申灿
- 作品数：4 被引量：19H指数：2
- 供职机构：华南理工大学电子与信息学院更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 基于H-Si(100)表面上原子层沉积Al<,2>O<,3>的仿真
- 在H-Si(100)表面原子层沉积Al<,2>O<,3>的过程中，由于表面功能团的不同，存在着初始沉积和后续生长两个阶段。基于不同的阶段建立相应的前驱体到达事件模型、反应事件模型以及表面解吸事件模型。
采用动力...
- 申灿黄光周马国欣叶位彬朱建明戴晋福
- 关键词：原子层沉积计算机仿真氧化铝蒙特卡罗法
- 文献传递
- 原子层沉积技术及其在半导体中的应用被引量：15
- 2006年
- 首先简述原子层沉积(ALD)技术的发展背景,通过分析ALD的互补性和自限制性等工艺基础,介绍了它在膜层的均匀性、保形性以及膜厚控制能力等方面的优势,着重列举ALD在半导体互连技术、高k电介质等方面的应用。同时指出了目前ALD工艺中存在的主要问题。
- 申灿刘雄英黄光周
- 关键词：原子层沉积前驱体半导体
- 基于H-Si(100)表面上原子层沉积Al2O3的仿真研究被引量：4
- 2009年
- 通过对原子层沉积过程的计算机仿真,分析不同沉积条件对沉积过程的影响。以H-Si(100)表面原子层沉积Al2O3的过程为基础,通过分析基片上不同表面功能团之间的相互作用,将整个沉积过程分为初始沉积和后续生长两个阶段。基于不同的阶段建立相应的前驱体到达事件模型、反应事件模型以及表面解吸事件模型。采用动力学晶格蒙特卡罗方法实现这一沉积过程的仿真。实现了不同温度、不同真空条件下Al2O3的原子层沉积仿真。结果表明:在一定的范围内,前驱体或基片的温度高,反应室真空度低,薄膜生长速率的增长快,表面粗糙度小;基片温度对于薄膜沉积过程的影响最大,其阈值约为200℃。而且薄膜的生长趋势由初始的三维岛状生长向二维层状生长逐渐转变。
- 申灿黄光周马国欣叶位彬朱建明戴晋福
- 关键词：原子层沉积计算机仿真三氧化二铝生长速率
- 原子层沉积的研究及其计算机仿真
- 原子层沉积(ALD)的自限制性和互补性致使该技术对薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力，所制备的薄膜保形性好、纯度高且均匀，因而引起了人们广泛的关注。原子尺度上的ALD过程仿真对深入了解沉积机理，改进和优化薄膜生长工艺，提...
- 申灿
- 关键词：原子层沉积基片温度仿真生长速率蒙特卡罗方法原子尺度
- 文献传递
