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徐伟

作品数：13 被引量：48H指数：5
供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
发文基金：国家自然科学基金山西省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学化学工程电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇中文期刊文章

领域

  • 5篇理学
  • 4篇化学工程
  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇半绝缘
  • 4篇4H-SIC
  • 3篇单晶
  • 3篇金刚石
  • 3篇刚石
  • 3篇SIC
  • 2篇单晶生长
  • 2篇应力
  • 2篇碳化硅
  • 2篇翘曲度
  • 2篇晶片
  • 2篇粉料
  • 2篇高纯
  • 1篇大直径
  • 1篇第三代半导体
  • 1篇电源
  • 1篇电源技术
  • 1篇电子器件
  • 1篇电阻率
  • 1篇星座

机构

  • 12篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 13篇徐伟
  • 12篇王英民
  • 7篇毛开礼
  • 6篇李斌
  • 5篇王利忠
  • 3篇侯晓蕊
  • 3篇何超
  • 2篇姜志艳
  • 2篇田牧
  • 2篇马康夫
  • 2篇魏汝省
  • 1篇周立平
  • 1篇戴鑫
  • 1篇张伟
  • 1篇范云
  • 1篇张磊

传媒

  • 8篇电子工艺技术
  • 2篇电子工业专用...
  • 1篇工业设计
  • 1篇超硬材料工程
  • 1篇先进小卫星技...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2017
  • 5篇2016
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
金刚石多线切割设备在SiC晶片加工中的应用被引量：10
2012年
介绍了金刚石多线切割设备的原理,并采用直径为250μm的金刚石线进行切割工艺实验。使用不同的工艺参数,比较了不同工艺参数对晶片TTV(整体厚度偏差)的影响,给出了实验比较结果,通过改变工艺参数可以使各切割片的TTV控制在25μm之内。
徐伟王英民毛开礼姜志艳周立平
关键词：线切割SIC
金刚石多线切割工艺对高纯4H-SiC晶片翘曲度的影响被引量：4
2017年
描述了高纯SiC晶体材料的加工方法,分析了金刚石多线各种切割工艺对高纯SiC晶体的切割效果及效率的影响,并基于金刚石切割SiC晶体的理论依据,结合各种工艺试验数据及切割片数据,总结出相对稳定的工艺条件,并在这类工艺条件下,得出较低翘曲度的高纯SiC晶片,满足下游客户的要求,采用TROPEL FM-100平坦度测试仪分析各种切割工艺条件下的高纯100 mm 4H-SiC切割片表面形貌。
徐伟王英民何超靳霄曦谷晓晓
关键词：翘曲度
大直径半绝缘4H-SiC单晶生长及表征被引量：5
2012年
采用升华法稳定地生长出7.62 cm半绝缘4H-SiC单晶。通过优化钒掺杂工艺获得了均匀分布的电阻率1011Ω·cm。用激光拉曼光谱仪对晶片进行扫描,结果表明SiC单晶晶型为4H晶型。半绝缘4H-SiC单晶微管密度最好结果小于2 cm-2。用高分辨X射线衍射术表征了7.62 cm 4H-SiC单晶衬底片的结晶质量,(0004)衍射摇摆曲线半峰宽为40",说明晶体结晶性较好。
王英民毛开礼徐伟侯晓蕊王利忠姜志艳
关键词：半绝缘4H-SIC
金刚石多线切割材料去除率对SiC晶片翘曲度的影响被引量：3
2016年
