徐晓华
- 作品数：9 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 高击穿电压的高电子迁移率晶体管
- 一种高击穿电压的高电子迁移率晶体管，包括：一缓冲层，用来抑制衬底杂质的扩散和吸收衬底缺陷；一空穴收集层，制作在缓冲层上，用于收集离化的空穴；一二维电子气量子阱，制作在空穴收集层上，用于提供高浓度高迁移率的电子；一隔离层，...
- 徐晓华倪海桥牛智川贺正宏王建林
- 文献传递
- 高击穿电压的高电子迁移率晶体管
- 一种高击穿电压的高电子迁移率晶体管，包括：一缓冲层，用来抑制衬底杂质的扩散和吸收衬底缺陷；一空穴收集层，制作在缓冲层上，用于收集离化的空穴；一二维电子气量子阱，制作在空穴收集层上，用于提供高浓度高迁移率的电子；一隔离层，...
- 徐晓华倪海桥牛智川贺正宏王建林
- 文献传递
- 气态束源炉瞬态开关控制真空装置
- 一种气源炉瞬态开关控制真空装置，包括：一不锈钢超高真空腔体；一气动阀，与不锈钢超高真空腔体的一端连接；一气态束源炉，安装在不锈钢超高真空腔体内；一气动阀门，与不锈钢超高真空腔体的中段连接；一真空泵，与气动阀门的另一端连接...
- 牛智川倪海桥徐晓华徐应强张纬韩勤吴荣汉
- 文献传递
- 高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法
- 一种高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构，其中包括：一过渡层，在衬底表面形成完整晶体表面；一第一势垒层，形成对载流子的能量势垒，该第一势垒层制作在过渡层上面；一量子阱层，起到将发光载流子限制在该层内的作用，该量子阱层制作在势垒...
- 牛智川徐晓华倪海桥徐应强韩勤吴荣汉
- 文献传递
- (GaAsSb-InGaAs)/GaAs双层复合量子阱的分子束外延生长与器件应用
- 该论文的工作主要是围绕着以GaAsSb材料为基础的,(GaAsSb-InGaAs)/GaAs双层复合量子阱的MBE生长和器件应用展开.主要内容包括:(1)深入研究了(GaAsSb-InGaAs)/GaAs双层复合量子阱的...
- 徐晓华
- 分子束外延生长的(GaAs_(1-x)Sb_x In_yGa_(1-y)As)GaAs量子阱光致发光谱研究被引量：1
- 2005年
- 报道了(GaAs1-xSbx InyGa1-yAs)GaAs量子阱结构的分子束外延生长与光致发光谱研究结果.变温与变激发功率光致发光谱的研究表明了此结构为二型量子阱发光性质.讨论了光谱双峰结构的跃迁机制.通过优化生长条件,获得了室温1.31μm发光.
- 徐晓华牛智川倪海桥徐应强张纬贺正宏韩勤吴荣汉江德生
- 关键词：分子束外延
- 气态束源炉瞬态开关控制真空装置
- 一种气源炉瞬态开关控制真空装置，包括：一不锈钢超高真空腔体；一气动阀，与不锈钢超高真空腔体的一端连接；一气态束源炉，安装在不锈钢超高真空腔体内；一气动阀门，与不锈钢超高真空腔体的中段连接；一真空泵，与气动阀门的另一端连接...
- 牛智川倪海桥徐晓华徐应强张纬韩勤吴荣汉
- 文献传递
- GaAs基GaAsSb/GaInAs双层量子阱的发光
- 2005年
- 嵌入GaAs中的GaAsSb/GaInAs量子阱因其在1.3～1.5 μm光通信波段发光的潜力而受到关注,我们研究了一系列MBE生长的GaAsSb/GaInAs量子阱样品的光致发光,发现所有样品在室温下都出现了一个较强的、波长在1.3 μm附近的低能峰和一个较弱的高能峰.变温及变激发功率的荧光谱测量研究发现,高能峰只有在150 K以上的测试条件下才能观测到,并且其相对强度随着温度的升高而增加,其调制光谱显示出第一类跃迁的特征.他们建立了理论模型,计算的结果支持将这一发光峰指派为GaInAs层内电子的基态与重空穴激发态间的跃迁,并与实验数据吻合得很好.同时初步讨论了改善1.3μm的低能峰发光的方法.
- 屈玉华江德生边历峰孙征牛智川徐晓华
- 关键词：光致发光
- N,Sb和单分子层数对GaAs/GaInNAsSb超晶格性能的影响被引量：5
- 2004年
- 用Keating的价力场 (valenceforcefield)模型和蒙特卡罗方法计算了GaAs GaInNAsSb超晶格中键的分布、原子的精确位置以及应变 .用折叠谱法 (foldedspectrummethod)结合Williamson经验赝势法计算了GaAs GaInNAsSb超晶格应变条件下的电子结构 .讨论了N和Sb原子以及超晶格单分子层数对电子结构的影响 .发现导带底电子态在N原子周围的局域化减小了光跃迁矩阵元 ,从而影响了该超晶格的发光性能 .计算并讨论了超晶格的电子和空穴的有效质量 .
- 倪海桥徐晓华张纬徐应强牛智川吴荣汉
- 关键词：电子性能蒙特卡罗模拟砷化镓材料
