史榜春
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：四川压电与声光技术研究所更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- 高频SAW器件用无亚晶界铌酸锂单晶的研究被引量：1
- 1997年
- 高频ＳＡＷ器件用无亚晶界铌酸锂单晶的研究陈淑芬史榜春胡少勤赵启鹏李和新黄绪正（四川压电与声光技术研究所，重庆６３００６０）ＲｅｓｅａｒｃｈｏｎＳｕｂｂｏｕｎｄａｒｙＦｒｅｅＬｉＮｂＯ３ＳｉｎｇｌｅＣｒｙｓｔａｌＵｓｅｄｆｏｒＨｉｇｈＦｒｅｑｕｅｎ...
- 陈淑芬史榜春胡少勤赵启鹏李和新黄绪正
- 关键词：压电晶体铌酸锂晶体引上法晶体生长单晶
- Bi_(12)GeO_(20)单晶色带的成因与消除
- 2000年
- 锗酸铋 (Bi12 GeO2 0 ,BGO)单晶具有良好的压电、光电和光导特性。特别是利用其优良的压电性能制作的声表面波器件 ,如脉压延迟线等已广泛地应用于通讯雷达及电子对抗等国防领域。由于BGO单晶声表面波声速较低 ,是制作中长延迟时间声表面波延迟线的理想基片材料 ,大大缩小了器件如反向栅阵列抽头延迟线 (RAC器件 )的体积 ,该器件已成功地用于机载雷达的脉冲扩展和压缩子系统中。但是 ,V .S .Dolat等在制作RAC器件时发现晶片内的色带使以此为衬底的器件出现严重的响应下降和过量插损。用静电探针测量表明 ,色带区域表面波速较正常区域的慢 ,且材料的非均匀性引起了表面波传播的严重失真。相反 ,在无色带基片上制作的RAC器件则获得了接近理论值的响应。BGO单晶色带的存在严重制约了声表面波器件的性能发挥。采用提拉法生长BGO晶体 ,分析了BGO晶体中色带的分布。色带横向分布基本上是中心对称结构 :纵向呈带状分布 ,总的表现为上疏下密。采用PHILIPSPW2 40 0X射线光谱分析仪分析了熔体挥发物的组成。两种的质量分数分别为GeO2 4.77% ,Bi2 O3 95 .2 3% ,换算成摩尔比则为 :GeO2 :Bi2 O3 =( 4.77/1 0 4.5 9) /( 95 .2 3/4 6 6 ) =1 .2 7∶6 (mol比 )而化学配比的两组分摩尔比为 1∶6。可知挥发物中GeO2 的量?
- 韩尧史榜春胡少勤张凤鸣盛敏华
- 关键词：锗酸铋晶体引上法晶体生长
- 多管下降炉生长Bi_4Ge_3O_(12)单晶的温场与界面
- 2000年
- 采用 2种不同的炉膛结构设计。温场试验表明温场条件同炉膛结构密切相关。克服了各管的温场差异 ,获得良好的界面热环境。经过多次晶体生长试验 ,得到了理想的微凸界面 ,生长出高质量的 Bi4Ge3 O1 2 单晶。
- 韩尧胡少勤史榜春
- 关键词：温场单晶晶体生长
- φ53×180mm光学Y轴LiNbO_3晶体生长
- 2000年
- 光学铌酸锂 (LiNbO3 )晶体是目前应用最广泛 ,工艺较为成熟的集成光学衬底材料。利用光学LiNbO3 晶体的非线性可产生倍频、和频、差频、四波混频和参量振荡等效应 ,可以拓宽光波长的范围 ,并开辟新的激光光源。在信号处理方面 ,可实现波前畸变补偿 ,光信号的处理与控制、光调制、光开关、光偏转、图像放大、光计算、光记忆等。我们采用提拉法 ,用Si Mo棒加热生长出了高质量的5 3× 1 80mm光学y轴LiNbO3 晶体。由于沿y轴方向生长晶体时 ,z轴与x轴结构的不对称性 ,再加上生长速率、热膨胀系数等不一致 ,在引晶放肩阶段易出杂棱 ,在拉断降温过程中易放电开裂。针对这些问题 ,我们采取了以下措施 :( 1 )设计了一个合适的温场 ,温场下部温梯适中且不会随坩埚中液面下降而明显减小 ,温场上部温梯很小。( 2 )确定了合理的生长工艺参数。在 3mm/h拉速下使晶体底部微凹。( 3)确定了降温速率及退火工艺以保证晶体不致在降温或退火过程中开裂。( 4)采用了特殊的极化工艺对晶体进行单畴化处理。
- 赵启鹏史榜春
- 关键词：铌酸锂晶体非线性光学晶体引上法晶体生长
