彭强祥
- 作品数：23 被引量：3H指数：1
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：工业与信息化部工业与信息化部电子信息产业发展基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺矿业工程更多>>
- 非制冷红外探测器及制备方法
- 非制冷红外探测器及制备方法，属于电子材料与元器件技术领域。本发明包括衬底、热敏感单元，热敏感单元包括热敏感薄膜和电极，热敏感薄膜的厚度为50nm-5um，所述热敏感薄膜的材料为VO<Sub>x1</Sub>，或非晶硅，或...
- 吴传贵蔡光强罗文博彭强祥孙翔宇柯淋张万里王小川
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- 一种氧化硅改性的硫化锌纳米材料的制备方法
- 一种氧化硅改性的硫化锌纳米材料的制备方法，属于无机化学材料技术领域，具体涉及硫化锌纳米材料的制备方法。本发明以醋酸锌为锌源，以硅酸钠或者正硅酸乙酯为硅源，以硫化钠为硫源，采用溶胶－凝胶－水热晶化反应过程制备氧化硅改性的硫...
- 李志洁祖小涛王治国彭强祥
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- 氧化硅稳定的半导体量子点材料的制备及其性质研究
- 纳米科学涉及多学科领域，是材料科学的一个重要分支，纳米量子点在三维尺度上尺寸小，具有量子限域效应，量子尺寸效应，宏观量子隧道效应，介电限域效应，表面效应等特殊效应。这些特殊效应决定了纳米量子点材料与常规材料相比，性质发生...
- 彭强祥
- 关键词：光通讯发光材料光存储透射电镜
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- 一种二氧化锡/氧化硅纳米复合材料的制备方法
- 一种二氧化锡/氧化硅纳米复合材料的制备方法，属于无机化学材料技术领域，具体涉及二氧化锡纳米材料的制备方法。本发明以四氯化锡为锡源，以硅酸钠或者正硅酸乙酯为硅源，采用溶胶-凝胶-水热反应晶化过程制备二氧化锡/氧化硅纳米复合...
- 祖小涛王治国李志洁彭强祥
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- BST薄膜经时击穿的调控方法
- BST薄膜经时击穿的调控方法，属于电子元器件技术领域，本发明包括下述步骤：A、将带有BST薄膜的双电容结构的一个输入电极接地；B、对另一个输入电极施加方波偏压。本发明可以保持BST热释电红外探测器工作在较稳定的漏电流状态...
- 吴传贵蔡光强罗文博彭强祥孙翔宇柯淋张万里王小川
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- 丝网印刷制备大面积多孔PZT热释电厚膜与器件
- 2011年
- 采用丝网印刷法在氧化铝基片上制备了大面积多孔PbZr0.3Ti0.7O3热释电厚膜与单元红外探测器。通过掺入Li2CO3与Bi2O3作为助烧剂,实现了厚膜在850℃下的低温烧结。通过保持合适的孔隙率,将厚膜的相对介电常数降低至原值的1/5以提高材料优值与探测率。厚膜在1 kHz、25℃下的相对介电常数与损耗角正切分别为94与0.017。测试了厚膜相对介电常数与损耗随温度的变化规律,测得其居里温度为425℃。通过动态法测试得到厚膜的热释电系数为0.9×10-8 Ccm-2K-1。使用由斩波器调制的黑体辐射,测得单元器件在8.5~2 217 Hz的电压响应与噪声,计算出器件的探测率为3.4×107~1.7×108cmHz1/2W-1。
- 吴传贵罗一生彭强祥罗文博张万里
- 关键词：丝网印刷厚膜PZT热释电
- 复合材料红外探测器制备方法
- 复合材料红外探测器制备方法，属于电子材料与元器件技术领域。本发明包括下述步骤：1）制备衬底和绝热层，衬底的厚度为0.01-10mm；绝热层的厚度为100nm~50um；2）在绝热层上制备热敏感单元，所述热敏感单元包括热敏...
- 吴传贵蔡光强罗文博彭强祥孙翔宇柯淋张万里
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- 厚膜材料电子元器件及制备方法
- 厚膜材料电子元器件，属于电子材料与元器件技术领域。本发明包括带有凹槽的衬底、阻挡层、底电极、热释电材料和上电极，在上电极和底电极之间，设置有隔离层，上电极跨越隔离层和隔离层下方的底电极，连接到热释电材料。本发明可以有效防...
- 吴传贵陈冲彭强祥曹家强罗文博帅垚张万里王小川
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- 微桥结构PZT厚膜红外探测器研究
- 2011年
- 利用KOH溶液腐蚀结合SF6气体干法刻蚀工艺制备了锆钛酸铅(PbZr0.3Ti0.7O3,PZT)厚膜热释电红外探测器,得到了器件Si基背面完全悬空的微桥绝热结构。使用由斩波器调制的黑体辐射,测试了探测器在低频段的电压响应率、噪声等效功率和探测率等参数。结果表明,探测器在调制频率为5.3 Hz时的电压响应率约为4.5×102V/W;在调制频率为167.3 Hz时,其探测率达7.5×108 cm.Hz1/2/W;PZT厚膜探测器的热时间常数为51 ms,与PZT陶瓷器件相比小约一个数量级,有利于其在高频响应方面的应用。
- 曹家强吴传贵彭强祥罗文博张万里唐治军
- 关键词：PZT厚膜微桥结构探测率
- 基于MEMS工艺的硅基红外辐射源研制
- 2011年
- 利用微机电系统(MEMS)制造工艺制备出了一种硅基红外辐射源。该辐射源采用单晶硅为衬底,通过直流溅射沉积Pt/Ti薄膜,并利用深反应离子刻蚀与湿法腐蚀工艺制备隔离槽和释放支撑层。研究了支撑层厚度对红外辐射源辐射特性的影响。结果表明,随着支撑层厚度的减小,红外辐射源的调制驱动电压会降低。当支撑层厚度为1μm时,辐射源调制频率在50%的调制深度下达13 Hz,其频响特性已基本满足红外传感器系统的应用要求。
- 董晓辉吴传贵罗文博彭强祥唐志军
- 关键词：红外辐射源微机电系统调制深度
