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王国栋
作品数:
72
被引量:14
H指数:2
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山东大学
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金属学及工艺
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合作作者
张雷
山东大学
徐现刚
山东大学
俞娇仙
山东大学
刘光霞
山东大学
刘磊
山东大学
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2006
1篇
2002
1篇
1999
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72
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一种降低AlN籽晶应力的粘接方法
本发明属于氮化铝晶体生长技术领域,具体涉及一种降低AlN籽晶应力的粘接方法。所述方法步骤:将AlN原料进行一次烧结;一次烧结料经破碎后进行二次烧结;二次烧结料破碎后与无机高温胶均匀混合后涂抹于籽晶托表面,粘接籽晶,然后退...
张雷
曹文豪
王国栋
王守志
俞瑞仙
刘光霞
徐现刚
一种降低AlN晶体生长应力的生长方法
本发明涉及一种降低AlN晶体生长应力的生长方法,本发明通过在钨籽晶台与AlN籽晶之间设置中间缓冲层,形成双籽晶,中间AlN多晶层的引入能够通过晶界及胶层的缓冲,在很大程度上缓解钨籽晶托带给AlN籽晶的热应力,从而减少籽晶...
张雷
曹文豪
王国栋
俞瑞仙
王守志
刘光霞
陈成敏
一种PVT感应炉膛下测温孔防堵塞装置
本实用新型涉及晶体生长设备领域,公开了一种PVT感应炉膛下测温孔防堵塞装置。包括设置在感应炉膛下测温孔上方的用于阻挡下测温孔的隔窗,在下测温孔顶部靠近隔窗位置设置用于密封的玻璃层,另外,在感应炉膛内设置驱动隔窗在水平方向...
王国栋
曹文豪
张雷
俞瑞仙
王守志
徐现刚
一种用于氮化铝单晶生长的籽晶粘接方法
一种用于氮化铝单晶生长的籽晶粘接方法,包括(1)将铝酸盐粉末与无机聚合物粘结剂混合均匀,制成无机胶;(2)将无机胶均匀涂到衬底上;(3)将直径为5‑300mm,厚度为0.1‑5mm的AlN籽晶置于衬底上的无机胶上;(4)...
郝霄鹏
王国栋
张雷
吴拥中
邵永亮
文献传递
一种降低AlN晶体生长粉料杂质含量的方法
本发明涉及一种降低AlN晶体生长粉料杂质含量的方法,本发明在AlN原料中特定掺入部分钨元素,控制烧结温度和烧结时间进行两次烧结,形成细丝状的化合物,沉积在粉料源下方,从而降低AlN粉料整体的杂质含量,通过这种方法烧结出的...
张雷
曹文豪
王国栋
王守志
俞娇仙
刘光霞
陈成敏
徐现刚
一种基于多孔宽禁带半导体材料的高温大功率超级电容器及其制备方法
本发明涉及一种基于多孔宽禁带半导体材料的高温大功率超级电容器及其制备方法,它包括正极、负极、隔膜和电解液,正极、负极为多孔宽禁带半导体单晶,正极、负极叠加在一起,正极、负极之间设置有隔膜隔,电容器内部填充电解液,为对称型...
王守志
吕松阳
谢雪健
张雷
王国栋
徐现刚
文献传递
流行病学研究方法与应用
赵仲堂
王滨有
王建华
瞿世和
王声涌
王国栋
徐爱强
刘言训
王志玉
薛付忠
袁长海
贾崇奇
徐贵发
李士雪
刘贤臣
胡俊峰
刘静
韩兢
张亨菊
王束玫
贾存显
该书紧密结合现代流行病学的发展和取得的成绩,概括了国内外流行病学研究的前沿领域和学科发展动向,从方法学角度上全面介绍了当今流行病学的新进展。该书编写注重应用性、实用怀,不仅丰富了流行病学的基本理论,又拓展了流行病学方法的...
关键词:
关键词:
流行病学
研究方法
一种氮化镓/金属氧化物复合电极材料及制备方法和应用
本发明属于半导体器件技术领域,涉及一种氮化镓/金属氧化物复合材料及制备方法和应用。本发明首先将GaN单晶晶片进行腐蚀,得到多孔GaN单晶薄膜;然后将所述单晶薄膜浸泡于金属盐水溶液中,经水热反应、烧结得到氮化镓/金属氧化物...
王守志
吕松阳
张雷
王国栋
谢雪健
徐现刚
一种一步烧结高质量氮化铝原料的方法
本发明属于氮化铝原料处理技术领域,尤其涉及一种一步烧结高质量氮化铝原料的方法,包括如下步骤:取氮化铝粉体原料装于坩埚内;将坩埚整体置于炉体内,抽真空后充入烧结气;梯度烧结;对炉体降温,取出坩埚。本发明通过采用分梯度烧结的...
张雷
曹文豪
王国栋
王守志
俞娇仙
徐现刚
一种PVT法生长AlN过程中实现双位生长的方法
本发明属于氮化铝单晶生长领域,涉及一种PVT法生长AlN过程中实现双位生长的方法。通过在坩埚顶部和料面上同时设置籽晶,实现了在单个坩埚内同时生长双晶锭的技术突破,提高了晶体的制备效率;能够降低坩埚顶部籽晶二表面的过饱和度...
王守志
曹文豪
谢寿天
张雷
王国栋
俞瑞仙
徐现刚
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