阚强
- 作品数：68 被引量：74H指数：5
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 一种优化光子晶体面发射激光器方法
- 一种优化光子晶体面发射激光器方法属于半导体光电子技术领域。所述方法在氧化限制型面发射激光器和二维光子晶体横向耦合基础的上将氧化孔径与光子晶体缺陷孔径纵向匹配耦合。通过优化氧化孔径和光子晶体缺陷孔径的关系，制备氧化孔径比光...
- 徐晨解意洋朱彦旭邓军毛明明魏思民曹田阚强王春霞陈弘达
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- 一种制作纳米压印印章的方法
- 本发明公开了一种制作纳米压印印章的方法，该方法通过电子束曝光在电子束胶上得到纳米图形，利用金属蒸发和电镀的方法将该纳米图形填充后转移到金属表面，然后将带有微纳结构的金属镀膜转移粘附在金属衬底上，得到可重复使用的纳米压印印...
- 刘宏伟阚强王春霞陈弘达
- 光子晶体垂直腔面发射激光器
- 本文介绍了光子晶体垂直腔面发射激光器的制备工艺、工作原理、基本特性和研究进展.光子晶体垂直腔面发射激光器是一种新型的半导体激光器,它具有大出光孔径、较高的出光功率、稳定的单模、多芯传输等特点,而且具有优良的热特性和高速调...
- 鲁琳许兴胜裴为华阚强宋倩陈弘达
- 关键词：光子晶体垂直腔面发射激光器高功率
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- 多孔缺陷匹配型光子晶体面发射激光器
- 本发明属于光电子领域，是多孔缺陷匹配型光子晶体面发射激光器。依次包括有在衬底上依次生长下DBR，有源区，氧化限制层，上DBR和P型欧姆接触层，氧化限制层设有氧化孔；其特征在于：在上DBR和P型欧姆接触层中刻蚀出光子晶体空...
- 徐晨解意洋邓军朱彦旭魏思民毛明明曹田阚强王春霞陈弘达
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- 外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器
- 外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器属于半导体光电子领域。普通的垂直腔面发射半导体激光器存在单程光增益小、多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本发明在器件的有有源区上采用了多有源区结构。同...
- 沈光地徐晨解意洋陈弘达阚强王春霞刘英明王宝强
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- 含有金属纳米颗粒的硅基电致发光器件的制备方法
- 一种含有金属纳米颗粒的硅基电致发光器件的制备方法，包括在硅衬底晶片上生长富硅氮化硅层；采用高温退火的方法，使富硅氮化硅层中的富硅形成纳米晶硅，该富硅氮化硅层变为富含纳米晶硅的氮化硅层；定义发光区域，通过干法刻蚀形成有源区...
- 王春霞高洪生阚强陈弘达
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- 基于缺陷地结构共面波导的激光器
- 本实用新型提供了一种基于缺陷地结构共面波导的激光器，包括：介质层(1)；下表面镀金层(2)，设置在介质层(1)的下表面；上表面镀金层(3)包括两部分，中间设置为信号线(4)，两侧的地线上设置有缺陷，形成缺陷地结构(5)；...
- 王建坤黄永光阚强
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- 表面光栅垂直腔面发射激光器偏振特性研究
- 2022年
- 研究了表面光栅结构对垂直腔面发射激光器(VCSEL)的偏振控制作用。引入表面光栅后,对不同刻蚀深度下的偏振相关的镜面损耗进行了仿真,结果表明表面光栅刻蚀深度在44~130 nm范围内均可实现稳定偏振,具有较大的工艺容差。表面光栅VCSEL在基横模工作状态下偏振抑制比(Orthogonal Polarization Suppression Ratio, OPSR)超过20 dB,偏振光谱峰间偏振抑制比达到40 dB,且在多横模状态也实现了有效的偏振控制。为了进一步验证光栅对偏振控制的效果,制作了方向互相垂直的两种表面光栅,具有这两种方向光栅的VCSEL的OPSR均达20 dB以上。测试分析表明表面光栅是VCSEL实现稳定偏振的一种有效手段。
- 李明李耀斌邱平平颜伟年贾瑞雯阚强
- 关键词：垂直腔面发射激光器偏振控制
- 石墨烯增益耦合分布反馈式硅基混合激光器的制作方法
- 一种石墨烯增益耦合分布反馈式硅基混合激光器的制作方法，包括如下步骤：在SOI片的顶层硅上制作硅波导；在制作完硅波导的SOI片上制作石墨烯选区光栅，形成基片；进行金属剥离，得到键合前的SOI部分；在一衬底上依次外延生长下分...
- 任正良阚强袁丽君潘教青王圩
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- 894 nm高温工作氧化限制型基横模VCSEL研究被引量：2
- 2022年
- 针对芯片原子钟(铯)用激光光源系统对垂直腔面发射激光器(VCSEL)模式及工作温度的需求,研制出可以高温工作的氧化限制型基横模894.6 nm VCSEL。通过缩小VCSEL氧化孔直径至3μm,限制VCSEL高阶横模激射,保证器件基横模低阈值电流工作。通过常温下腔模与材料增益失谐12 nm的结构设计,使器件能够在50~65℃高温时,激射波长对准原子能级且工作模式稳定。实验所制备的VCSEL在工作温度为55℃、注入电流1.8 mA时,激射波长达到894.6 nm,边模抑制比(SMSR)大于35 dB,基横模功率为0.75 mW,具有11.4°的远场发射角。当温度为65℃时,器件SMSR大于25 dB,基横模功率大于0.1 mW。该高温基横模工作的VCSEL在芯片原子钟中具有重要的应用前景。
- 王秋华李明邱平平庞伟解意洋阚强徐晨
- 关键词：垂直腔面发射激光器基横模高温铯原子钟
