张建宝
- 作品数：5 被引量：8H指数：2
- 供职机构：深圳大学更多>>
- 发文基金：深圳市科技计划项目广东省粤港关键领域重点突破项目国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 功率型LEDs透明电极研究
- LEDs器件发展对电极的制备提出了更高的要求，得到低欧姆接触电阻率、高光学透过率、可靠性稳定性良好的电极是电极制作的目标。本文包括以下几项工作：
(1)介绍了白光照明的应用和前景。详细探讨了白光照明遇到的困难和挑...
- 张建宝
- 关键词：ITOP-GAN欧姆接触表面处理磁控溅射
- 文献传递
- 过渡层结构和生长工艺条件对S i基G aN的影响被引量：2
- 2005年
- 为了提高MOCVD外延硅基GaN材料的质量,在硅(111)衬底上以HT-A lN为缓冲层,在缓冲层上再生长变组份过渡层后外延生长GaN。过渡层为多层复合结构,分为高温变组分A lGaN、GaN、低温A lN、高温变组分A lGaN。在高温生长A lGaN和GaN层中插入一层低温生长A lN以缓解降温过程中应力对厚GaN层的影响,为了缓慢释放热应力、采用合适的慢降温工艺。当外延层的厚度小于1.7微米时GaN外延层无龟裂,而厚度不断增加时,GaN外延层产生龟裂。本文研究了A lN缓冲层生长温度、高温变组分A lGaN生长过程中生长时间的变化对所生长GaN材料的影响。采用三维视频显微镜、高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)对样品进行了测试分析。测试结果表明所研制的硅基GaN表面光亮、平整,过渡层的引入有利于降低外延层中应力,提高GaN结晶质量。
- 冯玉春胡加辉张建宝王文欣朱军山杨建文郭宝平
- 关键词：SI(111)CANALNALGAN
- Si(111)衬底上GaN的MOCVD生长被引量：4
- 2005年
- 利用LP-MOCVD在S i(111)衬底上,以高温A lN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)进行分析。结果表明,有偏离化学计量比富Ga HT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜质量和光致荧光特性均明显优于以LT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜,得到GaN(0002)和(10ī2)的DCXRD峰,其半峰全宽(FWHM)分别为698 s和842 s,室温下的光致荧光光谱在361 nm处有一个很强的发光峰,其半峰全宽为44.3 m eV。
- 胡加辉朱军山冯玉春张建宝李忠辉郭宝平徐岳生
- 关键词：氮化镓SI(111)金属有机化学气相沉积
- Ni/ITO与p型GaN的欧姆接触被引量：2
- 2005年
- 通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了N i层厚度和N i层的高温退火对N i/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了N i/ITO-p-GaN欧姆接触的形成机制,提出了低温氧化N i金属层的方法。获得接触电阻率(cρ)小于9.5×10-5Ω.cm2,透过率达到74%(470 nm)的N i/ITO-p-GaN电极。
- 冯玉春张建宝朱军山杨建文胡加辉王文欣
- 关键词：欧姆接触
- 硅衬底Ⅲ族氮化物外延生长
- 本发明阐述了一种硅单晶衬底上生长无微裂厚III族氮化物半导体单晶材料的新技术。该技术首先采用金属诱导纳米生长技术在硅单晶衬底上形成尺寸为纳米到微米数量级的图形2，以该纳米到微米数量级的图形为掩膜进行区域选择性外延生长，采...
- 冯玉春李冀郭宝平张建宝李忠辉李岩牛憨笨
- 文献传递
