刘渝珍
- 作品数：21 被引量：59H指数：5
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- RTA对氮化硅薄膜发光光谱的影响
- 在5.0eV的激光激发下,在室温下富硅的LPCVD氮化硅薄膜可发射六个PL峰,其峰位位置分别为2.97,2.77,2.55,2.32,2.10和1.9eV.经900~1100℃在N<,2>气氛下快速退火(RTA)处理后,...
- 刘渝珍石万全赵玲莉孙宝银叶甜春
- 关键词：LPCVD氮化硅薄膜化学气相淀积
- 文献传递
- Si3N4-TiN的氧化行为和显微结构的研究
- 近年来以高温结构陶瓷SiN为基础,以TiN,TiC或TiB为添加物的电陶瓷材料的开发和研究,作为发热体、点火器、引爆装置等复杂机器的主要部件而得到了广泛的特殊应用。本工作采用TiN作为添加物,分别研究了AY—20TiN,...
- 刘渝珍张庶元谭舜A. Bellosi
- 文献传递
- RTA对氮化硅薄膜发光光谱的影响被引量：1
- 2003年
- 在 5 0eV的激光激发下 ,在室温下富硅的LPCVD氮化硅薄膜可发射六个PL峰 ,其峰位分别为 2 97,2 77,2 5 5 ,2 32 ,2 10 ,1 9eV。经 90 0～ 110 0℃在N2 气氛下快速退火 (RTA)处理后 ,样品的六个PL峰变为3 1,3 0 ,2 85 ,2 6 ,2 36 ,2 2eV。本文对退火前后PL峰的产生和变化机制进行了初步探讨。
- 刘渝珍石万全赵玲莉孙宝银叶甜春
- 关键词：发光光谱LPCVD氮化硅薄膜快速退火RTA
- 纳米SiC蓝光发射的研究被引量：8
- 1999年
- 在４．６８ｅＶ的激光激发下，室温ＣＶＤ合成的纳米ＳｉＣ粉体，可发射４７５ｎｍ的蓝光，经６００～１１００℃在Ｎ２气氛下进行快速退火（ＲＴＡ）处理，其荧光强度随退火温度升高而增强，当Ｔ≥９００℃时，荧光强度下降，但发光峰位与退火温度无关．通过ＸＲＤ、ＩＲ、ＴＥＭ、ＸＰＳ等研究。
- 刘渝珍黄允兰石万全刘世祥姚德成张庶元韩一琴陆忠乾谭寿洪江东亮
- 关键词：快速热退火纳米级碳化硅粉体
- C^+注入a-SiN_x∶H的原子化学键合的研究
- 2007年
- 常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx∶H薄膜进行C+注入,能量为30keV,剂量为2×1017cm-2.对C+注入的SiNx薄膜在800℃的温度下,进行2h的常规炉退火处理.通过XPS,AES的测量得到,经800℃高温退火处理后的薄膜形成了部分SiCxNy结构.用喇曼、XPS等分析手段对薄膜结构及成分进行了测量与分析,得到不同退火温度对离子注入形成SiCN薄膜结构与成分的影响,认为高温退火后薄膜中硅含量与SiCxNy薄膜的形成有重要的关系.
