数值模拟被引量:1
1998年
基于单电子隧道效应的半经典模型,研究了电容耦合三结高温超导单电子晶体管的基本方程,分析了其I-V特性,并对两结和三结高温超导单电子晶体管的特性进行了比较。结果表明,单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别,且三结高温超导单电子晶体管比两结高温超导单电子晶体管有更高的灵敏度和更强的抗电磁干扰能力。
童明照蒋建飞蔡琪玉
关键词:库仑阻塞单电子晶体管
单电子存储单元电路的设计分析及其基础技术的研究
该文第一章对单电子学的一些基本知识作了简单回顾并介绍了论文的结构安排.第二章讨论了几种单电子存储器的设计方案,并根据单电子学的半经典模型模拟了陷阱型单电子存储单元和浮栅型单管单电子存储单元基本特性,同时对构成存储单元电路...
童明照
关键词:单电子器件
电容耦合互补型单电子晶体管逻辑单元的数值模拟被引量:5
2000年
根据单电子系统半经典模型 ,采用蒙特卡罗法单电子模拟程序对电容耦合的类 CMOS单电子逻辑单元在不同参数条件下的转移特性进行数值模拟。这种模拟器的物理内涵是通过建立n沟单电子晶体管 (SET)开关单元、p沟 SET开关单元以及互补型 SET开关单元的电容电压电荷方程 ,然后根据隧穿前后系统自由能的变化来确定系统的隧穿率 ,建立电流 -电压方程来决定开关特性而得到的。
黄萍蒋建飞蔡琪玉童明照
关键词:单电子晶体管电容耦合逻辑单元数值模拟
共1页<1>
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