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王青艳
作品数:
14
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供职机构:
华东师范大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
朱自强
华东师范大学
郁可
华东师范大学
徐丰
华东师范大学
石美荣
华东师范大学
张宁
华东师范大学
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郁可
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朱自强
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2009
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2007
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几种氧化物微纳米结构制备及场发射性质研究
半导体氧化物纳米材料广泛应用于制作催化剂、精细陶瓷、复合材料、磁性材料、荧光材料、湿敏性传感器及红外吸收材料等。随着纳米技术的发展,近年来关于这些材料的各种纳米结构层出不穷。在本论文中,我们制备了SnO2、In2O3、Z...
王青艳
关键词:
纳米材料
碳纳米管
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一种树状分形结构的宏观ZnO单晶材料的制备方法
一种树状分形结构的宏观ZnO单晶材料及其制备方法,属于半导体光电子材料与器件的技术领域。以商品的ZnO粉、石墨粉和铜粉做原料,以易得的N<Sub>2</Sub>为气源,在水平管式生长炉中采用热蒸发法在衬底上生长树状分形结...
朱自强
张宁
郁可
张秋香
王青艳
文献传递
一种生长在玻璃衬底上的图形化ZnO纳米线结构及其制备方法
一种生长在玻璃衬底上的图形化ZnO纳米线结构及其制备方法。该结构是依附在玻璃衬底上的、呈周期性图形的ZnO纳米线,纳米线的直径和长度分别为50~100nm和0.5~1μm,每个周期的纳米线长度为400μm。该结构是在较低...
郁可
王青艳
朱自强
文献传递
在硅片上生长微米级块状结构的氧化铟薄膜的方法
一种在硅片上生长微米级块状结构的氧化铟(In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>)薄膜的方法,属于光电子材料和半导体材料及其制备的技术领域。在大气压强和没有催化剂的条件下,用热蒸发工艺蒸发氧化铟-石墨混合物...
王青艳
郁可
朱兵
徐丰
朱自强
文献传递
提高氧化铁纳米线材料场发射性能的方法
一种提高氧化铁纳米线材料场发射性能的方法,属于光电子和半导体材料制备和应用的技术领域,把氧化铁纳米线材料放入等离子体装置中,射频源的频率设定为13.6MHz,通入流量为5~50sccm的氢气,在功率和压强分别为100~5...
徐丰
郁可
朱自强
王青艳
石美荣
文献传递
一种生长在玻璃衬底上的图形化ZnO纳米线结构及其制备方法
一种生长在玻璃衬底上的图形化ZnO纳米线结构及其制备方法。该结构是依附在玻璃衬底上的、呈周期性图形的ZnO纳米线,纳米线的直径和长度分别为50~100nm和0.5~1μm,每个周期的纳米线长度为400μm。该结构是在较低...
郁可
王青艳
朱自强
文献传递
一种氧化铁单晶纳米线的制备方法
一种氧化铁(Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>)单晶纳米线的制备方法,属于光电子和半导体材料制备方法的技术领域。该方法以铁镍合金片作为反应物和衬底,以惰性气体Ar作为保护气体,在大气压强和600~11...
徐丰
郁可
朱自强
王青艳
石美荣
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一种多角状纳米ZnO和碳纳米管的复合结构及其制备方法
一种多角状纳米ZnO和碳纳米管的复合结构及其制备方法,属于光电子和半导体材料及其制备的技术领域。背景技术用气相输运法和用丝网印刷制备的大面积碳纳米管薄膜,含杂质较多,其场发射电流密度和发射点密度较小,发射均匀性差,限制其...
郁可
王青艳
朱自强
文献传递
在硅片上生长微米级块状结构的氧化铟薄膜的方法
一种在硅片上生长微米级块状结构的氧化铟(In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>)薄膜的方法,属于光电子材料和半导体材料及其制备的技术领域。在大气压强和没有催化剂的条件下,用热蒸发工艺蒸发氧化铟-石墨混合物...
王青艳
郁可
朱兵
徐丰
朱自强
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一种杆状ZnO单晶材料及其制备方法
本发明涉及一种超长杆状ZnO单晶材料及其制备方法,具体涉及一种长度是厘米级的ZnO杆状结构的制备所用的热蒸发方法,属于半导体光电子材料与器件的制备技术领域。本发明提供的超长杆状ZnO单晶材料长度为0.5mm~15mm,直...
张宁
郁可
朱自强
王翠翠
崔庆月
王青艳
黄勇
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