文章分析了SiC硬脆材料加工方法,建立了金刚石多线切割SiC晶体的材料去除率模型,并基于Matlab计算已知条件下的材料去除率随时间变化的规律,根据材料去除率模型进行切割试验,得出材料去除率对SiC晶片翘曲度的影响,采用TROPEL FM-100平坦度测试仪分析SiC切割片表面形貌。
徐伟王英民何超
关键词：材料去除率翘曲度
高真空下合成生长单晶用高纯碳化硅粉料被引量：6
2017年
采用自蔓延法合成单晶生长用高纯SiC粉料,特别地,将β-SiC合成过程放在高真空下进行,随后利用所合成的碳化硅粉料进行了碳化硅单晶生长。利用XRD、Raman光谱、SIMS(二次离子质谱仪)和非接触式电阻率测试仪等测试手段对合成粉料的物相、晶型以及碳化硅单晶的纯度和电阻率等参数进行了表征。研究发现,将β-SiC合成过程放在高真空下进行,有助于高纯SiC粉料纯度的提升,特别是N浓度的降低。此外,高真空条件下合成的高纯碳化硅粉料有利于高纯半绝缘碳化硅单晶生长。
李斌马康夫王英民魏汝省毛开礼徐伟
关键词：高真空碳化硅粉料
星座电源技术的发展及趋势
2024年
轻量化、高比能、高效率、智能化及小型化是未来大规模卫星星座电源系统的发展方向,尤其是与结构、机构及太阳电池阵的一体化融合设计.从空间电源系统技术、空间发电技术、空间电源储能技术和空间电源供配电技术4个方面论述了国内外空间电源技术的发展现状.同时分别对电源系统的不同拓扑架构在能源利用率上的优劣势进行了对比,并对高效发电、高比能储能及智能化供配电等先进技术进行了介绍和比较.研究结果对未来航天电源的设计具有一定参考意义.
徐伟鲁伟张伟黄洪昌
关键词：高比能智能化
温度对碳化硅粉料合成的影响被引量：4
2012年
采用高温合成方法生成了高纯碳化硅(SiC)粉。采用高纯碳(C)粉和硅(Si)粉直接反应,不需外加添加剂,通过控制外部加热使Si和C持续反应。实验结果表明,在相同反应时间条件下,不同加热温度对生成的SiC粉料的粒度和纯度有很大影响。当反应温度从1 920℃升高到1 966℃时,生成的SiC粉粒度由12.548μm增加到29.259μm。当温度继续升高,SiC粉的粒度逐渐减小。温度高于2 000℃时,SiC粉的粒度趋于约20μm。同时,X射线衍射图分析表明,温度高于2 000℃时,生成的SiC粉料中C比例会明显增加。
田牧徐伟王英民侯晓蕊毛开礼
关键词：碳化硅温度粒度
SiC晶片加工技术现状与趋势被引量：6
2016年
SiC单晶材料作为第三代半导体衬底材料,在制作高频、大功率电子器件等领域有着广泛的应用前景,而SiC加工技术对制作衬底材料起到决定作用。介绍了SiC国内外加工技术的研究现状,分析和对比了切割、研磨、抛光加工工艺的机理及晶片平整度、粗糙度的变化趋势,并指出SiC单晶片加工过程中存在的问题和未来的发展趋势。
何超王英民李斌徐伟郝唯佑
关键词：平整度粗糙度
15.24cm(6英寸)高纯半绝缘4H-SiC单晶生长被引量：1
2016年
SiC单晶是第三代半导体核心材料之一,具有宽带隙、高热导率、高临界击穿电场和高电子饱和迁移速率等,特别适合制作高密度集成的微电子器件和工作在高温、高频、高压、大功率和强辐射等极端条件下功率电子器件[1-3]。基于SiC单晶衬底制备的GaN/SiCHEMT微波器件主要应用于军事领域,为了克服与衬底材料有关的寄生电容引起的信号损失,必须采用绝缘或者半绝缘衬底,
王英民魏汝省李斌徐伟王利忠范云张磊
关键词：半绝缘单晶生长功率电子器件微电子器件高热导率第三代半导体
生长单晶用SiC粉料合成工艺研究进展被引量：10
2016年
Si C以其优异的物理化学性能在很多领域都有着广泛的应用前景,做为第三代半导体材料,Si C单晶是制作高频、大功率电子器件的理想材料。针对用于单晶生长的高纯Si C粉料的合成方法与合成工艺的研究现状进行了阐述,并对不同合成方法优缺点进行了评述,不同合成工艺对合成产物的影响进行了总结,提出了生长单晶用Si C粉料的研究方向。
马康夫王英民李斌徐伟
关键词：SIC粉料
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