张伟丽
- 作品数：21 被引量：59H指数：6
- 供职机构：上海大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金上海市教育发展基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 掺氮类金刚石薄膜激光退火的Raman光谱研究被引量：6
- 2001年
- 采用功率密度分别为 30 0、75 0和 15 0 0W /mm2 的氩离子激光器 ,对由射频等离子化学气相沉积 (RF CVD)法制备的掺氮类金刚石薄膜进行了激光退火处理。并用傅立叶红外吸收光谱和显微Raman等手段 ,对所得样品进行了研究。结果表明 :C—N键比C—H键更为稳定 ,一方面氮原子的引入制约了C—H键的生成 ,在激光退火中减少了因C—H键分解而引起薄膜的石墨化 ;另一方面生成的C—N键不易受热分解 ;因此随着氮含量的增加 ,薄膜中C—N成分增加 。
- 居建华夏义本张伟丽王林军史伟民黄志明李志锋郑国珍汤定元
- 关键词：类金刚石薄膜激光退火拉曼光谱
- 类金刚石薄膜对多孔硅发光的钝化作用
- 2002年
- 介绍了类金刚石薄膜对多孔硅发光的钝化作用．类金刚石薄膜隔绝了外界对多孔硅表面的影响,使硅氢键不易断裂,从而减少了非辐射复合中心,稳定了多孔硅的发光性能．通过在类金刚石薄膜中掺氮还可以进一步提高钝化效果,因为氮使多孔硅表面更多的悬空键被钝化形成Ｓｉ—Ｎ键,从而提高了发光强度．
- 范轶敏居建华张伟丽夏义本王志明方志军王林军
- Al_2O_3陶瓷衬底碳离子预注入对金刚石薄膜应力的影响研究被引量：9
- 2003年
- 通过对Al2 O3陶瓷衬底进行碳离子预注入 ,大大降低了Al2 O3陶瓷衬底上金刚石薄膜的应力 ,且金刚石薄膜中的压应力随碳离子注入剂量的增加而线性下降 .通过对Al2 O3陶瓷衬底注入前后的对比分析表明 ,高能量的碳离子注入Al2 O3陶瓷衬底以后 ,并没有产生过渡层性质的新相 ,而是大量累积在Al2 O3晶格的间隙位 ,使Al2 O3晶格发生畸变 .而且 ,随着碳离子注入剂量的增加 ,Al2 O3基体内晶格畸变加剧 ,注入层残余压应力也随之上升 .当金刚石薄膜沉积以后 ,在降温的过程中衬底这部分残余应力得到释放 。
- 方志军夏义本王林军张伟丽马哲国张明龙
- 关键词：金刚石薄膜三氧化二铝陶瓷离子注入基片
- 系统压强对微波等离子体化学气相沉积金刚石成核的影响(英文)被引量：1
- 2001年
- 为了在氧化铝上制备 (100)定向织构的金刚石薄膜，必须先提高金刚石的成核密度。在微波 等离子体化学气相沉积（ MPCVD）系统中，采用低压成核的方法，在氧化铝陶瓷上沉积出高成核密 度的金刚石薄膜。扫描电镜显示其成核密度可达 108 cm－ 2。在此基础上，沉积出（ 100）织构的金 刚石薄膜。
- 王志明夏义本杨莹方志军王林军居建华张伟丽范轶敏
- 关键词：MPCVD金刚石膜氧化铝气体压力
- 掺氮类金刚石薄膜的微观结构和红外光学性能研究被引量：10
- 2001年
- 采用俄歇电子能谱、原子力显微镜、拉曼散射分析、傅里叶红外光谱和红外椭圆偏振光谱等设备 ,对射频等离子增强化学气相沉积法制备的掺氮类金刚石薄膜的微观结构和红外光学性能进行了研究 .结果表明 ,薄膜中氮含量随工艺中氮气 /甲烷流量比的增加而增加并趋于饱和 .光谱中 CH键吸收峰 (2 85 9～ 310 0 cm- 1 )逐渐消失 ,而且 CNH键(16 0 0 cm- 1 )、C≡ N键 (2 2 0 0 cm- 1 )和 NH键 (32 5 0 cm- 1 )对应的红外吸收峰强度随氮含量的增加而增加 .拉曼散射中G峰向小波数方向位移和峰值展宽的现象说明薄膜中形成了非晶的氮化碳结构 ,与原子力显微镜显示的薄膜中富氮的非晶纳米颗粒相对应 .偏振光谱分析认为 ,富氮纳米颗粒的存在导致了薄膜在红外波段折射率由 1.8降低到 1.
