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高嵩

作品数：23 被引量：72H指数：6
供职机构：辽宁大学更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术自然科学总论更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇期刊文章
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领域

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机构

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作者

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传媒

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年份

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  • 1篇2002
  • 5篇2001
  • 1篇1999
  • 2篇1995
  • 2篇1993
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
各向异性腐蚀技术研究与分析被引量：16
2001年
本文详细分析了用各向异性腐蚀技术形成的压阻式压力传感器硅杯的几种腐蚀方法 ,根据实验提出了它们的优缺点 ,介绍了几种各向异性蚀的自致停止法和腐蚀中削角的补偿方法 ,对制造微量程、高灵敏度的压力传感器有一定的指导意义 .
沈桂芬吴春瑜姚朋军杨学昌刘兴辉吕品高嵩
关键词：各向异性腐蚀压力传感器
VDMOSFET沟道区的研究被引量：1
2007年
讨论了影响沟道长度及沟道的夹断区长度的因素,通过沟道区的优化促进了VDMOSFET性能的提高.
石广源李严李永亮高嵩
关键词：沟道长度VDMOSFET
SOC设计中多bits数据跨时钟域的解决方法被引量：4
2011年
在SOC(System On Chip)设计中,随着数字系统复杂性的提高,系统芯片中集成了越来越多的模块,这些模块通常工作在不同的时钟频率下.各控制器或者模块之间进行数据访问时,需要在将多bits数据同步到不同的时钟下.从跨时钟域时异步信号带来的亚稳态问题及其造成的影响,提出了包括握手信号和FIFO等针对不同的异步信号传输进行不同的跨时钟设计.
胡昌顺高嵩吴春瑜张文婧
关键词：亚稳态FIFO
双极晶体管导通状态对功率纵向双扩散MOSFET静态电流-电压特性的影响被引量：6
2001年
通过对VDMOS结构器件测量的I—V特性和模拟结果的分析 ,发现在此结构中 ,寄生的双极管对器件性能具有不良影响 .可以来用一种新型的具有浅扩散p+区的自对准VDMOS结构 ,以完全消除寄生的BJT导通机制 。
高嵩石广元张颖赵野
关键词：双极晶体管电流-电压特性半导体器件VDMOSFET
低阻VDMOSFET的优化设计与制造被引量：3
2003年
文章对9926型双N沟增强型VDMOSFET进行了结构和版图的优化设计。给出了该器件的纵横向结构参数,材料的物理参数和版图总体结构。单胞结构的优化设计使单胞密度达到204万个/cm2,比国际市场现有产品的单胞密度(156万个/cm2)提高了30%。这种设计采用浅n+注入工艺可使器件生产成本下降31%。最后对研制结果进行了分析讨论。
石广源罗华高嵩王中文阎冬梅
关键词：优化设计导通电阻CAD电阻率
低压VDMOSFET导通电阻的优化设计被引量：7
2001年
对低压VDMOSFET导通电阻Ron的各个构成部分进行了理论分析 ,较为详细地讨论了窗口区和多晶硅栅区的尺寸和比例对器件的导通电阻的影响 .通过这些分析和计算 ,得出了VDMOSFET单元设计的最佳原则 ,并给出了低压条件下最佳单元尺寸 .
赵野张颖高嵩石广元
关键词：特征电阻VDMOSFET优化设计集成电路导通电阻
Si/Si_(1-x)Ge_x 异质结双极晶体管的研究概述
1993年
本文介绍了 Si_(1-x)Ge_x 基区异质结双极晶体管(HBT)的特点;Si_(1-x)Ge_x 合金层的生长方法;两种 Si_(1-x)Ge_x 基区 npn 器件的结构和特性以及对 Si_(1-x)Ge_x 合金层质量估价和异质结特性的检测方法。
高嵩黄和鸾陈国栋李威
关键词：异质结双极晶体管
单场限环结构的表面电场分布及环间距的优化被引量：6
2008年
基于横向扩散与纵向扩散构成的冶金结边界为椭圆形这一特点,讨论单场限环结构表面电场强度的分布,给出表面电场强度、主结及环结分担电压的解析表达式。在纵向结深和掺杂浓度一定的条件下,根据临界电场击穿理论,讨论环间距的优化设计方法。单场限环结构主结环结间表面电场强度的绝对值曲线近似呈抛物线,最大电场位于主结处。随着环间距的增大,最大电场变大;随着横向扩散深度的增大,最大电场变小。环右侧最大电场也出现在结处,随着环间距和横向扩散深度的增加,最大电场均减小。在场限环结构中,当主结和环结在表面处的最大电场强度均等于临界电场强度时,击穿电压达到最大值,此时所对应的环间距为最佳环间距。
高嵩石广源王中文
关键词：场限环表面电场击穿电压
新型结终端技术被引量：2
2006年
提出了一种新型的场板和保护环相结合的结终端技术,并讨论了此终端结构的工作原理和优越性.
石广源李永亮李严高嵩
关键词：场板保护环结终端技术
SiC埋层的红外吸收特性研究被引量：4
1999年
在较低衬底温度下，用离子合成技术对单晶Ｓｉ 衬底进行高能Ｃ＋ 离子注入，可获得含有ＳｉＣ 的埋层，经高温退火形成βＳｉＣ 颗粒沉淀．通过傅里叶红外吸收谱（ＦＴＩＲ） 对其研究分析，表明埋层中αＳｉ 和βＳｉ 共存，且有一含量最高区．
吴春瑜王中文高嵩李绅政
关键词：离子注入红外吸收光谱FTIR
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