方志军
- 作品数：17 被引量：45H指数：4
- 供职机构：上海大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金上海市青年科技启明星计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- 金刚石膜/氧化铝陶瓷复合材料的介电特性和热学性能研究被引量：12
- 2004年
- 研究了金刚石膜/氧化铝陶瓷复合材料作为超高速、大功率集成电路封装基板材料的可行性。采用电容法测量了复合材料的介电性质,结果表明在氧化铝上沉积金刚石膜,能有效降低基片材料的介电系数。碳离子预注入处理使介电损耗降低(从5×10-3降低到2×10-3),且频率稳定性更好。金刚石膜的沉积可明显提高基片的热导率,随着薄膜厚度的增加,复合材料的热导率单调递增。当薄膜厚度超过100μm时复合材料的介电系数下降到6.5、热导率上升至3.98W/cm·K,热导率接近氧化铝的20倍。
- 王林军方志军张明龙沈沪江夏义本
- 关键词：金刚石膜氧化铝陶瓷集成电路封装基板
- Al_2O_3陶瓷衬底碳离子预注入对金刚石薄膜应力的影响研究被引量：9
- 2003年
- 通过对Al2 O3陶瓷衬底进行碳离子预注入 ,大大降低了Al2 O3陶瓷衬底上金刚石薄膜的应力 ,且金刚石薄膜中的压应力随碳离子注入剂量的增加而线性下降 .通过对Al2 O3陶瓷衬底注入前后的对比分析表明 ,高能量的碳离子注入Al2 O3陶瓷衬底以后 ,并没有产生过渡层性质的新相 ,而是大量累积在Al2 O3晶格的间隙位 ,使Al2 O3晶格发生畸变 .而且 ,随着碳离子注入剂量的增加 ,Al2 O3基体内晶格畸变加剧 ,注入层残余压应力也随之上升 .当金刚石薄膜沉积以后 ,在降温的过程中衬底这部分残余应力得到释放 。
- 方志军夏义本王林军张伟丽马哲国张明龙
- 关键词：金刚石薄膜三氧化二铝陶瓷离子注入基片
- 金刚石薄膜的红外椭圆偏振光谱研究被引量：10
- 2004年
- 采用红外椭圆偏振光谱对微波等离子体化学气相沉积法 (MPCVD)和热丝化学气相沉积法 (HFCVD)制备的金刚石薄膜在红外波长范围 (2 5— 1 2 5 μm )的光学参数进行了测量 .建立了不同的光学模型 ,且在模型中采用Bruggeman有效介质近似方法综合考虑了薄膜表面和界面的椭偏效应 .结果表明 ,MPCVD金刚石膜的椭偏数据在模型引入了厚度为 77 5nm的硅表面氧化层、HFCVD金刚石膜引入 879nm粗糙层之后能得到很好的拟合 .最后对两种模型下金刚石薄膜的折射率和消光系数进行了计算 。
- 沈沪江王林军方志军张明龙杨莹汪琳夏义本
- 关键词：金刚石薄膜光学参数
- 生长条件和退火对金刚石薄膜光学性质的影响被引量：3
- 2003年
- 提出一种分析微波等离子体化学气相沉积工艺条件对金刚石薄膜的组成和光学性质影响的方法。采用红外椭圆偏振光谱仪来分析Si衬底上金刚石薄膜的组成和光学性质 ,研究微波等离子体化学气相沉积法生长条件和退火工艺对金刚石薄膜的消光系数和折射率的影响。实验表明金刚石薄膜中存在C -H、C =C、O -H和C =O键 ,生长条件对薄膜中C -H和C =C键的含量及薄膜的折射率影响较大 ;薄膜经过退火后薄膜的光学性质得到明显改善。
- 马哲国夏义本王林军方志军张伟丽张明龙
- 关键词：金刚石薄膜光学性质退火
- 类金刚石薄膜对多孔硅发光的钝化作用
- 2002年
- 介绍了类金刚石薄膜对多孔硅发光的钝化作用．类金刚石薄膜隔绝了外界对多孔硅表面的影响,使硅氢键不易断裂,从而减少了非辐射复合中心,稳定了多孔硅的发光性能．通过在类金刚石薄膜中掺氮还可以进一步提高钝化效果,因为氮使多孔硅表面更多的悬空键被钝化形成Ｓｉ—Ｎ键,从而提高了发光强度．
- 范轶敏居建华张伟丽夏义本王志明方志军王林军
- 在氧化铝陶瓷上进行金刚石薄膜定向生长的方法
- 本发明述及一种在氧化铝陶瓷上进行金刚石薄膜定向生长的方法，其特征在于采用微波等离子体化学气相沉积法进行金刚石薄膜定向沉积，其工艺步骤如下：a.在未沉积金刚石膜之前，采用碳离子注入处理法<Sup>+</Sup>对氧化铝陶瓷...
