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王利忠

作品数：5 被引量：9H指数：2
供职机构：中国电子科技集团公司第二研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划山西省自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇半绝缘
  • 3篇单晶
  • 3篇4H-SIC
  • 2篇单晶生长
  • 2篇应力
  • 1篇大直径
  • 1篇第三代半导体
  • 1篇电子器件
  • 1篇电阻率
  • 1篇粘接
  • 1篇粘接工艺
  • 1篇退火
  • 1篇热导率
  • 1篇籽晶
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子器件
  • 1篇功率电子
  • 1篇功率电子器件
  • 1篇高热导率
  • 1篇半导体

机构

  • 5篇中国电子科技...

作者

  • 5篇徐伟
  • 5篇王利忠
  • 5篇王英民
  • 4篇毛开礼
  • 3篇李斌
  • 2篇侯晓蕊
  • 1篇姜志艳
  • 1篇田牧
  • 1篇戴鑫
  • 1篇魏汝省
  • 1篇范云
  • 1篇张磊

传媒

  • 4篇电子工艺技术
  • 1篇电子工业专用...

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
大直径半绝缘4H-SiC单晶生长及表征被引量：5
2012年
采用升华法稳定地生长出7.62 cm半绝缘4H-SiC单晶。通过优化钒掺杂工艺获得了均匀分布的电阻率1011Ω·cm。用激光拉曼光谱仪对晶片进行扫描,结果表明SiC单晶晶型为4H晶型。半绝缘4H-SiC单晶微管密度最好结果小于2 cm-2。用高分辨X射线衍射术表征了7.62 cm 4H-SiC单晶衬底片的结晶质量,(0004)衍射摇摆曲线半峰宽为40",说明晶体结晶性较好。
王英民毛开礼徐伟侯晓蕊王利忠姜志艳
关键词：半绝缘4H-SIC
生长界面对掺钒SiC电阻率的影响被引量：1
2016年
碳化硅(SiC)单晶多采用物理气相传输(PVT)法及籽晶顶置工艺生长,典型的生长界面包括略凹、近平微凸、略凸三种生长界面,在100 mm(4英寸)掺钒(V)半绝缘4H-SiC单晶生长过程中,需要研究不同生长界面对SiC单晶电阻率的影响,得到合适的生长界面。在近似的生长条件下,采用略凹、近平微凸、略凸三种生长界面生长出100 mm掺V半绝缘4H-SiC单晶,加工后进行了电阻率测试、应力等测试,结果表明近平微凸生长界面易于调整掺杂浓度,晶体缺陷少,适合生长电阻率均匀的掺V半绝缘4H-Si C单晶,且晶体出片率高。
戴鑫王英民毛开礼王利忠徐伟李斌
关键词：4H-SIC电阻率应力
15.24cm(6英寸)高纯半绝缘4H-SiC单晶生长被引量：1
2016年
SiC单晶是第三代半导体核心材料之一,具有宽带隙、高热导率、高临界击穿电场和高电子饱和迁移速率等,特别适合制作高密度集成的微电子器件和工作在高温、高频、高压、大功率和强辐射等极端条件下功率电子器件[1-3]。基于SiC单晶衬底制备的GaN/SiCHEMT微波器件主要应用于军事领域,为了克服与衬底材料有关的寄生电容引起的信号损失,必须采用绝缘或者半绝缘衬底,
王英民魏汝省李斌徐伟王利忠范云张磊
关键词：半绝缘单晶生长功率电子器件微电子器件高热导率第三代半导体
籽晶粘接工艺对SiC单晶生长质量的影响被引量：3
2011年
空洞等缺陷是SiC晶体生长中常见的缺陷之一。通过改进SiC籽晶粘接工艺,在SiC籽晶和籽晶托之间形成致密层,有效抑制了空洞缺陷的产生,改善了SiC晶体的结晶质量。采用该工艺生长的SiC晶体内已观察不到空洞缺陷,微管密度也得到抑制,晶体半峰宽40″,结晶质量良好。
毛开礼徐伟王英民田牧王利忠
关键词：SIC单晶
退火对掺钒半绝缘4H-SiC晶片质量影响的研究
2013年
通过物理气相传输(PVT)法成功地生长出直径大于7.62 cm的掺钒半绝缘4H-SiC晶体。抛光后的掺钒半绝缘4H-SiC晶片在真空且温度1 600℃～2 000℃条件下进行退火处理,利用高分辨X-ray衍射仪、显微拉曼光谱仪、非接触电阻率测试仪和应力仪对退火前后的晶片进行了测试与分析,研究了退火工艺对掺钒半绝缘4H-SiC晶片应力的影响,并且得到了合适的退火工艺。结果表明:合适的退火处理有利于进一步提高晶片的质量。
王利忠王英民李斌毛开礼徐伟侯晓蕊
关键词：退火应力
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