陈金伙 作品数:23 被引量:31 H指数:3 供职机构: 福州大学物理与信息工程学院微纳器件与太阳能电池研究所 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 福建省自然科学基金 甘肃省自然科学基金 更多>> 相关领域: 电子电信 自动化与计算机技术 电气工程 理学 更多>>
AFM and XPS Study on the Surface and Interface States of CuPc and SiO_2 Films 2006年 A CuPc/SiO2 sample is fabricated. Its morphology is characterized by atomic force microscopy, and the electron states are investigated by X-ray photoelectron spectroscopy. In order to investigate these spectra in detail, all of these spectra are normalized to the height of the most intense peak,and each component is fitted with a single Gaussian function. Analysis shows that the O element has great bearing on the electron states and that SiO2 layers produced by spurting technology are better than those produced by oxidation technology. 陈金伙 王永顺 朱海华 胡加兴 张福甲基于双组网模式的太阳能路灯控制系统 被引量:1 2014年 为了实现对太阳能LED路灯的远程管理,同时达到低功耗、高稳定性、低复杂度的要求,提出了一个基于ZigBee网络和RS-485总线的太阳能路灯远程控制系统。该系统使用ZigBee技术对太阳能路灯进行自组网,并采用RS-485总线作为补充。基于以上两种网络,上位机最终实现了对太阳能路灯的远程控制与管理。主要介绍了该系统的总体设计方法,软、硬件实现,以及在实际环境中的测试结果。 王衍龙 章杰 林培杰 赖松林 陈金伙 程树英关键词:ZIGBEE技术 RS-485 太阳能LED路灯 退火温度对真空热蒸发法ZnS:In薄膜光电性能的影响 被引量:1 2012年 采用真空热蒸发工艺,在ITO基片上分别制备ZnS薄膜和In薄膜,在正交实验条件下,以2%掺杂浓度的In原子掺杂可获得较高的载流子浓度,在此基础上,研究了不同退火温度对ZnS:In薄膜的光、电性能的影响。 陈金伙 李文剑 程树英关键词:ZNS薄膜 光电性能 退火 环保型材料ZnS的掺杂研究 2012年 硫化锌(ZnS)是一种性能优异的半导体材料/发光材料,在ZnS走向商业化的过程中,良好的ZnS质量和理想的掺杂技术是关键。为此,文章就ZnS作为半导体材料和发光材料的的掺杂技术分别作简要分类和评述,并分述其优缺点,这对ZnS材料技术的发展、各技术间相互借鉴交叉具有一定的意义。 陈金伙关键词:硫化锌 掺杂 发光材料 半导体 并三苯场效应晶体管的研制 被引量:2 2006年 采用有机半导体材料并三苯作为有源层,环氧树脂作为绝缘介质,通过旋涂和真空掩蔽蒸发的方法,成功研制出了倒转结构的有机场效应晶体管。经测试器件的电子迁移率为5.76×10-2cm2/V.s,跨导为0.96μS。显示出该器件具有良好的输出特性曲线。 李东仓 王鹏 陈金伙 胡加兴 张福甲关键词:环氧树脂 场效应晶体管 有机场效应晶体管的研究与试制 本文对有机场效应晶体管的试制进行了研究。文章首先回顾了OFET的发展历史,评述了OFET发展过程中所存在的问题及各阶段的研究重点。概述了各种OFET中常用的材料,并根据有机分子的大小将之分为有机小分子、有机低聚物、有机高... 陈金伙关键词:场效应晶体管 晶体管设计 新型并三苯有机薄膜晶体管 2006年 以环氧树脂(Eproxyresin)为栅绝缘层材料,并三苯(Anthracene)为有机半导体载流子传输层, 分别利用旋涂及真空掩蔽蒸发,在以铜为栅极的基底之上成功研制了有机薄膜场效应晶体管(OTFT), 经测试得出器件的电子迁移率为2.34×10-2cm2/(V·s),跨导为0.49 μs. 王鹏 李东仓 陈金伙 胡加兴 张福甲关键词:环氧树脂 有机薄膜场效应晶体管 OTFT开关比对有源层厚度、杂质浓度间制约关系的影响研究 被引量:1 2012年 本文从物理角度推导并分析Brown方程的本质,并将之用于OTFT开关比的分析。首次通过引入关键参数K(杂质层电流/感应层电流)对OTFT开关比进行了分析,获得OTFT中有源层厚度和杂质浓度潜在的、可被允许的上限值。在此前提下,重点分析了有源层厚度、有效杂质浓度对OTFT开关比的影响。接着根据模拟分析的结果,提出一种有效且简易的判断OTFT是否逼近开关比极限的方法,并分别论证在逼近/远离开关比极限的情况下,降低NA和dS对开关比提升的有效性,及不同情况的OTFT应采取的优化措施。最后,文中给出了一定开关比约束下有效掺杂浓度/有源层厚度的临界关系曲线,它具有重要的实用意义,且进一步约束了OTFT中有源层厚度和有效杂质浓度的所允许的上限值。 陈金伙 李文剑 程树英关键词:OTFT 开关比 基于Latch的CMOS动态比较器的研究 被引量:3 2011年 动态比较器具有高速和低功耗的优点,是现代集成电路中的重要单元。本文简单介绍了基于latch的CMOS动态比较器的基本工作原理以及国内外最新研究进展;分析了几种新型动态比较器的性能。 戴惠明 陈群超 陈金伙关键词:动态比较器 锁存器 低功耗 ITO作为源漏电极的有机场效应晶体管 被引量:2 2007年 报道了一种OFET,它采用ITO作为源漏电极,聚酰亚胺为绝缘层,CuPc为半导体层。实验结果表明,该器件具有明显的场效应性质,性能较好,载流子迁移率和开关比分别达2.3×10-3cm2/V.s、800,表明ITO是一种合适的、有前途的p型OFET源漏极材料。为此,本文对由电极材料和半导体材料间形成的接触电阻对OFET性能影响进行了分析。 陈金伙 欧谷平 张福甲关键词:有机场效应晶体管 ITO 聚酰亚胺