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殷江

作品数：81 被引量：41H指数：3
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划河南省教育厅科学技术研究重点项目更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信电气工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 56篇专利
  • 16篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 2篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 10篇一般工业技术
  • 9篇电子电信
  • 8篇电气工程
  • 8篇理学
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇化学工程
  • 1篇水利工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇政治法律

主题

  • 13篇陶瓷靶材
  • 13篇靶材
  • 13篇存储器
  • 11篇铁电
  • 11篇介电
  • 11篇SUB
  • 11篇场效应
  • 10篇衬底
  • 9篇纳米
  • 9篇晶体
  • 9篇晶体管
  • 9篇并五苯
  • 9篇场效应晶体管
  • 9篇存储器件
  • 8篇有机场效应晶...
  • 8篇脉冲激光
  • 8篇介电系数
  • 8篇半导体
  • 7篇氧化物薄膜
  • 7篇记忆

机构

  • 80篇南京大学
  • 3篇安阳师范学院
  • 3篇河南大学
  • 2篇江苏大学
  • 2篇南京理工大学
  • 1篇东南大学
  • 1篇山东大学
  • 1篇镇江师范专科...
  • 1篇中国药科大学
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇湖北理工学院

作者

  • 80篇殷江
  • 57篇刘治国
  • 40篇夏奕东
  • 12篇国洪轩
  • 10篇汤振杰
  • 10篇徐波
  • 6篇高立刚
  • 5篇沈波
  • 5篇张荣
  • 5篇李卫平
  • 5篇陈亮
  • 5篇高旭
  • 4篇周玉刚
  • 4篇陈鹏
  • 4篇顾书林
  • 4篇施毅
  • 4篇毕朝霞
  • 4篇陈志忠
  • 3篇郑有炓
  • 3篇李爱东

传媒

  • 3篇物理学报
  • 3篇南京大学学报...
  • 2篇Journa...
  • 2篇河南大学学报...
  • 2篇2000年中...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇中国科学基金
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇中国材料进展
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2025
  • 4篇2023
  • 2篇2022
  • 4篇2021
  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 5篇2013
  • 2篇2012
  • 8篇2011
  • 11篇2010
  • 10篇2009
  • 3篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2003
  • 1篇2002
共 81 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种存算一体化的叠层铁电隧道结
本发明公开了一种存算一体化的叠层铁电隧道结。该叠层铁电隧道结自下往上的结构为：第一层为半导体衬底，用作底电极；第二层为铁电体；第三层为金属或半导体，用作中间电极；第四层为铁电体；第五层为介电体；第六层为金属，用作顶电极；...
李智强商尚炀夏奕东殷江
一种栅电介质材料立方相HfO<Sub>2</Sub>薄膜及其制备方法
一种栅电介质材料立方相HfO<Sub>2</Sub>薄膜及其制备方法，通过掺杂Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>获得稳定的立方相的HfO<Sub>2</Sub>薄膜，Y<Sub>2</Sub>O<Sub...
石磊周越刘治国殷江
一种自清洁氧化物薄膜和制备方法及其应用
一种自清洁氧化物薄膜是由不同价态金属离子X掺杂的SrTiO<Sub>3</Sub>，用公式X:SrTiO<Sub>3</Sub>表示，其中X为Cr<Sup>3+</Sup>、Zn<Sup>2+</Sup>、Al<Sup>...
殷江刘治国
一种双功能n-型半导体插层并五苯有机场效应晶体管
一种双功能n‑型半导体插层并五苯有机场效应晶体管，在并五苯有机场效应晶体管结构中设置有n‑型半导体层同时作为修饰层和电荷俘获层，器件具有底栅型结构：栅电极/栅绝缘层/n‑型半导体薄膜/隧穿层/并五苯/源(漏)电极；栅电极...
殷江侯舒怡于天鹏夏奕东刘治国
固体电解质银锗氧薄膜和制备方法及其应用
本发明公开了一种新型记忆材料固体电解质银锗氧薄膜，化学式为Ag<Sub>x</Sub>Ge<Sub>y</Sub>O<Sub>1－x－y</Sub>，简称Ag－Ge－O薄膜，使用其制备非挥发性记忆器件，可用于信息存储和其...
国洪轩闫小兵高立刚殷江刘治国
一种提升并五苯有机场效应晶体管工作性能的方法及结构
一种提升并五苯有机场效应晶体管工作性能的方法，在结构为栅电极/绝缘层/聚合物介质薄膜/并五苯/源与漏电极的有机场效应晶体管器件中，聚合物介质和并五苯之间设置一n‑型半导体薄膜过渡层；n‑型半导体过渡层厚度为1‑100nm...
康利民王一如殷江夏奕东
一种高介电系数复合氧化物电荷存储介质薄膜及应用
一种高介电系数复合氧化物电荷俘获介质薄膜，其化学组分是两种或两种以上高介电系数氧化物的混合物；复合氧化物薄膜呈非晶状态；复合氧化物薄膜的化学组分用化学式(AO<Sub>m</Sub>)<Sub>x</Sub>(BO<Su...
魏春阳殷江徐波夏奕东刘治国
非易失性电荷捕获型存储器件、其制备方法及应用
本发明涉及非易失性电荷捕获型存储器件、其制备方法及应用，制备方法操作简单、易于控制，所得存储器件中作为存储介质的纳米微晶分布均匀。所述非易失性电荷捕获型存储器件的制备方法包括以下步骤：a)在衬底表面形成隧穿层；b)在隧穿...
汤振杰夏奕东殷江刘治国
阻变氧化物材料的Co<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>薄膜和制备方法及其应用
一种阻变氧化物材料的氧化钴薄膜，该薄膜为多晶态，其化学式为Co<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>，薄膜厚度为200nm，其制备方法是：(1)CoO<Sub>x</Sub>(0＜x＜4/3)陶瓷靶材的制备；...
殷江高旭季剑锋夏奕东刘治国
一种自清洁氧化物薄膜和制备方法及其应用
一种自清洁氧化物薄膜是由不同价态金属离子X掺杂的SrTiO<Sub>3</Sub>，用公式X:SrTiO<Sub>3</Sub>表示，其中X为Cr<Sup>3+</Sup>、Zn<Sup>2+</Sup>、Al<Sup>...
殷江刘治国
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