陆宝亮
- 作品数：19 被引量：40H指数：4
- 供职机构：上海应用技术学院材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院科研项目上海市教育委员会重点学科基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 一类压电单晶体及其生长方法
- 本发明涉及一类新型压电单晶体及其坩埚下降生长方法。其特征在于：通过同族元素替代形成了的压电晶体，通式为Sr<Sub>3-x</Sub>Me<Sub>x</Sub>NbGa<Sub>3</Sub>Si<Sub>2</Sub...
- 安华徐家跃钱国兴陆宝亮侍敏莉张爱琼李新华林雅芳
- 文献传递
- 弛豫铁电单晶铌锌酸铅－钛酸铅的两步法生长方法
- 本发明涉及一种新型弛豫铁电单晶铌锌酸铅－钛酸铅(PZNT)的两步法生长方法，特征在于：初始原料按(1－x)Pb(Zn<Sub>1/3</Sub>Nb<Sub>2/3</Sub>)O<Sub>3－x</Sub>PbTiO<...
- 徐家跃童健侍敏莉范世林雅芳钱国兴陆宝亮
- 文献传递
- 弛豫铁电晶体PZNT(001)晶面的腐蚀行为
- 2011年
- 采用化学腐蚀方法研究了坩埚下降法生长的PZNT93/7晶体(001)晶面的腐蚀行为。在PZNT晶体表面观察到反平行180°原生态铁电畴,在抛光样品表面观察到位错蚀坑、包裹物、机械加工划痕等缺陷形貌,并对腐蚀机理进行了探讨。化学腐蚀还揭示了微观畴的动力学变化,显示畴结构对环境变化十分敏感。
- 金敏徐家跃申慧陆宝亮
- 关键词：畴结构腐蚀坑
- 氟化钙晶体的生长与缺陷研究
- 采用真空坩埚下降法在石墨坩埚中生长了大尺寸CaF晶体.通过高温氟化获得无水高纯原料,自发成核发育籽晶,以<2mm/h的生长速率,成功生长了直径170mm的CaF晶体.研究了晶体的顶部析晶形貌、包襄体、解理等生长缺陷.
- 侍敏莉陆宝亮徐家跃
- 关键词：氟化钙坩埚下降法晶体生长
- 文献传递
- 锗酸镓锶压电晶体的坩埚下降法生长方法
- 本发明涉及一种锗酸镓锶晶体的坩埚下降法生长方法，属于单晶生长领域。特征在于：初始原料按Sr<Sub>3</Sub>Ga<Sub>2</Sub>Ge<Sub>4</Sub>O<Sub>14</Sub>的分子式均匀混合，在1...
- 徐家跃周娟武安华华王祥林雅芳陆宝亮童健范世
- 文献传递
- 弛豫铁电单晶PZNT93/7的生长与电性能研究被引量：4
- 2003年
- 以50mol％PbO为助溶剂,采用溶剂-坩埚下降法生长了Pb[(Zn1/3Nb2/3)0.93Ti0.07]O3(PZNT93/7)弛豫铁电单晶.为了控制成核,我们在坩埚底部设计了一个通气装置以诱导自发成核.晶体在Pt坩埚中生长,坩埚尺寸为40mm×40mm×300mm,下降速率为0.5mm/h,通气流量为1～1.6L/min.所得晶体最大尺寸达φ30mm×25mm.该晶体具有明显的结晶学形貌.X射线定向表明,其主要显露面为(001).由于气流不稳定以及质量输运较慢,晶体内部容易形成一些红色PbO包裹.介电和铁电性能研究表明,该晶体的性能能够满足新型医疗诊断设备对阵列换能器的要求.
- 徐家跃童健侍敏莉陆宝亮张爱琼范世骥
- 关键词：晶体生长
- 锗酸镓锶压电晶体的坩埚下降法生长方法
- 本发明涉及一种锗酸镓锶晶体的坩埚下降法生长方法，属于单晶生长领域。特征在于：初始原料按Sr<Sub>3</Sub>Ga<Sub>2</Sub>Ge<Sub>4</Sub>O<Sub>14</Sub>的化学组成均匀混合，在...
- 徐家跃周娟武安华华王祥林雅芳陆宝亮童健范世
- 文献传递
- 一类压电单晶体及其生长方法
- 本发明涉及一类新型压电单晶体及其坩埚下降生长方法。其特征在于：通过同族元素替代形成了的压电晶体，通式为Sr<Sub>3－x</Sub>Me<Sub>x</Sub>NbGa<Sub>3</Sub>Si<Sub>2</Sub...
- 安华徐家跃钱国兴陆宝亮侍敏莉张爱琼李新华林雅芳
- 文献传递
- Bi_4Si_3O_(12)-Bi_4Ge_3O_(12)赝二元系统析晶行为及其晶体生长被引量：3
- 2013年
- 本文采用固相合成方法制备了Bi4(GexSi1-x)3O12(BGSO)固溶体(x=0～0.4),研究了它的固溶特性和析晶行为。实验结果表明,不同组成混合料在900℃左右固相反应能生成BGSO纯相;XRD分析显示,在x=0～0.4区间内,Bi4Si3O12和Bi4Ge3O12可以完全互溶,其晶格常数随x的增加呈线性增长。采用坩埚下降法生长了x=0.15组成的BGSO混晶,获得了透明晶体,并测试了晶体的光学性能。
- 杨波波徐家跃申慧张彦陆宝亮江国健
- 关键词：析晶行为坩埚下降法
- 大尺寸氟化物晶体的坩埚下降法生长研究被引量：5
- 2004年
- 采用坩埚下降法 ,在自制的真空炉内石墨坩埚中生长了大尺寸LiF、CaF2 和LaF3晶体。生长前 ,在水平电阻炉内对市售的氟化物原料进行了氟化处理 ,合成了稳定的无水氟化物多晶料。通过优化生长参数 ,如适当的炉温分布、合适的晶种以及缓慢的降温速率 ,成功地生长出尺寸分别为110mm× 5 0mm、2 0 0mm× 4 5mm和5 0mm× 5 0mm的LiF、CaF2
- 侍敏莉陆宝亮徐家跃
- 关键词：氟化物坩埚下降法晶体生长
