您的位置: 专家智库 > >

叶位彬

作品数:8 被引量:13H指数:2
供职机构:华南理工大学电子与信息学院更多>>
相关领域:一般工业技术理学经济管理电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇会议论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 5篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇经济管理
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇原子层沉积
  • 4篇介质
  • 3篇前驱体
  • 2篇漏电
  • 2篇漏电流
  • 2篇介质膜
  • 1篇三氧化二铝
  • 1篇生长速率
  • 1篇系统设计
  • 1篇介质薄膜
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇计算机
  • 1篇计算机仿真
  • 1篇减反膜
  • 1篇仿真
  • 1篇高反膜
  • 1篇SI(100...
  • 1篇AL2O3
  • 1篇ALD

机构

  • 8篇华南理工大学

作者

  • 8篇叶位彬
  • 5篇黄光周
  • 3篇马国欣
  • 2篇邓婷
  • 2篇罗海燕
  • 1篇申灿

传媒

  • 3篇TFC'07...
  • 2篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2009
  • 5篇2007
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
激光器高反膜镀制工艺研究的新进展
光学薄膜是激光系统的重要组成部分。应用于高功率激光器谐振腔中的反射镜,其反射率的有限值阻碍了激光器输出功率的进一步提高,因此,提高薄膜的反射率尤为关键。高反射率薄膜(high reflectance coating)作为...
邓婷黄光周罗海燕叶位彬
减反膜工艺研究的新进展
减反膜在光学器件、平板显示器、热反射镜、太阳能电池等领域应用非常广泛,在现代光学薄膜生产中占有十分重要的地位,其生产总量超过所有其他光学薄膜。减反膜的研究依赖于其制备工艺,高质量的减反膜有利于其物理的研究和应用的发展。
罗海燕黄光周马国欣叶位彬邓婷
原子层沉积(ALD)系统的研究
1.原子层沉积技术原理原子层沉积(Atomic Layer Deposition)是上世纪70年代,由Suntola提出来,最早的应用是沉积TFEL平板显示器的介质和发光薄膜材料。随着集成电路的发展,在上世纪90年代中期...
叶位彬黄光周朱建明戴晋福
文献传递
高k介质薄膜研究的新进展
目前,高 k 介质薄膜的制备基本上都是采用原子层沉积技术完成的。原子层沉积(Atomic Layer Deposition)在上世纪70年代,由 Suntola 提出来。由于它的沉积速率比不上 CVO(Chemical ...
叶位彬黄光周马国欣
原子层沉积高k介质膜的新进展
本文介绍原子层沉积(ALD)技术的发展背景、特点和原理,阐述发展高k介质的必要性。通过介绍高k介质的特点及其对沉积工艺的要求,说明ALD技术适合于沉积高k介质的原因。着重介绍国际上采用ALD工艺沉积高k介质所取得的最新进...
叶位彬黄光周朱建明戴晋福
关键词:原子层沉积前驱体漏电流
文献传递
原子层沉积系统设计的研究被引量:9
2011年
本文介绍作者自行设计的原子层沉积(ALD)实验系统和所沉积薄膜的检测结果。为了研究ALD技术,作者设计了一套试验性的ALD沉积系统。该系统主要由反应腔、前驱体容器、真空泵、控制系统等部件构成。两个前驱体容器带有加热装置,支持气体或液体前驱体。前驱体、反应腔的温度,沉积过程中气体的交替,以及各种参数都可以设定,并由控制系统自动控制。在系统测试中,使用Al2(CH3)3和H2O作为前驱体,在含有Si-H键的Si基片上沉积Al2O3高k介质薄膜。使用电子探针分析仪分析薄膜成分后,证实了所沉积的薄膜是Al2O3。使用XPS分析薄膜表面时只检测到Al,O元素,没有检测到Si元素,说明Al2O3薄膜是连续的,完整地覆盖了Si表面。使用X射线光电子谱检测元素面分布的结果显示,Al,O在Si上的分布具有较好均一性,表明Al2O3薄膜的均匀性良好。使用电子束照射已沉积Al2O3的Si基片时,发现有大量电子累积在薄膜表面,说明所沉积的Al2O3具有良好的介电性。
叶位彬黄光周朱建明戴晋福
关键词:原子层沉积前驱体
原子层沉积高k介质膜的新进展
本文介绍原子层沉积(ALD)技术的发展背景、特点和原理,阐述发展高k介质的必要性。通过介绍高k介质的特点及其对沉积工艺的要求,说明ALD技术适合于沉积高k介质的原因。着重介绍国际上采用ALD工艺沉积高k 介质所取得的最新...
叶位彬黄光周朱建明戴晋福
关键词:原子层沉积前驱体漏电流
文献传递
基于H-Si(100)表面上原子层沉积Al2O3的仿真研究被引量:4
2009年
通过对原子层沉积过程的计算机仿真,分析不同沉积条件对沉积过程的影响。以H-Si(100)表面原子层沉积Al2O3的过程为基础,通过分析基片上不同表面功能团之间的相互作用,将整个沉积过程分为初始沉积和后续生长两个阶段。基于不同的阶段建立相应的前驱体到达事件模型、反应事件模型以及表面解吸事件模型。采用动力学晶格蒙特卡罗方法实现这一沉积过程的仿真。实现了不同温度、不同真空条件下Al2O3的原子层沉积仿真。结果表明:在一定的范围内,前驱体或基片的温度高,反应室真空度低,薄膜生长速率的增长快,表面粗糙度小;基片温度对于薄膜沉积过程的影响最大,其阈值约为200℃。而且薄膜的生长趋势由初始的三维岛状生长向二维层状生长逐渐转变。
申灿黄光周马国欣叶位彬朱建明戴晋福
关键词:原子层沉积计算机仿真三氧化二铝生长速率
共1页<1>
聚类工具0