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张静
作品数:
16
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供职机构:
中国科学院微电子研究所
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相关领域:
自动化与计算机技术
电子电信
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合作作者
王文武
中国科学院微电子研究所
张青竹
中国科学院微电子研究所
殷华湘
中国科学院微电子研究所
李俊杰
中国科学院微电子研究所
宋崇申
中国科学院微电子研究所
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自动化与计算...
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电子电信
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机构
16篇
中国科学院微...
作者
16篇
张静
6篇
王文武
5篇
殷华湘
5篇
张青竹
4篇
李俊杰
3篇
曹立强
3篇
李君
3篇
郭学平
3篇
宋崇申
2篇
王玮冰
2篇
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2015
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2013
4篇
2012
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基于类别不平衡信号的跌倒检测方法及系统
本发明涉及一种基于类别不平衡信号的跌倒检测方法及系统,属于行为识别技术领域,解决了现有技术因跌倒检测类别不平衡,很难从大量的日常活动中准确地识别出跌倒事件信号的问题。该方法包括:实时获取智能可穿戴设备采集的使用者的动作测...
张静
李佳
王玮冰
文献传递
电子元件封装体及其制造方法
本发明公开了一种电子元件封装体结构,包括位于封装体内部的耦合在一起的热电制冷单元和有源元件。所述热电制冷单元包括串联连接的至少一个N型制冷元件和至少一个P型制冷元件。相应地,还提供了两种该电子元件封装体结构的制作方法。通...
张静
宋崇申
张霞
文献传递
生物传感器的制造方法、生物传感器及生物传感器的应用
本发明公开一种生物传感器的制造方法、生物传感器及生物传感器的应用,涉及生物传感器技术领域。通过对高K材料层表面进行羟基化工艺处理,增加高K材料层表面羟基的数量,进而增加固定探针分子的官能团,实现对待测物的高灵敏度、高特异...
张楠
张青竹
张静
张兆浩
魏千惠
屠海令
殷华湘
赵鸿斌
王文武
文献传递
一种纳米网的制备方法
本发明涉及一种垂直纳米网的制备方法,采用两次自对准的侧墙转移技术工艺形成纳米尺度两层侧墙交叉阵列,利用反应离子刻蚀(RIE)刻蚀氧化硅与氮化硅,形成氮化硅纳米网阵列,再以SiNx纳米网阵列为掩膜刻蚀衬底硅,形成垂直纳米纳...
张青竹
田佳佳
李俊杰
吴次南
张兆浩
殷华湘
刘战峰
毛淑娟
张静
王文武
屠海令
文献传递
中心频率可调的基片集成波导滤波器及其制作方法
本发明提出一种中心频率可调的基片集成波导滤波器及其制作方法。本发明根据波导谐振频率的电调节的方法,利用在滤波器谐振腔内加载调谐导电柱,实现对谐振腔的谐振频率的扰动,并通过在顶部金属层上形成由导电膜桥形成的开关对多个调谐导...
苏华伟
张静
李君
靖向萌
曹立强
一种垂直纳米线阵列的制备方法
本发明涉及一种垂直纳米线阵列的制备方法,采用两次自对准的侧墙转移技术工艺形成纳米尺度两层侧墙交叉阵列,利用氧化硅与氮化硅的选择比及二次侧墙阵列交叉位置的高度差的反应离子刻蚀(RIE)刻蚀,形成氮化硅纳米点阵列,再以氮化硅...
田佳佳
张青竹
李俊杰
吴次南
张兆浩
殷华湘
张静
王文武
文献传递
一种柔性传感器及其制备方法
本发明公开一种柔性传感器及其制备方法,涉及柔性传感器领域,以解决柔性传感器形变不够、灵敏度低和一致性低的问题。所述柔性传感器包括:柔性基底以及形成在所述柔性基底上的纳米线阵列;所述纳米线阵列为聚二甲基硅氧烷转移法转移的纳...
唐思琪
张青竹
张兆浩
张楠
魏千惠
张静
闫江
王文武
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一种用于单芯片封装和系统级封装的散热结构
本发明公开了一种用于单芯片封装和系统级封装的散热结构,包括:位于基板与芯片之间的散热片,用于吸收芯片散发的热量,该散热片的上表面与芯片的下表面直接接触,下表面与基板的上表面直接接触;位于散热片四个端点的支撑结构,该支撑结...
李君
郭学平
张静
文献传递
一种堆叠纳米线/片器件及其制备方法
本发明涉及一种堆叠纳米线/片器件及其制备方法、一种半导体器件,所述堆叠纳米线/片器件,其特征在于:包括:衬底;纳米线/片堆栈部,其设置在所述衬底上,由半导体材料形成的多个纳米线/片的叠层形成多个导电沟道;环绕式栅极,其环...
张青竹
殷华湘
张兆浩
曹磊
李永亮
李俊杰
顾杰
姚佳欣
田佳佳
张静
王文武
屠海令
文献传递
转接板结构及其制造方法
本发明公开了一种转接板结构,包括衬底、贯穿所述衬底的电学互连通孔和热电制冷单元。其中热电制冷单元包括交替串联连接的至少一个N型热电元件和至少一个P型热电元件。N型热电元件和P型热电元件分别为N型热电材料和P型热电材料构成...
张静
宋崇申
曹立强
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