王中文
- 作品数：33 被引量：67H指数：5
- 供职机构：辽宁大学物理学院更多>>
- 发文基金：辽宁省教育厅高等学校科学研究项目国家自然科学基金沈阳市科技局资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学天文地球更多>>
- 一种识别交通灯的智能拐杖
- 一种识别交通灯的智能拐杖，包括拐杖本体和设置在拐杖上的电子器件，所述的电子器件包括设置在拐杖上部前端的交通灯识别模块、设置在拐杖上表面的按钮开关、设置在拐杖上部后端的电源模块、设置在拐杖杆体的显示模块、主控模块、语音播放...
- 许超唐昊李彤李宾王中文
- 文献传递
- 30伏P沟VDMOS场效应管的设计被引量：3
- 2007年
- 对于IRF7705型30伏P沟VDMOSFET进行了结构优化设计.给出了该器件的纵向结构和横向结构参数及材料的物理参数.较系统地分析了VDMOSFET的几个重要参数,重点讨论了P沟VDMOSFET的外延层电阻率、外延层厚度、N体区扩散浓度以及各个参数之间的关系,对该类器件的实际生产有一定的指导作用.
- 王中文胡雨石广源
- 关键词：VDMOSFET参数设计
- UDMOSFET特征导通电阻物理模型被引量：3
- 2006年
- 简要介绍了UDMOSFET的结构和工作原理,重点讨论了特征导通电阻()与结构参数的关系,给出了的数学模型.该模型具有形式简单、结果准确和使用方便的特点.
- 王洪岩王中文
- 关键词：导通电阻特征电阻
- VDMOSFET特征导通电阻的数学模型被引量：3
- 2004年
- 对六角形单胞VDMOSFET的特征导通电阻建立了一种新的数学模型—等效截面模型。给出了特征导通电阻与器件的横向、纵向结构参数的关系,并将计算结果与常规模型和实际测量值进行了比较,与实验结果符合得很好。
- 高嵩石广源王中文
- 关键词：VDMOSFET特征导通电阻数学模型
- 基于太阳能供电的一体两面式外卖存储柜
- 本实用新型涉及一种基于太阳能供电的一体两面式外卖存储柜，包括柜体和智能控制系统，柜体由两个以上的外卖箱格、检修箱格和控制箱格组成，其中每个外卖箱格的前后分别设有由智能控制系统控制的开启门扇，控制箱格的前后面分别设计为对称...
- 许超韩旭唐昊刘忠义王中文李宾
- VDMOSFET的最佳设计被引量：2
- 2004年
- 以正方形单胞为例,较系统的分析了VDMOSFET的物理机制及其工作原理,并通过大量计算找出多晶硅窗口区尺寸Lw和多晶硅尺寸Lp的最佳设计比例,阐述了器件的最佳化设计思想.
- 王中文
- 关键词：VDMOSFET特征导通电阻
- 一种用于高温环境内使用的压紧装置
- 本实用新型涉及一种用于高温环境内使用的压紧装置，在支座的竖直支撑臂上螺纹连接丝杆，在丝杆的一端穿过挡片后与螺母连接；在支座的顶部设有水平梁，水平梁的端部通过销轴连接L型压板的上方，L型压板的底部为弧形面，弧形面的外圆周与...
- 王中文康大为许超付强尹飞飞王卓越
- 文献传递
- 烧结工艺对可控硅参数的影响
- 1998年
- 本文讨论了烧结工艺对可控硅参数的影响，并对存在的问题进行分析，通过对烧结工艺的改进，使工艺中存在的一些问题得到了解决，从而提高了产品的合格率．
- 王中文石广元
- 关键词：欧姆接触可控硅
- 基于改进YOLOv7x的车型识别算法
- 2024年
- 为提高车型识别精度并改善误检问题,本文提出了一种改进YOLOv7x的车型识别算法.首先,对BIT-Vehicle数据集进行提取并人为划分,使数据集符合模型要求;其次,将CBAM(Convolutional block attention module)注意力机制加入backbone网络中,在模型参数增幅较小的情况下,提升主干网络的特征提取能力;最后,引入SIoU损失函数,利用predict box和groundtruth box之间的向量角度,重新定义了损失函数,提高了模型检测的mAP0.5(mean Average Precision,IoU=0.5)与准确率.实验结果表明,改进YOLOv7x算法整体识别结果优于YOLOv7x算法,改进YOLOv7x算法的mAP0.5和准确率分别为98.4%和97.4%,分别提高了0.5%和1.1%,具有更优的精度和更低的误检率,较好地满足了车型识别的需求.
- 许超王浩宇刘忠义王中文李博
- 关键词：车型识别
- 未知掺杂MOS结构少子产生寿命空间分布研究
- 1997年
- 本文采用线性扫描法测定未知掺杂ＭＯＳ结构少子产生寿命空间分布，结果表明。
- 孙玉芳盛浩然王中文尚世琦张文胡延年吕品吴春瑜
- 关键词：少子产生寿命半导体器件MOS器件
