赵景训
- 作品数：3 被引量：28H指数：2
- 供职机构：大连交通大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：教育部重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程更多>>
- 单分散二氧化硅微球的制备及反应机理被引量：22
- 2010年
- 以Stber法为基础,采用醇作溶剂,通过正硅酸乙酯在氨水催化下水解缩聚和一定的后处理得到了SiO2微球,用透射电子显微镜(TEM)对样品的形貌和粒度进行了表征。结果表明,以甲醇、乙醇和正丁醇为溶剂均可以合成单分散的SiO2微球,而以正丙醇为溶剂合成的SiO2微球容易聚集;在其它条件不变的情况下,球形颗粒的粒径随硅源浓度和氨水浓度的增加而增大,随水浓度的增大粒径变化很小。研究和讨论了SiO2颗粒在不同反应条件下的形成机理。
- 聂鲁美张俊计陈积世吴秀娟赵景训
- 关键词：SIO2微球单分散
- ITO薄膜的制备及其性能研究
- 氧化铟锡(Tin-dope indium oxide,ITO)薄膜做为一种新型材料被应用于诸多领域,其优异的特性引起了各国专家的广泛关注和研究。ITO薄膜具有很多优异的特性,如对可见光透过率可达83%以上、红外反射率超过...
- 赵景训
- 关键词：ITO薄膜光电性能退火
- 文献传递
- 直流脉冲磁控溅射制备ITO薄膜及其光电性能被引量：5
- 2010年
- 利用直流脉冲磁控溅射法在室温下制备ITO薄膜.通过台阶仪、紫外-可见分光光度计、四探针仪等表征技术,研究了沉积气压、溅射功率,以及Ar/O2流量比等对ITO薄膜沉积速率、光学性能,以及电学性能的影响.研究结果表明,薄膜沉积速率随沉积气压的增大而减小,随功率的增大而增大;方块电阻随气压的增大而增大,随功率的增大而减小;可见光平均透过率主要受O2流量的影响.在沉积气压为0.5 Pa,Ar/O2流量比为20∶0,溅射功率为250 W,膜厚为200 nm时,薄膜的方块电阻为27Ω/□,可见光平均透过率为84.1%.
- 柴卫平赵景训王华林丁万昱
- 关键词：ITO薄膜磁控溅射方块电阻