- 夏义本王林军方志军莫要武簧晓琴戴雯琦文黎星张文广
- 文献传递
- 不同掺氮量的类金刚石薄膜的电导性能被引量：4
- 2003年
- 研究了不同含氮量的类金刚石薄膜 (DLC∶N)的导电性能 ,发现随着氮含量的增加 ,薄膜的电导率增加较缓 ,当氮含量达到一定值 (12 .8at % )后 ,薄膜电导率反而随氮含量的继续增加而下降。将薄膜在 30 0℃下退火 30min ,结果表明低掺氮的薄膜退火后导电性能有了较大的提高 ,而高掺氮的薄膜退火后电导率有所下降。Raman和XPS光谱研究表明 ,当薄膜中的氮含量达到一定值后 ,在薄膜中会出现非导电 (a CNx)的成分 ,因此高掺杂的类金刚石薄膜的电导率下降。FTIR光谱表明 ,充当施主杂质中心的氮原子在薄膜退火过程中存在被“激活”的现象 ,从而提高了电导率。因此氮对高掺杂和低掺杂薄膜导电性能的影响是不同的。
- 张伟丽夏义本居建华王林军方志军张明龙
- 关键词：掺氮类金刚石薄膜退火效应氮含量
- 系统压强对微波等离子体化学气相沉积金刚石成核的影响(英文)被引量：1
- 2001年
- 为了在氧化铝上制备 (100)定向织构的金刚石薄膜，必须先提高金刚石的成核密度。在微波 等离子体化学气相沉积（ MPCVD）系统中，采用低压成核的方法，在氧化铝陶瓷上沉积出高成核密 度的金刚石薄膜。扫描电镜显示其成核密度可达 108 cm－ 2。在此基础上，沉积出（ 100）织构的金 刚石薄膜。
- 王志明夏义本杨莹方志军王林军居建华张伟丽范轶敏
- 关键词：MPCVD金刚石膜氧化铝气体压力
- 氧化铝衬底上金刚石的厚膜生长及其微电子学应用研究
- 金刚石具有热导率高(20W/cm·K)、介电系数小(5.5-5.7)、介电损耗低和热膨胀系数小(~10<'-6>/K)等优点,是目前电子器件、电路最理想的封装基片和构装基板.但是,天然金刚石面积非常小,且价格昂贵.用金刚...
- 方志军
- 关键词：金刚石膜氧化铝陶瓷化学气相沉积介电系数热导率
- 文献传递
- 掺氮类金刚石薄膜(α-C:H:N)显微结构的研究被引量：4
- 2000年
- 用射频等离子体化学气相沉积法（ＲＦ－ＣＶＤ）和ＣＨ４、Ｎ２与Ａｒ组成的混合气体制备掺氮类金刚石薄膜（ａ－Ｃ： Ｈ： Ｎ）．用原子力显微镜（ＡＦＭ）、俄歇电子能谱（ＡＥＳ）、红外光谱（ＩＲ）以及显微拉曼谱（Ｍｉｃｒｏ－Ｒａｍａｎ）对 ａ－Ｃ： Ｈ：Ｎ薄膜的表面形貌、组分和微观结构进行表征．实验结果表明，薄膜中有纳米量级的颗粒存在，而且随反应气体 中Ｎ２与ＣＨ４比值的增大，薄膜中的氮元素含量也随之增大，并主要以Ｃ—Ｎ键和Ｎ—Ｈ键形式存在，少量以Ｃ＝Ｎ 键形式存在．Ｎ２的掺入使类金刚石薄膜中Ｃ—Ｈ键含量降低，ＳＰ３成份增加，
- 张伟丽居建华夏义本王林军方志军
- 关键词：显微结构类金刚石薄膜掺氮
