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文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇电路
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇双极工艺
  • 2篇模拟集成电路
  • 2篇互补双极工艺
  • 2篇集成电路
  • 1篇多晶硅发射极
  • 1篇双层多晶硅
  • 1篇双极技术
  • 1篇自对准
  • 1篇晶体管
  • 1篇发射极
  • 1篇高频
  • 1篇PNP
  • 1篇PNP晶体管
  • 1篇SOI
  • 1篇CMOS工艺

机构

  • 4篇重庆邮电大学
  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 4篇谢正旺
  • 3篇李荣强
  • 2篇曾鹏
  • 1篇刘勇
  • 1篇胡永贵
  • 1篇许云

传媒

  • 1篇微电子学
  • 1篇重庆邮电大学...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2008
  • 3篇2007
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
互补双极工艺在模拟集成电路中的应用研究
介绍了互补双极工艺的发展过程、自身优势及其在产业中的应用,讨论了典型的现代互补双极工艺中的SOI全介质隔离和多晶硅发射极的特点,概述了互补双极工艺的发展趋势。
李荣强谢正旺曾鹏
关键词:模拟集成电路互补双极工艺多晶硅发射极
文献传递
一种基于2μm互补双极CMOS工艺的低压降调整器
2007年
采用先进的2μm互补双极CMOS工艺,研制出一种高精度双路低压差线性调整器(LDO)。该电路具有使能控制、误差输出、过温保护、短路保护等功能,只需外接一个0.47μF的瓷介电容,即可实现稳定工作;简化了外围设计,降低了成本,提高了应用的可靠性。
谢正旺李荣强刘勇胡永贵许云
关键词:模拟集成电路
0.8um SOI高频互补双极工艺的器件设计
互补双极技术凭借其高速、大电流驱动等优势一直受到模拟集成电路设计者的青睐。而随着微电子技术的应用越来越广泛,许多领域如射频放大器、A/D转换器等对抗辐射能力以及信号失真度的要求也越来越严格,这就驱使人们在工艺上自然而然地...
谢正旺
文献传递
一种适用于互补双极技术的双层多晶硅自对准PNP晶体管的设计
2007年
通过仿真与实验设计出了一种高性能的双层多晶硅自对准PNP晶体管工艺流程,分析了关键工艺技术,器件性能达到fT=8.5 GHz,β=60,BVCEO=8 V。该工艺与已有的双层多晶硅自对准NPN晶体管工艺相兼容,可用于制造高性能的互补双极电路。
李荣强谢正旺曾鹏
关键词:双层多晶硅自对准PNP
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