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黄萍

作品数：4 被引量：5H指数：1
供职机构：上海交通大学微纳米科学技术研究院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇扫描隧道显微...
  • 2篇隧道结
  • 2篇STM
  • 1篇单电子
  • 1篇单电子晶体管
  • 1篇电容耦合
  • 1篇数值模拟
  • 1篇温下
  • 1篇线宽
  • 1篇逻辑单元
  • 1篇晶体管
  • 1篇库仑阻塞
  • 1篇互补型
  • 1篇值模拟

机构

  • 4篇上海交通大学

作者

  • 4篇蒋建飞
  • 4篇黄萍
  • 4篇蔡琪玉
  • 3篇程子川
  • 3篇沈波
  • 1篇赵小林
  • 1篇童明照

传媒

  • 3篇第四届全国微...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 4篇2000
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
线宽为10nm量级氧化钛线的制备
我们用扫描隧道显微镜(STM)在7nm厚的钛膜上加工出了线宽为10nm量级的氧化钛线,并重点讨论了氧化电压与扫描速率对氧化线宽的影响.
黄萍沈波蒋建飞蔡琪玉程子川
关键词：扫描隧道显微镜STM
文献传递
室温下平面结构上的单电子库仑阻塞效应的观察
用扫描隧道显微镜(STM)在Ti膜上加工形成串联隧道结,在室温下测试并观察到单电子库仑阻塞效应,根据加工结构估算出结电容值,通过计算机模拟得到了与实测相吻合的结果.
黄萍沈波蒋建飞蔡琪玉程子川赵小林
关键词：隧道结库仑阻塞
文献传递
电容耦合互补型单电子晶体管逻辑单元的数值模拟被引量：5
2000年
根据单电子系统半经典模型 ,采用蒙特卡罗法单电子模拟程序对电容耦合的类 CMOS单电子逻辑单元在不同参数条件下的转移特性进行数值模拟。这种模拟器的物理内涵是通过建立n沟单电子晶体管 (SET)开关单元、p沟 SET开关单元以及互补型 SET开关单元的电容电压电荷方程 ,然后根据隧穿前后系统自由能的变化来确定系统的隧穿率 ,建立电流 -电压方程来决定开关特性而得到的。
黄萍蒋建飞蔡琪玉童明照
关键词：单电子晶体管电容耦合逻辑单元数值模拟
外加电压对用STM进行钛膜氧化结果的影响
我们研究了扫描隧道显微镜(STM)在不同氧化电压下对钛膜氧化结果的影响,并对实验结果作了分析,通过测试证实了不完全氧化钛膜中存在隧道结结构.
黄萍沈波蒋建飞蔡琪玉程子川
关键词：扫描隧道显微镜隧道结STM
文献传递
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