- 居建华夏义本张伟丽王林军史为民黄志明李志锋郑国珍汤定元
- 关键词：掺氮类金刚石薄膜微观结构化学沉积
- 生长条件和退火对金刚石薄膜光学性质的影响被引量：3
- 2003年
- 提出一种分析微波等离子体化学气相沉积工艺条件对金刚石薄膜的组成和光学性质影响的方法。采用红外椭圆偏振光谱仪来分析Si衬底上金刚石薄膜的组成和光学性质 ,研究微波等离子体化学气相沉积法生长条件和退火工艺对金刚石薄膜的消光系数和折射率的影响。实验表明金刚石薄膜中存在C -H、C =C、O -H和C =O键 ,生长条件对薄膜中C -H和C =C键的含量及薄膜的折射率影响较大 ;薄膜经过退火后薄膜的光学性质得到明显改善。
- 马哲国夏义本王林军方志军张伟丽张明龙
- 关键词：金刚石薄膜光学性质退火
- 掺氮类金刚石薄膜的性能和应用研究
- 类金刚石(a-C:H)薄膜具有极高的电阻率、电绝缘强度和热导率,良好的光学性能,特别是红外和微波频段的高透过率,因此,具有极广泛的应用前景.掺氮类金刚石薄膜(a-C:H(N)),既能改善其导电性能,又能降低内应力和提前附...
- 张伟丽
- 关键词：掺氮类金刚石薄膜微观结构电学性能光学性能
- 文献传递
- 不同掺氮量的类金刚石薄膜的电导性能被引量：4
- 2003年
- 研究了不同含氮量的类金刚石薄膜 (DLC∶N)的导电性能 ,发现随着氮含量的增加 ,薄膜的电导率增加较缓 ,当氮含量达到一定值 (12 .8at % )后 ,薄膜电导率反而随氮含量的继续增加而下降。将薄膜在 30 0℃下退火 30min ,结果表明低掺氮的薄膜退火后导电性能有了较大的提高 ,而高掺氮的薄膜退火后电导率有所下降。Raman和XPS光谱研究表明 ,当薄膜中的氮含量达到一定值后 ,在薄膜中会出现非导电 (a CNx)的成分 ,因此高掺杂的类金刚石薄膜的电导率下降。FTIR光谱表明 ,充当施主杂质中心的氮原子在薄膜退火过程中存在被“激活”的现象 ,从而提高了电导率。因此氮对高掺杂和低掺杂薄膜导电性能的影响是不同的。
- 张伟丽夏义本居建华王林军方志军张明龙
- 关键词：掺氮类金刚石薄膜退火效应氮含量
- 一种适合微条气体室探测器的理想衬底材料
- 2004年
- 微条气体室 (Micro stripGasChamber,MSGC)探测器最严重的问题是电荷积累效应 ,通过选择合适的衬底材料可以有效的避免 .为此 ,D2 6 3玻璃上沉积类金刚石 (Diamond likeCarbon ,DLC)膜来进行表面改性 ,从而制备DLC膜 D2 6 3玻璃双层结构作为MSGC衬底 .拉曼光谱说明DLC膜是由sp3 (σ键 )和sp2 (π键 )杂化碳原子组成 ,属于电子导电型材料 ,并且沉积出的是一种高质量的DLC膜 ;I V曲线表明DLC膜改性后的样品具有非常稳定和理想的电阻率 ,其值在 10 9— 10 12 Ω·cm间 ;C F曲线显示改性后样品具有小而稳定的电容 .DLC膜 D2 6 3玻璃的优良性能正是MSGC衬底的最佳要求 ,这种新型材料用作衬底将有效克服电荷积累效应和衬底不稳定性 .
- 张明龙夏义本王林军张伟丽
- 关键词：类金刚石膜衬底材料拉曼光谱高能物理实验
- 类金刚石薄膜/HgCdTe晶体界面应力的有限元分析
- 采用有限元分析方法,通过改变薄膜的厚度、沉积温度以及加载与否,研究了类金刚石薄膜与碲镉汞衬底界面处应力分布。结果表明:当薄膜杨氏模量大于基底杨氏模量时,界面处薄膜von mises应力随薄膜厚度的增加而减少;DLC膜的应...
- 居建华夏义本张伟丽余璐王林军史为民
- 关键词：类金刚石薄膜应力有限元
- 文献传递
