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王国栋

作品数：83 被引量：17H指数：3
供职机构：山东大学更多>>
发文基金：山东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学金属学及工艺医药卫生化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 58篇专利
  • 15篇学位论文
  • 6篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 9篇金属学及工艺
  • 9篇理学
  • 7篇化学工程
  • 7篇医药卫生
  • 5篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇经济管理
  • 3篇政治法律
  • 2篇机械工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 18篇晶体
  • 14篇单晶
  • 14篇氮化镓
  • 13篇晶体生长
  • 12篇籽晶
  • 9篇半导体
  • 8篇氮化
  • 7篇坩埚
  • 7篇ALN
  • 6篇单晶生长
  • 6篇氮化铝
  • 6篇多晶
  • 5篇气相外延
  • 5篇氢化物气相外...
  • 5篇温场
  • 4篇晶片
  • 4篇蓝宝
  • 4篇蓝宝石
  • 3篇单晶片
  • 3篇电极材料

机构

  • 82篇山东大学
  • 1篇齐鲁工业大学

作者

  • 82篇王国栋
  • 63篇张雷
  • 49篇徐现刚
  • 33篇俞娇仙
  • 14篇刘光霞
  • 12篇刘磊
  • 8篇李秋波
  • 4篇胡小波
  • 3篇吴拥中
  • 3篇郝霄鹏
  • 3篇邵慧慧
  • 3篇孙德福
  • 3篇邵永亮
  • 3篇徐明升
  • 2篇何京良
  • 2篇张百涛
  • 2篇杨永良
  • 2篇赵刚
  • 2篇周东生
  • 1篇袁长海

传媒

  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇机械设计与制...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇无机盐工业

年份

  • 5篇2025
  • 26篇2024
  • 20篇2023
  • 5篇2022
  • 7篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2002
  • 1篇1999
共 83 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种降低AlN籽晶应力的粘接方法
本发明属于氮化铝晶体生长技术领域，具体涉及一种降低AlN籽晶应力的粘接方法。所述方法步骤：将AlN原料进行一次烧结；一次烧结料经破碎后进行二次烧结；二次烧结料破碎后与无机高温胶均匀混合后涂抹于籽晶托表面，粘接籽晶，然后退...
张雷曹文豪王国栋王守志俞瑞仙刘光霞徐现刚
一种降低AlN晶体生长应力的生长方法
本发明涉及一种降低AlN晶体生长应力的生长方法，本发明通过在钨籽晶台与AlN籽晶之间设置中间缓冲层，形成双籽晶，中间AlN多晶层的引入能够通过晶界及胶层的缓冲，在很大程度上缓解钨籽晶托带给AlN籽晶的热应力，从而减少籽晶...
张雷曹文豪王国栋俞瑞仙王守志刘光霞陈成敏
一种基于芬顿反应的碱性氮化镓抛光液及其制备方法
本发明属于化学机械抛光技术领域，涉及一种基于芬顿反应的碱性氮化镓抛光液及其制备方法。本发明提供的碱性氮化镓抛光液其组成包括过氧化氢、二氧化硅磨料、碳酸氢钠、铁盐、分散剂、稳定剂、络合剂和去离子水。本发明通过铁系离子络合物...
王守志官浩张雷李秋波孙德福王国栋徐现刚
一种PVT感应炉膛下测温孔防堵塞装置
本实用新型涉及晶体生长设备领域，公开了一种PVT感应炉膛下测温孔防堵塞装置。包括设置在感应炉膛下测温孔上方的用于阻挡下测温孔的隔窗，在下测温孔顶部靠近隔窗位置设置用于密封的玻璃层，另外，在感应炉膛内设置驱动隔窗在水平方向...
王国栋曹文豪张雷俞瑞仙王守志徐现刚
一种亚表面无损伤氮化镓晶片的加工工艺
本发明涉及一种亚表面无损伤氮化镓晶片的加工工艺，本发明采用粗磨、细磨、粗抛、精抛、电感耦合等离子体反应离子刻蚀处理，提高了抛光效率，将单晶片的加工时间大大缩短，能够实现单晶片完全无损伤化，得到的氮化镓单晶片亚表面无损伤，...
张雷王忠新俞娇仙王守志王国栋刘磊刘光霞徐现刚
一种用于氮化铝单晶生长的籽晶粘接方法
一种用于氮化铝单晶生长的籽晶粘接方法，包括(1)将铝酸盐粉末与无机聚合物粘结剂混合均匀，制成无机胶；(2)将无机胶均匀涂到衬底上；(3)将直径为5‑300mm，厚度为0.1‑5mm的AlN籽晶置于衬底上的无机胶上；(4)...
郝霄鹏王国栋张雷吴拥中邵永亮
文献传递
一种通过铁碳共掺杂改善半绝缘氮化镓特性的氢化物气相外延生长方法
本发明属于半导体晶体生长领域，涉及一种通过铁碳共掺杂改善半绝缘氮化镓特性的氢化物气相外延生长方法。本发明通过将金属Ga和Fe掺杂剂均放置在源区的容器（小舟）中，采用了氮气、氯化氢气体、氨气和甲烷四种气体，通过流量和温度的...
张雷孙德福王守志俞娇仙王国栋徐现刚
一种降低AlN晶体生长粉料杂质含量的方法
本发明涉及一种降低AlN晶体生长粉料杂质含量的方法，本发明在AlN原料中特定掺入部分钨元素，控制烧结温度和烧结时间进行两次烧结，形成细丝状的化合物，沉积在粉料源下方，从而降低AlN粉料整体的杂质含量，通过这种方法烧结出的...
张雷曹文豪王国栋王守志俞娇仙刘光霞陈成敏徐现刚
一种蓝宝石模板上GaN单晶衬底高温激光剥离装置及剥离方法
本发明提供一种蓝宝石模板上GaN单晶衬底高温激光剥离装置及剥离方法，包括固定加热炉和括激光器、光束整形器、振镜系统和成像设备，固定加热炉用于固定、加热待剥离样品，激光器发出的激光依次经过光束整形器、振镜系统照射到待剥离样...
张雷刘磊张百涛王国栋叶帅何京良徐明升俞娇仙王守志胡小波徐现刚
一种基于多孔宽禁带半导体材料的高温大功率超级电容器及其制备方法
本发明涉及一种基于多孔宽禁带半导体材料的高温大功率超级电容器及其制备方法，它包括正极、负极、隔膜和电解液，正极、负极为多孔宽禁带半导体单晶，正极、负极叠加在一起，正极、负极之间设置有隔膜隔，电容器内部填充电解液，为对称型...
王守志吕松阳谢雪健张雷王国栋徐现刚
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