江德生
- 作品数：172 被引量：116H指数：6
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金中国科学院院长基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- InAs/GaAs单量子点激子发光光谱调谐技术
- 窦秀明丁琨江德生孙宝权
- Be掺杂InAs自组织量子点的发光特性被引量：3
- 2000年
- 首次细致地研究了 In As量子点中直接掺杂 Be对其发光特性的影响。光致发光 ( PL)谱的研究表明 ,较低掺杂浓度时 ,发光峰蓝移 ,同时伴随着发光谱线变窄。而较高浓度的掺杂会对量子点的光谱特性产生不良的影响 ,发光强度明显变弱。相信该研究对 In As自组织量子点在器件应用方面有很重要的意义。
- 王海龙朱海军封松林宁东汪辉王晓东江德生
- 关键词：光致发光掺杂铍砷化铟
- 一种紫外红外双色探测器及制作方法
- 本发明公开了一种紫外红外双色探测器及制作方法。该紫外红外双色探测器包括：一衬底，在该衬底上进行紫外红外双色探测器用材料结构的生长；一缓冲层，生长在衬底之上；一第一n型欧姆接触层，生长在缓冲层之上，用于欧姆接触；由相互交替...
- 刘宗顺赵德刚朱建军张书明王辉江德生杨辉
- 文献传递
- Schottky结构与p-i-n结构GaN紫外探测器的制作、测量和特性比较
- 本文研究了Schottky结构和p-i-n结构GaN紫外探测器的结构特点和器件特性。制作了可比较的Schottky结构和p-i-n结构GaN紫外探测器,对它们的I-V特性曲线和光谱响应度曲线进行了测量和分析.经过比较发现...
- 张爽杨辉赵德刚刘宗顺朱建军张书明段俐宏刘文宝孙苋江德生
- 关键词：紫外探测器光谱响应特性
- 文献传递
- GaInAs/AlInAs多量子阱结构光学性质的研究
- 1991年
- 我们研究了与InP衬底晶格匹配的GaInAs/AlInAs三元材料多量子阱异质结构的光学性质,测量了不同阱宽量子阱在低温下的吸收光谱、光致发光及其激发光谱,以及吸收光谱随温度的变化.所测样品的光致发光峰主要取决于与缺陷态有关的跃迁过程,但吸收光谱中直到室温仍观察到重轻空穴的本征激子峰.吸收光谱线形明显地反映了多量子阱中电子态的二维特性.对不同量子阱中各子带间跃迁能量因温度上升而产生的红移进行了测定和分析.用Kronig-Penney模型对子带能量所作的计算表明,为了与测量到的跃迁能量获得满意的拟合,必须在计算中计入导带和价带的非抛物线性效应.我们结合光学性质和X光双晶衍射测量,对层厚、应变和组份均匀性等样品结构参量进行了分析.
- 江德生李锋张永航K.Ploog
- 关键词：GAINAS光致发光
- GaAsSb /GaAs量子阱激光器结构的发光研究被引量：2
- 2002年
- 研究了ＧａＡｓＳｂ/ＧａＡｓ应变量子阱及应变补偿量子阶激光器结构的光致发光和电注入发光．结果表明,分子束外延生长温度的改变使量子附发光性能发生系统性变化,证明生长温度对量子阱中锑的组分和界面质量具有重要影响．同时,低温光致发光峰的波长随激发功率密度增大发生明显蓝移,具有Ⅱ类量子阱的特点．应变补偿量子阱激光器在波长为１．３μｍ附近激射,阈值电流密度约为１．８ｋＡ/ｃｍ２．
- 江德生江德生C.Navarro陈志标俞水清S.ChaparroS.Johnson曹勇张永航江德生梁晓甘
- 立方相pn结GaN的光伏效应
- 该文研究了立方相pn结GaN的光伏效应，通过比较pn结GaN和n-GaN的光伏谱，提出了利用光伏曲线极性来判断P型GaN的方法。
- 赵德刚杨辉江德生李顺峰徐大鹏
- 关键词：GAN光伏效应
- 文献传递
- 非对称耦合双阱P—I—N结构的光伏谱研究
- 1993年
- 首次报道了GaAs/Al_(0.35)Ga_(0.65)As/GaAs(50(?)/40(?)/100(?))非对称耦合双阱P-I-N结构的室温光伏谱,清楚地观察到双阱的轻、重空穴激子峰,这些激子峰的能量位置与光荧光和光电流谱得到的数据吻合得很好,而且光伏谱谱形非常类似于光电流谱,呈现清晰的台阶状结构。此外,还观察到轻、重空穴激子跃迁对激发光偏振态的依赖,并讨论了产生光伏谱的机制。
- 徐士杰江德生张耀辉罗昌平罗晋生
- 阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极
- 一种阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极，包括：一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一AlN薄膜型冷阴极，其外延生长在n型SiC衬底上；一金属阳极，其位于AlN薄膜型冷阴极的上面，且不与AlN薄...
- 陈平赵德刚朱建军刘宗顺江德生杨辉
- 文献传递
- GaAs/GaAlAs异质NIPI超晶格的光荧光谱
- 1991年
- 异质NIPI超晶格结构的基本单元是由n型和p型的宽禁带材料薄层及插在它们中间的不掺杂窄禁带材料层组成,如nGaAlAs-不掺杂GaAs-pGaAlAs-不掺杂GaAs四层结构,其中Ⅰ代表不掺杂层。它是组分超晶格和掺杂超晶格结合,因而具有许多新的性质,例如空间电荷分离,载流子局域在未掺杂区内等。这个结构最早是由德国的Dohler等所研究。
- 汤寅生江德生庄蔚华K.Ploog
- 关键词：GAASGAALAS超晶格荧光光谱
