李文剑
- 作品数：6 被引量：2H指数：1
- 供职机构：福州大学物理与信息工程学院更多>>
- 发文基金：福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学冶金工程更多>>
- 退火温度对真空热蒸发法ZnS:In薄膜光电性能的影响被引量：1
- 2012年
- 采用真空热蒸发工艺,在ITO基片上分别制备ZnS薄膜和In薄膜,在正交实验条件下,以2%掺杂浓度的In原子掺杂可获得较高的载流子浓度,在此基础上,研究了不同退火温度对ZnS:In薄膜的光、电性能的影响。
- 陈金伙李文剑程树英
- 关键词：ZNS薄膜光电性能退火
- OTFT开关比对有源层厚度、杂质浓度间制约关系的影响研究被引量：1
- 2012年
- 本文从物理角度推导并分析Brown方程的本质,并将之用于OTFT开关比的分析。首次通过引入关键参数K(杂质层电流/感应层电流)对OTFT开关比进行了分析,获得OTFT中有源层厚度和杂质浓度潜在的、可被允许的上限值。在此前提下,重点分析了有源层厚度、有效杂质浓度对OTFT开关比的影响。接着根据模拟分析的结果,提出一种有效且简易的判断OTFT是否逼近开关比极限的方法,并分别论证在逼近/远离开关比极限的情况下,降低NA和dS对开关比提升的有效性,及不同情况的OTFT应采取的优化措施。最后,文中给出了一定开关比约束下有效掺杂浓度/有源层厚度的临界关系曲线,它具有重要的实用意义,且进一步约束了OTFT中有源层厚度和有效杂质浓度的所允许的上限值。
- 陈金伙李文剑程树英
- 关键词：OTFT开关比
- 真空蒸发掺杂ZnS薄膜的制备及其光电性能研究
- 硫化锌(ZnS)是Ⅱ-Ⅵ族直接带隙(约3.5eV-3.7eV)半导体化合物,未掺杂ZnS通常显高阻态,这大大限制了ZnS在现实中的应用中。本研究目的是为提高ZnS的光电性能,从而为其在太阳能电池、光电器件等方面得到更好的...
- 李文剑
- 关键词：光电性能PN结
- 文献传递
- 用于UHF RFID标签芯片的时钟源电路设计
- 2015年
- 设计了一种用于UHF RFID标签芯片的低功耗时钟源电路。该时钟源电路采用弛豫振荡器结构,振荡周期由电阻和电容定义。振荡器工作在电源电压1V,偏置电流100nA时,功耗为0.9μW,工作温度范围为-20℃~80℃,频率偏离1.92 MHz小于3%,电路设计符合UHF RFID标签系统要求。
- 安奇陈群超陈金伙黄凤英李文剑
- 关键词：超高频射频识别标签芯片时钟源
- OTFT开关比的主要影响因素及参数调节分析
- 2013年
- 拓展Brown模型结果,引进参量K(杂质层电流/感应层电流)分析有机薄膜晶体管(OTFT)开关比的主要影响参数,并提出一种提升器件开关比的最佳参数调整方法,它能有效解决各主要参数之间相互影响相互制约所带来的问题.最后,在参数调整接近至极限开关比情况下,研究N A(有效杂质浓度)和T s(有源层厚度)对开关比的影响规律.本研究结果可最大程度提升OTFT开关比,并为其它性能参数留下"设计余量".
- 陈金伙李文剑程树英
- 关键词：薄膜晶体管开关比
- 环保型ZnS层状材料及纳米材料的研究进展
- 2012年
- 指出了ZnS是一种具有优异性能的环保型材料,根据固相形态不同,分为层状材料和纳米粉末材料并分别进行论述,进而按作用不同进行分类并做相应评述,这对认清ZnS的作用、研究热点,及为未来应用拓展和不同领域技术上相互借鉴,具有相应的参考作用。
- 陈金伙李文剑
- 关键词：ZNS层状材料纳米材料
