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曾鹏

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：重庆邮电大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇电路
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇多晶硅发射极
  • 1篇压力传感器
  • 1篇双层多晶硅
  • 1篇双极工艺
  • 1篇双极技术
  • 1篇自对准
  • 1篇力传感器
  • 1篇模拟集成电路
  • 1篇晶体管
  • 1篇互补双极工艺
  • 1篇集成电路
  • 1篇硅压力传感器
  • 1篇发射极
  • 1篇感器
  • 1篇PNP

机构

  • 3篇重庆邮电大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 3篇曾鹏
  • 2篇李荣强
  • 2篇谢正旺

传媒

  • 1篇重庆邮电大学...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2007
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
互补双极工艺在模拟集成电路中的应用研究
介绍了互补双极工艺的发展过程、自身优势及其在产业中的应用，讨论了典型的现代互补双极工艺中的SOI全介质隔离和多晶硅发射极的特点，概述了互补双极工艺的发展趋势。
李荣强谢正旺曾鹏
关键词：模拟集成电路互补双极工艺多晶硅发射极
文献传递
一种单片集成硅压力传感器电路的设计
随着MEMS技术的大力发展，压力传感器也在各个领域得到广泛应用。通常差分放大器被用来检测处理传感器的弱电势，传统的都是用两运放或者三运放的仪表放大器(IA)来实现此功能。为了实现更好的性能，传感器部分和信号处理电路都制作...
曾鹏
文献传递
一种适用于互补双极技术的双层多晶硅自对准PNP晶体管的设计
2007年
通过仿真与实验设计出了一种高性能的双层多晶硅自对准PNP晶体管工艺流程,分析了关键工艺技术,器件性能达到fT=8.5 GHz,β=60,BVCEO=8 V。该工艺与已有的双层多晶硅自对准NPN晶体管工艺相兼容,可用于制造高性能的互补双极电路。
李荣强谢正旺曾鹏
关键词：双层多晶硅自对准PNP
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