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闫小兵

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：南京大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇导电
  • 2篇导电性
  • 2篇电解质
  • 2篇陶瓷靶材
  • 2篇小尺寸
  • 2篇离子
  • 2篇离子导电
  • 2篇离子导电性
  • 2篇记忆
  • 2篇固体电解质
  • 2篇靶材
  • 2篇锗
  • 1篇氧化物
  • 1篇金属
  • 1篇金属氧化物
  • 1篇开关
  • 1篇过渡金属
  • 1篇过渡金属氧化...
  • 1篇存储器

机构

  • 3篇南京大学

作者

  • 3篇闫小兵
  • 2篇殷江
  • 2篇国洪轩
  • 2篇刘治国
  • 2篇高立刚

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
过渡金属氧化物阻变存储器的制备及其开关机制研究
基于电荷存储机制的Flash存储器随器件尺寸的缩小遇到严重的物理和技术的瓶颈，无法满足信息技术迅速发展的需要，因此寻找一种高密度、非挥发性、低能耗的下一代新型存储技术已经迫在眉睫。许多新的非易失性存储器件应运而生，其中包...
闫小兵
关键词：过渡金属氧化物
固体电解质银锗氧薄膜和制备方法及其应用
本发明公开了一种新型记忆材料固体电解质银锗氧薄膜，化学式为Ag<Sub>x</Sub>Ge<Sub>y</Sub>O<Sub>1－x－y</Sub>，简称Ag－Ge－O薄膜，使用其制备非挥发性记忆器件，可用于信息存储和其...
国洪轩闫小兵高立刚殷江刘治国
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固体电解质银锗氧薄膜和制备方法及其应用
本发明公开了一种新型记忆材料固体电解质银锗氧薄膜，化学式为Ag<Sub>x</Sub>Ge<Sub>y</Sub>O<Sub>1-x-y</Sub>，简称Ag-Ge-O薄膜，使用其制备非挥发性记忆器件，可用于信息存储和其...
国洪轩闫小兵高立刚殷江刘治国
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