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石万全

作品数:16 被引量:29H指数:4
供职机构:中国科学院研究生院更多>>
发文基金:国家科技部专项基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 3篇理学

主题

  • 6篇退火
  • 5篇
  • 4篇氮化硅
  • 4篇离子注入
  • 4篇硅薄膜
  • 3篇氮化
  • 3篇氮化硅薄膜
  • 3篇导体
  • 3篇热退火
  • 3篇快速热退火
  • 3篇光发射
  • 3篇发光
  • 3篇半导体
  • 3篇RTA
  • 3篇LPCVD
  • 3篇超导
  • 3篇超导体
  • 2篇室温
  • 2篇纳米硅
  • 2篇可见光发射

机构

  • 13篇中国科学技术...
  • 4篇中国科学院
  • 2篇中国科学院研...
  • 2篇中国科学院微...
  • 1篇北京师范大学
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇首都师范大学
  • 1篇河南师范大学

作者

  • 15篇石万全
  • 10篇刘世祥
  • 9篇刘渝珍
  • 5篇韩一琴
  • 5篇姚德成
  • 4篇刘金龙
  • 3篇刘峰奇
  • 3篇叶甜春
  • 3篇孙宝银
  • 3篇陈志坚
  • 3篇赵玲莉
  • 2篇刘振祥
  • 2篇陈梦真
  • 2篇朱美芳
  • 2篇孙景兰
  • 1篇唐勇
  • 1篇沈光地
  • 1篇谭寿洪
  • 1篇陈培毅
  • 1篇张庶元

传媒

  • 4篇发光学报
  • 3篇Journa...
  • 2篇科学通报
  • 1篇河南师范大学...
  • 1篇激光杂志
  • 1篇中国稀土学报
  • 1篇第六届全国电...

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2000
  • 3篇1999
  • 2篇1998
  • 2篇1996
  • 1篇1993
  • 3篇1991
  • 1篇1989
  • 1篇1985
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
RTA对氮化硅薄膜发光光谱的影响被引量:1
2003年
在 5 0eV的激光激发下 ,在室温下富硅的LPCVD氮化硅薄膜可发射六个PL峰 ,其峰位分别为 2 97,2 77,2 5 5 ,2 32 ,2 10 ,1 9eV。经 90 0~ 110 0℃在N2 气氛下快速退火 (RTA)处理后 ,样品的六个PL峰变为3 1,3 0 ,2 85 ,2 6 ,2 36 ,2 2eV。本文对退火前后PL峰的产生和变化机制进行了初步探讨。
刘渝珍石万全赵玲莉孙宝银叶甜春
关键词:发光光谱LPCVD氮化硅薄膜快速退火RTA
E_u^+注入单晶硅经快速热退火后的喇曼光谱研究
1991年
喇曼光谱及扫描镜徽区形貌象说明,E_u^+注入(注入能量350Kev,注入剂量2×10^(15) cm^(-2) )n 型单晶硅后,在表面可形成一连续非晶层.经过895℃快速热退火(RTA)可以消除注入损伤,Si 损伤区恢复完整;当快速退火温度为1285℃时,在硅表面存在 E_u 的表面偏析及表面增强喇曼散射(SERS)现象,我们对增强机理进行了讨论.
刘峰奇石万全
关键词:离子注入快速热退火SERSSEM
镨和铕离子注入硅的快速热退火研究被引量:1
1996年
利用离子注入技术将稀土Pr和Eu离子引入外延硅片中,经快速热退火(RTA)使注入层再结晶和电激活。对Pt离子注入(剂量1×1014cm-2,350keV)样品,在较低温度940℃下退火,样品具有电子导电性,注入离子起施主作用,而在较高温度1240℃下退火,则具有空穴导电性,注入离子起受主作用,即有两种导电行为。对高剂量(2×1015cm-2,)Eu离子注入硅样品,经高温RTA处理后,发现了明显的Raman增强效应。本文对以上两种现象给出了解释并进行了讨论。
刘世祥石万全柳雪君刘洪图刘峰奇刘磁辉
关键词:离子注入快速热退火
一种高温超导体的制备工艺
本发明公开了一种制备钇-钡-铜氧化物超导材料的工艺,这种工艺采用在940℃至1050℃之间恒温小于一小时一次烧结的快速烧结方法。
石万全柳雪君刘世祥伍勇
Nd^(3+):YAG连续激光束用于半导体连续激光退火的研究
1985年
本文主要介绍如何根据连续激光退火的需要。将Nd^(3+):YAG激光划片机改进和完善成专用连续激光退火设备。简单介绍利用此设备进行激光退火的实验结果。提出研制和生产专用连续激光退火设备的必要性。
石万全姚德成刘世祥朱美芳贺令渝陆世勇刘万忠王金生
关键词:ND^3+:YAG激光退火半导体激光束退火设备
稀土元素离子注入硅的两种导电行为
刘世祥石万全刘峰奇
关键词:稀土族离子注入导电性
一种高温超导体的制备工艺
本发明公开了一种制备钇-钡-铜氧化物超导材料的工艺,这种工艺采用在940℃至1050℃之间恒温小于一小时一次烧结的快速烧结方法。
石万全柳雪君刘世祥伍勇
文献传递
高温YBCO超导体的吸氢特性和异常核现象研究
1993年
随着高温超导体性能和理论的深入研究,人们发现YBa_2Cu_3O_(7-8)超导体具有吸氢的罕见能力,该过程遵循一般的反应式: (x/2) H_2+YBa_2Cu_3O_(7-8)→H_xYBa_2Cu_3O_(7-8)。结构分析表明,其所吸入的H位于Cu-O面内,并且随着温度等条件的改变,其状态也有变化,H的吸入对YBCO的超导特性也产生一定影响,对氢的同位素氘(D)也应具有类似现象。
金尚宪张富祥刘渝珍石万全欧文刘世祥柳雪君
关键词:超导体高TC
N^+注入硅RTA样品的蓝绿光发射被引量:3
1996年
自发现多孔硅在室温下可以发射可见光以来,人们对量子尺寸限制效应的研究兴趣剧增。由于多孔硅结构疏松,不利于广泛应用,人们开始将注意力转移到纳米硅薄膜的研究。朱美芳等人利用非晶硅薄膜快速退火处理,获得连续纳米硅薄膜,并观察到蓝绿光发射,但在脱氢过程中,纳米硅薄膜易损坏。本文通过高剂量N^+注入到硅基体上,经快速退火形成硅与氮化硅镶嵌结构的大面积的纳米硅薄膜,T≥1000℃退火后的样品,观测到有稳定的蓝绿光(500~610nm)发射。
刘渝珍石万全陈建新李玉芝陈志坚孙景兰柳雪君刘振祥张裕恒沈光地
关键词:纳米硅离子注入快速退火
LPCVD氮化硅薄膜的室温可见光发射被引量:4
2000年
在 4.66e V的激光激发下 ,在室温下 LPCVD氮化硅薄膜可发射高强度可见光 ,其峰位位置分别为 2 .97,2 .77,2 .55,2 .32 ,2 .1 0和 1 .90 e V的 6个 PL峰 ,建立了可见光发射的能隙态模型 。
刘渝珍石万全韩一琴刘世祥赵玲莉孙宝银叶甜春陈梦真
关键词:LPCVD光致发光
共2页<12>
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