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李文

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 3篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 5篇信道
  • 5篇网络
  • 4篇信道利用率
  • 4篇吞吐
  • 4篇吞吐量
  • 4篇网络吞吐量
  • 2篇数据帧
  • 2篇素数
  • 2篇通信
  • 2篇通信开销
  • 2篇通信系统
  • 2篇周期时长
  • 2篇最大公约数
  • 2篇网络冲突
  • 2篇无线
  • 2篇无线传感
  • 2篇无线传感器
  • 2篇无线传感器网
  • 2篇无线传感器网...
  • 2篇无线通信

机构

  • 12篇西安电子科技...

作者

  • 12篇李文
  • 6篇沈中
  • 3篇张进成
  • 3篇许晟瑞
  • 3篇郝跃
  • 2篇李培咸
  • 2篇毕臻
  • 2篇李俊
  • 2篇王学炜
  • 1篇吕玲
  • 1篇马晓华
  • 1篇张春福
  • 1篇陈大正

年份

  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2011
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
移动自组织网络中基于BLE的邻节点发现协议研究
在重大自然灾害过后，基础通信设施基本瘫痪，灾区内的人们可以通过移动自组织网络在短时间内建立起通信网络协调开展救援工作，而邻节点间的相互发现是移动自组织网络能够提供服务的前提。在基于BLE(BluetoothLowEner...
李文
关键词：移动自组织网络
一种无线传感器网络中基于快速回复ACK的数据传输方法
本发明属于无线通信技术领域，公开了一种无线传感器网络中基于快速回复ACK的数据传输方法，在初始化阶段，节点建立邻节点信息表；初始化结束后，节点处于休眠/唤醒的占空比工作模式，在每次唤醒后以接收方的身份进入网络，将无线收发...
沈中周丽芝徐可可李文
文献传递
基于高空平台的高速OFDM传输系统的设计与实现
OFDM作为一种可以有效对抗多径干扰的高效传输技术,已引起了人们的广泛关注。平流层高空平台通信系统有着独特的优点,在无线通信领域具有广泛的应用前景。本文主要研究了基于高空平台的高速OFDM传输系统的设计与实现。 ...
李文
关键词：OFDM信道估计FPGA
文献传递
渐变Al组分AlGaN/GaN肖特基二极管及其制备方法
本发明公开了一种渐变Al组分AlGaN/GaN异质结肖特基势垒二极管的制备方法，主要解决现有肖特基二极管的二维电子气浓度低的问题。其自下而上包括：衬底、重掺杂n型非极性GaN外延层和轻掺杂n型AlGaN层，且重掺杂n型非...
许晟瑞王学炜郝跃张进成毕臻艾丽霞李文吕玲
文献传递
无线通信系统中一种基于功率分配的网络冲突解决方法
本发明属于功率管理技术领域，公开了无线通信系统中一种基于功率分配的网络冲突解决方法，网络中的每个节点启动时，经过一个初始化阶段，建立邻节点信息表；初始化结束后，节点根据本发明提出的功率分配方法，为其邻节点分配竞争信道的功...
沈中周丽芝李文
文献传递
基于周期长度的最大公约数的邻居发现方法
本发明公开了一种基于周期长度的最大公约数的邻居发现方法。本发明方法的具体步骤为：步骤1，获得基础周期时长集合；步骤2，设置每个节点的基础周期时长和超周期时长；步骤3，设置每个节点的工作模式；步骤4，节点发现其邻居节点。本...
沈中李俊李文马耀中
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基于r面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>图形衬底的β-Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜制作方法
本发明公开了一种基于r面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜，主要解决现有技术薄膜位错密度高，薄膜质量差，器件迁移率低的问题。其自下而...
许晟瑞李文陈大正朱家铎张雅超李培咸张进成郝跃
文献传递
无线通信系统中一种基于功率分配的网络冲突解决方法
本发明属于功率管理技术领域，公开了无线通信系统中一种基于功率分配的网络冲突解决方法，网络中的每个节点启动时，经过一个初始化阶段，建立邻节点信息表；初始化结束后，节点根据本发明提出的功率分配方法，为其邻节点分配竞争信道的功...
沈中周丽芝李文
一种无线传感器网络中基于快速回复ACK的数据传输方法
本发明属于无线通信技术领域，公开了一种无线传感器网络中基于快速回复ACK的数据传输方法，在初始化阶段，节点建立邻节点信息表；初始化结束后，节点处于休眠/唤醒的占空比工作模式，在每次唤醒后以接收方的身份进入网络，将无线收发...
沈中周丽芝徐可可李文
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基于Al2O3和Ga2O3衬底外延GaN薄膜研究
由于宽的禁带宽度(3.39eV)和高的击穿电场，作为第三代化合物半导体的代表，氮化镓(GaN)在高功率和高频器件上已经显示出巨大的应用潜力;同时三（四）元氮化物合金的禁带宽度随着组分的变化是可以连续调节的，T=300K情...
李文
关键词：氮化镓薄膜蓝宝石氧化镓
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