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作者

  • 15篇王民娟
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  • 3篇周瑞
  • 3篇周瑞
  • 3篇冯震
  • 3篇宋建博
  • 3篇张志国
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年份

  • 1篇2022
  • 1篇2012
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2002
  • 3篇2001
  • 1篇1999
  • 1篇1997
  • 1篇1996
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
24~38GHz GaAs单片低噪声放大器的研制被引量:1
2009年
介绍了24~38GHz低噪声放大器MMIC的研制。分析了微波晶体管放大器的噪声特性,针对噪声系数和增益,利用软件进行电路仿真优化和电磁场分析,设计制作电路版图,在标准3inGaAs工艺线进行工艺制作。采用电子束制作0.20μm"T"形栅,利用选择腐蚀的方法准确控制有源器件的Idss和Vp,微波测试结果为在频带内的噪声系数小于3.8dB,小信号增益大于13dB,增益平坦度小于±0.6dB,输入和输出驻波比小于2∶1,微波性能与NORTHROP GRUMMAN公司的同类产品ALH140C的水平相当。
张秀霞王民娟
关键词:GAAS低噪声放大器电路仿真单片微波集成电路
利用扫描电子显微镜改进GaAs MESFET背面通孔电镀工艺
1996年
利用扫描电子显微镜对GaAsMESFET背面通孔形貌及电镀状况进行了分析,并对电镀工艺进行了改进。给出了大量改善前后的电镜照片图形。
赵永军王民娟李江杜平国
关键词:扫描电子显微镜电镀
利用扫描电镜分析、解决GaAs MMIC制作中的工艺问题
2001年
王民娟张浩周瑞冯震邵璀琦
关键词:GAASMMIC低噪声放大器微波通讯
超宽带低噪声GaAs MMIC
在以各种战术、战略制导武器为主体的新武器技术革命中,军事电子学的重点将转移到毫米波频段。毫米波技术将成为提高下一代武器系统作战能力的重要手段,各种毫米波制导和控制的精确武器将投入使用,战场上将出现一批毫米波雷达和毫米波制...
王民娟
关键词:低噪声GAAS单片放大器行波放大器
文献传递
微波天线可拆卸的电子烟
本发明提供了一种微波天线可拆卸的电子烟,属于电子烟技术领域,包括:针式微波天线、连接器、旋紧螺母以及退烟筒,针式微波天线包括天线座及固设于天线座上的微波天线。连接器包括连接座以及固设于连接座上的置烟筒,置烟筒内设有分隔墙...
吴磊许春良蔡道民刘志军李晓亮王民娟李通邬佳晟陈晓宇谭仁超顾占彪
利用扫描电子显微镜改进GaAsMESFET背面通孔电镀工艺
1997年
本文介绍了利用扫描电子显微镜对GaAsMESFET背面通孔形貌及电镀状况进行了分析.并对电镀工艺进行了改进.给出了大量改善前后的电镜照片图形.
赵永军王民娟李江杜平国
关键词:扫描电子显微镜电镀
20W X波段GaN MMIC的研究被引量:2
2009年
张志国王民娟冯志红周瑞胡志富宋建博李静强蔡树军
关键词:MMIC微波单片集成电路X波段微波功率器件微带电路电路形式
利用扫描电镜分析、解决GaAsMMIC制作中的工艺问题
本文介绍了利用扫描电镜制作低噪声放大器的工艺过程.
王民娟张浩周瑞冯震邵璀琦
关键词:低噪声放大器扫描电镜
文献传递
半导体器件栅凹槽与N<Sup>+</Sup>凹槽自对准加工方法
本发明公开了一种半导体器件栅凹槽与N<Sup>+</Sup>凹槽自对准加工方法,它涉及半导体器件的工艺制备方法。它采用普通的工艺设备,采用一次光刻、两次腐蚀介质的工艺过程,制造得到栅凹槽自动位于N<Sup>+</Sup>...
丁奎章冯震王民娟李岚周瑞张雄文吴阿惠张务永焦艮平邢东
文献传递
高功率、高效率GaN MMIC的研究
本文使用国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料实现了大功率、高效率的GaN HEMT和GaN MMIC。研制的小栅宽器件在频率为8GHz时效率达到60%,利用该器件采用高工作电压,多偏置点提取器件参数技术,建立了基于M...
张志国王民娟崔玉兴马杰李静强宋建博冯志红付兴昌蔡树军
关键词:电路设计
共2页<12>
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