庄蔚华
- 作品数：16 被引量：17H指数：2
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- 掺Be分子束外延GaAs的喇曼光谱
- 1989年
- 利用喇曼光谱研究了掺Be分子束外延P型GaAs中晶格振动的纵光学声子LO与空穴等离子体激元的耦合.观测了耦合模L_+与L_-的喇曼光谱及其谱峰强度和位置随不同空穴浓度的变化,并对谱图进行了分析和讨论.
- 蒋最敏左健修立松许存义庄蔚华梁基本
- 关键词：分子束外延喇曼光谱
- 分子束外延GaAs/Si应变层的光致发光和光反射谱研究被引量：1
- 1990年
- 研究了分子束外延GaAs/Si光致发光谱的激发强度和温度依赖关系。确定出2个本征发光峰,分别对应于导带至m_J=±3/2和m_J=±1/2价带的复合。这种价带的移动和分裂归因于由GaAs和Si的热膨胀系数不同所引起的GaAs层双轴张应力。还观测到4个非本征发光峰,分别为导带至m_J=±1/2碳受主态发光、可能与缺陷有关的发光以及可能由Mn和Cu受主杂质引起的发光。室温下将GaAs/Si和GaAs/GaAs材料的光反射谱进行比较,前者明显向低能移动约8meV,观测到3个特征谱结构,与光致发光结果相一致。
- 滕达庄蔚华梁基本李玉璋
- 关键词：GAAS/SI光致发光
- MBE高掺Be p-GaAs中E_g+△_0等高于带边的发光
- 1989年
- 我们在MBE高掺Be的GaAs中观察到了E_g+△_0和X_1~c-Γ_(15)~v之间之间跃迁的发光,讨论了高掺杂p-GaAs的E_g+△_0与本征GaAs的差别,在10-200K温度范围研究了E_g+△_0的温度依赖关系,并对X_1~c-Γ_(15)~v这一间接跃迁过程进行了讨论.
- 胡天斗许继宗梁基本庄蔚华
- 关键词：光致发光掺杂GAAS
- GaAs,GaAlAs的光荧光研究
- 1979年
- 发光光谱是研究半导体材料的发光效率,复合机构的一种有效手段,并且它对材料中引起发光复合的杂质和缺陷比较灵敏,对于提高发光器件和激光器的性能联系比较密切。GaAs的萤光光谱曾由许多作者研究过。
- 徐仲英庄蔚华张敬明
- 关键词：费米能级载流子密度价带
- 超晶格结构的X射线衍射拟合计算被引量：2
- 1992年
- 运用X射线衍射运动学理论研究了[(Ga_(1-x)Al_xAs)_m(GaAs)_n ]_N/GaAs(001)-维超晶格的结构,通过模拟计算,精确确定了超晶格的结构参数.本方法可用于各种超晶格结构,具有普遍意义.另外,还对超晶格卫星峰强度的非称性和超晶格中叠层界面处存在过渡层的影响进行了讨论.
- 马琳王玉田庄蔚华
- 关键词：超晶格X射线衍射模拟计算
- 多量子阱结构中热载流子弛豫过程中的非平衡声子效应被引量：1
- 1989年
- 在多量子阱结构中的热载流子弛豫过程中考虑非平衡声子的存在,在求解载流子能量损失率方程中同时计入声子的发射和吸收,并联立解出非平衡声子的波耳兹曼方程,从而证明,在稳态和准平衡态条件下,由载流子能量损失率方程解出的弛豫时间τ_(avg),实际上是电子-声子散射时间常数与非平衡声子寿命之和,而不是以往所认为的仅为电子-声子散射时间常数。
- 李玉璋徐仲英葛惟锟许继宗郑宝贞庄蔚华
- 关键词：量子阱结构热载流子
- GaAs/GaAlAs异质NIPI超晶格的光荧光谱
- 1991年
- 异质NIPI超晶格结构的基本单元是由n型和p型的宽禁带材料薄层及插在它们中间的不掺杂窄禁带材料层组成,如nGaAlAs-不掺杂GaAs-pGaAlAs-不掺杂GaAs四层结构,其中Ⅰ代表不掺杂层。它是组分超晶格和掺杂超晶格结合,因而具有许多新的性质,例如空间电荷分离,载流子局域在未掺杂区内等。这个结构最早是由德国的Dohler等所研究。
- 汤寅生江德生庄蔚华K.Ploog
- 关键词：GAASGAALAS超晶格荧光光谱
- GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光吸收谱和横向光电流谱被引量：1
- 1990年
- 研究了MBE GaAs/AlGaAs多量子阱结构的横向光电流谱和光吸收谱。在光电流谱中观测到多种允许和禁戒的激子吸收峰以及一个阱中受主态至n=1电子态的非本征吸收峰。确定出5个空穴子带至2个电子子带的跃迁以及这些子带的间距。采用简单带方势阱模型并取参数Q_c=0.6,m_c=0.0665,m_h=0.45和m_l=0.12的计算结果与实验数据符合得相当好。将光吸收谱与光荧光谱进行了比较。
- 滕达徐仲英庄蔚华王守武
- 关键词：GAAS/ALGAAS光吸收谱
- 半导体超晶格结构参数的X射线衍射运动学理论的计算
- 1992年
- 本文基于X射线衍射的运动学理论,给出了超晶格的结构因子.运用计算机模拟计算技术,成功地解出了超晶格的结构参数.证明X射线运动学理论适用于所有的超晶格结构,和动力学理论同样有效,而且理论计算简单.
- 王玉田马琳庄蔚华
- 关键词：半导体晶格结构参数X射线衍射
- InGaAs/GaAs应变耦合量子阱光学性质的研究被引量：1
- 1989年
- 用光荧光和光电流实验方法研究了InGaAs/GaAs应变耦合量子阱的光学性质.实验表明,在耦合阱结构中,势垒愈薄,耦合愈强,其对称态←→对称态所对应的跃迁能量比未耦合阱中n=1重空穴激子跃迁能量降低更甚.实验中还观察到具有不同偏振特性的吸收峰,并根据这一特征指认了轻、重空穴的跃迁.用双阱耦合模型计算了耦合阱结构中受限态之间的跃迁能量,理论与实验符合较好.实验研究也表明,在实验样品的In组分下,轻空穴受限在GaAs阱层中.
- 徐强徐仲英庄蔚华
- 关键词：砷化镓砷化铟
