夏宗仁
- 作品数:25 被引量:59H指数:5
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- 相关领域:理学电子电信一般工业技术更多>>
- Mg:Er:LiNbO3晶体波导基片抗光损伤的研究
- 2004年
- 以Czochralski技术生长Mg(2mol%):Er(1mol%):LN,Mg(4mol%):Er(1mol%):LN,Mg(6mol%):Er(1mol%):LN,Mg(8mol%):Er(1mol%):LN和Er(1mol%):LN晶体.测试了Mg:Er:LiNbO3晶体的红外光谱,Mg(2mol%):Er:LN,Mg(4mol%):Er:LN OH-吸收峰在3486cm-1附近,Mg(6mol%):Er:LN和Mg(8mol%):Er:LN晶体OH-吸收峰移动到3535cm-1附近,对Mg:Er:LN晶体OH-吸收峰移动机理进行研究.采用m线法测试Mg:Er:LN晶体光损伤阈值.Mg(6mol%):Er(1mol%):LN和Mg(8mol%):Er:LN晶体光损伤阈值比Er:LN晶体提高两个数量级以上.Mg(2mol%):Er:LN和Mg(4mol%):Er:LN晶体比Er(1mol%):LN晶体提高一个数量级.
- 夏宗仁徐朝鹏郑威徐玉恒
- 关键词:光损伤
- 弱热释电效应黑色铌酸锂、钽酸锂晶体研究被引量:12
- 2004年
- 采用化学还原工艺,在CO2与H2混合气氛下对LN和LT晶片分别进行700°C和450°C退火处理,成功地制备了LN和LT黑色晶片。静电位差、光透过率测量结果表明,还原处理后LN和LT晶片的热释电现象基本消失,其光透过率也显著降低。居里温度测试表明,还原处理对晶体的居里温度没有影响。
- 夏宗仁崔坤徐家跃
- 关键词:铌酸锂钽酸锂晶片
- 一种处理铌酸锂或钽酸锂晶片的方法
- 本发明公开了一种处理铌酸锂或钽酸锂晶片的方法,是将待处理的铌酸锂或钽酸锂晶片分别置于坩埚中,加入预先按质量比例混合均匀的铁粉和碳酸锂粉,完全覆盖晶片,然后将此刚玉坩埚置于热处理炉中,在流量为0.5~1L/min的氮气气氛...
- 夏宗仁吴剑波颜涛崔坤秦小勇王继杨刘宏张明凤朱怀烈
- 文献传递
- 成分均匀的球状掺杂钽酸锂多晶原料的合成方法
- 本发明公开了一种成分均匀的球状掺杂钽酸锂多晶原料的合成方法,是将钽源原料在含羧酸基的有机溶剂中均匀混合,形成含钽配合物,通过热重分析的方法计算出钽的准确量,再加入Li<Sup>+</Sup>,MgO或ZnO,磁力搅拌实现...
- 吴剑波夏宗仁郑斐斐秦晓勇朱怀列王继扬姚淑华颜涛刘宏
- 文献传递
- 一种晶体生长用热场装置
- 本实用新型公开了一种中频感应加热提拉法晶体生长炉上的热场装置。其关键是:热场装置的隔热层采用复合式固定结构,其外层(1)以硬质耐火材料制成薄壁直筒形,而内衬(3)以相同材料制成上口稍大、下底稍小的薄壁倒锥筒形,在外层(1...
- 夏宗仁贝伟斌吴剑波徐斌李春忠
- 文献传递
- 近化学计量比铌酸锂晶体生长的新方法(英文)被引量:1
- 2008年
- 在计算机温场模拟的基础上,探索设计了悬挂式双坩埚和均匀加料装置。在富锂(Li2O摩尔分数为58.5%)熔体中采用提拉法生长了φ50mm×50mm的近化学计量比铌酸锂晶体。测量结果表明:晶体的紫外吸收边发生了明显的蓝移,测得Li摩尔分数达到49.87%。利用干涉仪测量样品的光学均匀性,生长晶体均方根折射率不均匀性?n=7.250×10-5 cm-1。
- 吴剑波姚淑华夏宗仁秦小勇高磊刘宏王继扬
- 关键词:铌酸锂近化学计量比提拉法
- 声表面波器件用Y36°切LiTaO_3晶片表面加工研究被引量:16
- 2001年
- 采用双晶摆动曲线法测量了钽酸锂晶片的加工损伤层 ,其平均值在 2 6 .2~ 5 2 .8μm之间 ;根据工序要求 ,选取加工余量为 15 0 μm左右 ,采用天然石榴石研磨粉 ,适当的磨料浓度、添加悬浮剂、分散剂以避免产生缺陷 ,并采用化学机械抛光法 ,可获得较高加工质量的声表面波器件用Y36°切LiTaO3
- 夏宗仁李春忠崔坤
- 关键词:LITAO3晶体损伤层声表面波器件终端机
- 低静电黑色铌酸锂、钽酸锂晶体研究
- 铌酸锂(LiNbO)和钽酸锂(LiTaO)晶体是常用的压电晶体,已被广泛地用于制造声表面波器件(SAW)和体波器件(BAW)。LiNbO,LiTaO晶体也都是热释电材料,其热释电系数分别为4×10,23×10C/m·K。...
- 夏宗仁崔坤吴剑波徐家跃
- 文献传递
- 4英寸X轴铌酸锂晶体生长
- 2000年
- 本文介绍了采用Czochraeski法生长4英寸X轴铌酸锂晶体,分析了温场、籽晶对晶体生长成功率的影响。得出了通过建立较小的径向温度梯度,合适的轴向温场;选用优质籽晶;采用合理极化工艺可得到较高生长成功率的结论。
- 夏宗仁吴剑波等
- 关键词:铌酸锂晶体生长X轴
- 高掺镁LiNbO3晶体抗光折变性能研究
- 2004年
- 在LiNbO3中掺进MgO以提拉法生长Mg(1mol%):LN,Mg(3mol%):LN,Mg(5mol%):LN,Mg(7mol%):LN,和Mg(9mol%):LN晶体.改进晶体生长工艺条件,解决了在生长中出现的脱溶,散射颗粒,生长条纹等缺陷.生长出高质量高掺镁LiNbO3晶体.测试Mg:LiNbO3晶体的红外光谱,当Mg2+的浓度达到或超过阈值浓度的Mg:LiNbO3晶体,OH-吸收峰移到3535cm-1,晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体提高两个数量级以上.测试Mg:LiNbO3晶体的倍频性能(相位匹配温度,倍频转换效率)Mg:LiNbO3晶体的相位匹配温度随Mg2+浓度的增加而改变,Mg(5mol%):LN,晶体的相位匹配温度达到116℃,Mg(9mol%):LN晶体在室温附近.
- 夏宗仁吴剑波郑威徐玉恒
- 关键词:LINBO3晶体红外光谱