沈亚
- 作品数：20 被引量：63H指数：5
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 一种异面馈电模式的CBCPW与SIW的转换结构
- 2015年
- 介绍了一种共面波导(CBCPW)与基片集成波导(SIW)的转换结构。区别于广泛采用的馈电点在共面的转换结构,该结构采用异面的馈电形式。一种变异的电流探针实现了两种传输线间的能量耦合,在CBCPW中的准TEM模通过它转换成SIW中的TE模。计算机辅助设计优化了该结构。实际制作并测试了一组背靠背的转换结构。测试结果显示在整个有效带宽达36%的频带内转换结构插损小于0.35dB。在同类结构中插损较小。
- 卢瑛沈亮沈亚蒋鹏卢燕
- 关键词：基片集成波导共面波导
- 宽带毫米波微带天线的设计被引量：3
- 2018年
- 设计并实现了一款宽带毫米波微带天线。天线由微带线通过PCB通孔激励中心贴片,中心贴片谐振于45 GHz。放置于中心贴片两侧的两个寄生贴片,通过耦合产生两个在45 GHz附近的谐振频率。适当调整贴片大小,三个谐振频率合成一个宽带。经测试,天线带宽9.9 GHz,带宽比达到22%,与仿真结果基本一致。在此基础上,利用八木天线原理,改变天线尺寸关系,实现了主波束辐射方向偏转控制。
- 周大利周骏杨驾鹏沈亚
- 关键词：微带天线宽带毫米波八木天线PCB板
- C波段单片矢量调制器
- 1993年
- 随着微波单片集成技术的发展。高精度移相器已成为各种微波整机系统的关键技术之一。矢量调制器能在获得连续可变的相移量的同时。又能满足幅度控制、移位精度控制和解决多位数字移相器级联的要求。由于单片集成矢量调制器具有宽带、连续可调、尺寸小和可成批生产的优点,受到人们特别的重视。 矢世调制器的基本原理是利用调节两个相互正交的矢量来改变合成矢量的相位,从而获得连续变化的相移量。由矢量相加运算法则可知。只要使两个相互正交矢量的幅度取适当值,就可在获得连续变化相移量的同时保持输出幅度不变。本文就是基于这一原理,对单片矢量调制器的电路形式、工艺实现方法进行了原理性的研究。 由于双栅FET的第二栅的特殊作用,使它特别适合用于增益控制的宽带放大器。本文采用两个双栅FET可变增益放大器来控制两个相互正交的矢量幅度,而放大器的增益还可用于减少整个电路的插损。在研制初期,为了使电路简化,采用λ/4微带线来得到两个矢量间的90°相位差。矢量的分离和合成用两个Wilkinson同相功分器实现。
- 沈亚过常宁陈克金林金庭
- 关键词：C波段矢量调制器移相器
- 应用SIP技术的宽带板间垂直互连结构被引量：8
- 2012年
- 提出了一种应用SIP技术的宽带低损耗板间垂直互连结构。采用BGA作为上下两层基板微波互连的通道,利用多层PCB技术设计并研制了一个DC-20 GHz板间三维垂直互连过渡结构,该结构在20 GHz内,回波损耗小于-12 dB,插损小于1 dB,该板间过渡结构尺寸为9.2 mm×4 mm×0.8 mm。同时提出了该种过渡结构等效电路模型,仿真结果与实测结果吻合较好。
- 周骏窦文斌沈亚李辉
- 关键词：系统级封装垂直互连
- C波段单片矢量调制器被引量：1
- 1994年
- 报道了Ｃ波段单片矢量调制器的设计和制作。采用双栅场效应晶体管（ＤＧＦＥＴ）放大器作为控制器。偏置电路在芯片内。采用集总薄膜电容、电感、电阻作为匹配元件。采用离子注入、背面通孔接地、空气桥跨接等先进工艺技术。描述了ＤＧＦＥＴ器件Ｓ参数的提取步骤。两路放大器和９０°相移网络制作在３．１５ｍｍ×２．５ｍｍ×０．１ｍｍ的芯片上，同相功分器制作在１．６（１．８）ｍｍ×２．９ｍｍ×０．１ｍｍ的芯片上。电路可获得在０～８７°内连续变化的相移量，输出幅度可控。
- 沈亚过常宁林金庭陈克金
- 关键词：微波元件集成电路矢量调制器移相器
- 新型三维立体集成接收模块设计与实现被引量：12
- 2016年
- 讨论了不同种三维集成技术设计方法,利用LGA结构方式设计上下基板间垂直互连,通过垂直过孔与地平面之间寄生参数的优化,达到高频宽带匹配。设计两通道X波段接收模块,将上述垂直互连结构运用到该模块结构设计中,减小模块体积。该接收模块接收增益大于31dB,噪声系数小于3.5dB,移相精度小于4°,体积仅为24mm×15mm×8mm,封装效率达到100%。
- 周骏周骏沈亚
- 一种T/R组件热场问题的研究被引量：1
- 2015年
- T/R组件的热设计是有源相控阵雷达的核心技术之一。文章提出了针对高密度组件的各种散热措施,采用热仿真软件对T/R组件沟道温度进行仿真研究,并利用红外热分析仪进行测试验证,并将仿真结果与实验结果进行对比,两者结果吻合较好,满足T/R组件的使用要求。
- 周骏刘伟盛重沈亚
- 关键词：T/R组件热设计
- S波段单片四位数控移相器被引量：11
- 1999年
- 描述了Ｓ波段单片四位数字移相器的电路设计、工艺制作和性能。采用集总元件的高通／低通网络构成移相网络和ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ作为开关控制器件，利用南京电子器件研究所标准的离子注入微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）制造工艺，研制出Ｓ波段单片四位数字移相器。该移相器在设计工作频带内１６个移相态具有移相精度高（均方根误差小于１°）、输入输出驻波好（＜１．４）和较低的插入损耗（＜５．５ｄＢ）与插损变化（均方根误差小于０．２ｄＢ）等优良的电特性。芯片尺寸为６．４５ｍｍ×１．４ｍｍ×０．２ｍｍ。
- 沈亚陈继义陈堂胜陈效建林金庭
- 关键词：移相器MMIC
- T/R组件功放芯片瞬态温度响应研究被引量：1
- 2016年
- T/R组件的热设计是有源相控阵雷达的核心技术之一。在脉冲周期状态下,T/R组件中的功放芯片在很短的时间内,芯片沟道温度会产生快速的变化。针对芯片在脉冲周期中的瞬态温度响应问题,对芯片沟道温度的瞬态变化进行仿真研究,并利用红外热分析仪进行测试验证。将仿真结果与实验结果进行对比,两者结果吻合较好,满足T/R组件的使用要求。
- 盛重周骏丁晓明沈亚
- 关键词：热仿真T/R组件
- TSV垂直传输结构的射频特性研究被引量：4
- 2016年
- 作为微波、低频信号垂直传输通路,硅过孔(Through silicon via,TSV)技术是实现射频微系统三维集成的核心技术之一。本文设计并加工了背靠背形式的TSV测试芯片,并使用探针台测试其射频性能。为了提取单个TSV垂直过渡结构的参数,对测试结果进行剥离。首先分析建立带冗余结构的等效电路模型;然后用多线TRL(Through-reflect-line)方法求得冗余结构的参数,代入等效电路模型中求解单个TSV垂直传输结构的传输特性;最后得到的TSV传输特性与仿真结果吻合,验证了剥离结果的合理性。
- 杨驾鹏周骏沈国策吴璟沈亚蔡茂
- 关键词：去嵌入