- 陈超刘渝珍董立军陈大鹏王小波
- 关键词：SICN
- 钧瓷铜红釉呈色机制的初步研究被引量：14
- 2009年
- 利用同步辐射光源,对一枚带红釉的元代钧瓷表面进行了无损的X射线吸收精细结构分析(SR-XAFS)。将釉中铜的相关标准谱作线性拟合,并与样品的近边图谱作比较分析,结果表明,红釉层内,铜的存在状况为:37%的单价铜和63%的零价铜,零价铜主要以金属团簇或多聚体形式存在其中。而在红釉表面,则主要为单价铜。对延展边的处理结果表明,单价铜孤立地镶嵌在玻璃体网格结构中。铜的这些特殊存在形式导致了钧釉独特的光学性质。另外,采用同步辐射X射线荧光光谱(SRXFS)分析技术,无损测定了釉中元素的分布特征,最后,尝试对这些复杂结构的形成机理进行了探讨。
- 田士兵刘渝珍张茂林汪丽华谢亚宁王昌燧
- 关键词：钧瓷铜红釉
- 富硅氮化硅薄膜的荧光发射被引量：4
- 2005年
- 室温下在3.45eV的激光激发下,对950℃温度下淀积的LPCVD富硅的SiNx薄膜中,观测到5个高强度的可见荧光的发射。其峰位位置分别为2.7,2.69,2.4,2.3,2.1eV。通过TEM、IR、XPS等的分析研究表明,该样品为纳米硅镶嵌结构的a SiNx∶H复合膜,分析了其微结构的成因及其与膜内应力之间的相互关系。经过1000～1200℃快速退火(RTA)处理,原PL谱蓝移并只出现了峰位为3.0,2.8eV的两个紫蓝色荧光的发射,用能隙态模型对此结果做了初步的分析和讨论。认为薄膜中纳米硅团簇的密度、尺寸的变化和亚稳态缺陷态对其PL峰以及膜应力起着十分重要的作用。
- 董立军刘渝珍陈大鹏王小波
- 关键词：光致发光内应力
- 黑漆古铜镜表面层的X射线近边吸收谱分析被引量：2
- 2009年
- 利用同步辐射X射线吸收(XANES)近边分析,探讨了黑漆古铜镜表面层某些原子周边的信息。Sn原子L3边XANES谱的分析,进一步证明黑漆古铜镜表面SnO2晶格中存在以肖托基缺陷的形式存在掺杂的Fe原子,Sn原子的外层轨道空态少于标样SnO2,被部分填充。Sn原子与O原子的结合程度较标样SnO2低,黑漆古铜镜表面是由Sn(IV)与Sn(II)的氧化态共同组成的稳定结构。
- 高魏梦佳刘渝珍储旺盛吴自玉王昌燧
- 关键词：XANESSNO2FE掺杂
- Si_3N_4-TiN的氧化行为和显微结构的研究被引量：3
- 1990年
- 近年来以高温结构陶瓷Si_3N_4为基础,以TiN,TiC或TiB_2为添加物的电陶瓷材料的开发和研究,作为发热体、点火器、引爆装置等复杂机器的主要部件而得到了广泛的特殊应用。本工作采用TiN作为添加物,分别研究了AY—20TiN,AY—30TiN,AY—40TiN材料在高温下的氧化行为、氧化机理及其与显微结构的关系。我们将切割、抛磨、清洗后的10×10×10mm的三种样品在空气中从600℃—1350℃在不同温度下保温30h,其重量变化用一分x率为2×10^(-6)g的热天平记录下来。实验结果表明这三种材料在1350℃以下都是服从(w/s)
- 刘渝珍张庶元谭舜A. Bellosi
- 关键词：显微结构陶瓷
- 退火温度及退火气氛对ZnO薄膜的结构及发光性能的影响(英文)被引量：5
- 2010年
- 采用脉冲激光沉积技术在Si/蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜,结合快速退火设备研究了不同退火温度（500900℃）及退火气氛（N2,O2）对薄膜的结构及其发光性能的影响。并优化条件得到具有最小半峰全宽及最大晶粒尺寸的薄膜。X射线衍射（XRD）结果表明：氮气氛下退火的ZnO薄膜最佳退火温度为900℃;氧气氛下退火的ZnO薄膜最佳退火温度为800℃。红外（IR）光谱中,退火后Zn-O特征振动峰红移,说明在退火过程中,原子重新排布后占据较低能量位置;同样的退火温度下,氮气氛下退火的薄膜质量更优。同步辐射光电子能谱（synchrotron-based XPS）分别表征了未退火及N2,O2下900℃退火的ZnO薄膜,分峰拟合结果表明氧气氛下退火产生更多的氧空位。结构表征结合光致发光（PL）谱表明绿光的发光峰与氧空位有关。
- 张侠刘渝珍康朝阳徐彭寿王家鸥奎热西
- 关键词：ZNO薄膜快速退火光致发光X射线光电子能谱氧空位
