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郁可

作品数：131 被引量：59H指数：4
供职机构：华东师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金上海市科学技术发展基金更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 109篇专利
  • 19篇期刊文章
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 18篇一般工业技术
  • 13篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 2篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇理学
  • 1篇生物学
  • 1篇机械工程

主题

  • 77篇纳米
  • 61篇SUB
  • 39篇半导体
  • 32篇半导体材料
  • 22篇光电
  • 22篇硅片
  • 20篇体硅
  • 20篇半导体硅
  • 18篇光电子
  • 16篇电路
  • 16篇电路工艺
  • 16篇集成电路
  • 16篇集成电路工艺
  • 14篇生长温度
  • 12篇场发射
  • 10篇相变材料
  • 10篇纳米棒
  • 10篇纳米带
  • 10篇传感
  • 9篇SNO

机构

  • 126篇华东师范大学
  • 10篇山东大学
  • 4篇洛阳工业高等...
  • 2篇济南大学
  • 2篇南通大学
  • 1篇上海建桥学院
  • 1篇中国科学院
  • 1篇浙江师范大学
  • 1篇武汉理工大学

作者

  • 131篇郁可
  • 115篇朱自强
  • 17篇黄雁君
  • 14篇吴晋
  • 13篇张宁
  • 13篇王青艳
  • 12篇张正犁
  • 11篇尹海宏
  • 11篇蒋雯陶
  • 10篇倪娟
  • 10篇汪阳
  • 10篇尚德建
  • 10篇许玉娥
  • 10篇徐建文
  • 8篇王翠翠
  • 8篇李立珺
  • 8篇张永胜
  • 8篇张秋香
  • 7篇徐丰
  • 7篇崔庆月

传媒

  • 4篇华东师范大学...
  • 3篇Journa...
  • 1篇传感器世界
  • 1篇化工新型材料
  • 1篇机械工程材料
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇材料导报
  • 1篇计算机工程与...
  • 1篇山东工业大学...
  • 1篇复合材料学报
  • 1篇中国粉体技术
  • 1篇半导体光电
  • 1篇科技通讯（上...
  • 1篇洛阳工业高等...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 5篇2016
  • 7篇2015
  • 4篇2014
  • 7篇2013
  • 16篇2012
  • 18篇2011
  • 15篇2010
  • 11篇2009
  • 14篇2008
  • 11篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2005
  • 6篇2004
  • 2篇2003
共 131 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
在硅片上复合In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>塔状纳米结构的半导体材料及其制备方法
本发明公开了一种在硅片上复合In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>塔状纳米结构的半导体材料及其制备方法，其材料包括衬底，该衬底采用硅片，其衬底表面生长有In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub...
黄雁君郁可朱自强
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一种交叉棒状VO<Sub>2</Sub>纳米结构的相变材料及其制备方法
本发明公开了一种交叉棒状VO<Sub>2</Sub>纳米结构的相变材料及其制备方法，其材料是将偏钒酸铵加入草酸水溶液，用水热法一步生成VO<Sub>2</Sub>晶体为交叉棒状纳米结构的相变材料，其VO<Sub>2</S...
蒋雯陶郁可倪娟黄雁君朱自强
文献传递
三维MoS<Sub>2</Sub>@MWNTs 纳米结构及其制备方法
本发明公开了一种三维MoS<Sub>2</Sub>MWNTs纳米结构，其包括均匀交叉在一起的MoS<Sub>2</Sub>和MWNTs，MWNTs表面上覆盖多层MoS<Sub>2</Sub>纳米层和MoS<Sub>2</...
张庆锋郁可朱自强宋长清
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一种ZnO纳米带状材料及其制备方法
本发明公开了一种多孔ZnO纳米带状材料及其制备方法，填补了现有技术的空白，为ZnO纳米结构材料添加了一个新品种。所述ZnO纳米带状材料的表面具有多孔结构，带的宽度在300nm～4μm，长度在10～40μm，每个孔径大小在...
崔庆月郁可朱自强张宁王翠翠
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在硅片上复合VO<Sub>2</Sub>片状和多孔纳米结构的相变材料及其制备方法
本发明公开了一种在硅片上复合两种VO<Sub>2</Sub>纳米结构(片状和多孔状)的相变材料及其制备方法，其材料包括衬底，该衬底采用硅片，其衬底表面生长有VO<Sub>2</Sub>晶体；所述的VO<Sub>2</Su...
倪娟郁可蒋雯陶朱自强
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在硅片上复合VO<Sub>2</Sub>空心球结构的相变型材料及其制备方法
本发明公开了一种在硅片上复合VO<Sub>2</Sub>空心球结构的相变型材料及制备方法，包括硅片衬底和生长在所述衬底表面的VO<Sub>2</Sub>晶体，所述的VO<Sub>2</Sub>晶体沿垂直于硅衬底方向生长。...
倪娟郁可蒋雯陶黄雁君朱自强
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硫化亚铜微米环状结构半导体材料及其制备方法
本发明公开了一种硫化亚铜微米环状结构半导体材料，其中包括片状物构成的层级结构和颗粒构成的多孔环状结构。本发明还公开了所述硫化亚铜微米环状结构半导体材料的制备方法，将无水乙醇和去离子水混合制备混合溶液，分别制备硫脲溶液和C...
赵彬郁可李守川朱自强
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基于三维VS<Sub>2</Sub>/ZnO复合纳米结构的柔性场电子发射阴极材料及其制备方法
本发明公开了一种三维VS<Sub>2</Sub>/ZnO复合纳米结构及制备方法，其包括VS<Sub>2</Sub>纳米薄片和ZnO纳米颗粒，以所述VS<Sub>2</Sub>纳米薄片为骨架，所述ZnO纳米颗粒均匀分布在所...
宋长青郁可尹海宏朱自强
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一种α-Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>碗状光子晶体结构及其制备方法
本发明公开了一种α－Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>碗状光子晶体结构及其制备方法，其晶体结构是在硅片上由数个呈碗状的α－Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>单元以六边形阵列排列而成...
吴玮朱自强郁可张正犁白丹张志
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在硅片上复合VO<Sub>2</Sub>纳米花结构的相变材料及其制备方法
本发明公开了一种在硅片上复合VO<Sub>2</Sub>纳米花结构的相变材料及其制备方法，其材料包括衬底，该衬底采用硅片，其衬底表面生长有VO<Sub>2</Sub>晶体；所述的VO<Sub>2</Sub>晶体沿垂直于硅...
蒋雯陶郁可倪娟朱自强
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