刘光霞
- 作品数：39 被引量：41H指数：5
- 供职机构：山东大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”山东大学自主创新基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺电气工程更多>>
- 氘含量对K(H_(1-x)D_x)_2PO_4晶体结构及完整性的影响
- 2013年
- 采用传统降温法生长了一系列的K(H1-x Dx)2PO4晶体。粉末X射线衍射(XRD)证明氘化后晶体的对称性并没有发生改变,晶胞参数a随氘含量的增加而增大,参数c则小幅度增大。对晶体的高分辨X射线衍射研究,结果表明KDP-DKDP混晶中,D取代部分的H原子对晶体的结晶完整性影响较小。
- 刘文洁丁建旭牟晓明刘光霞孙云刘琳王圣来顾庆天
- 关键词：粉末X射线衍射晶胞参数高分辨X射线衍射
- 一种在AlN单晶生长过程中抑制籽晶上生长纳米线的方法
- 本发明涉及一种氮化铝生长技术领域，具体涉及一种在AlN单晶生长过程中抑制籽晶上生长纳米线的方法。为了解决生长过程易产生纳米线的问题，本发明提供了最佳的抑制纳米线的条件，首先料高需要补充足，料高的高度需要维持在坩埚高度的5...
- 王守志曹文豪张雷王国栋俞瑞仙刘光霞徐现刚
- 转速对快速法生长KDP晶体影响的实验与数值模拟研究
- 2014年
- 采用快速生长法在不同转速下生长了KDP晶体,对晶体生长过程中的现象进行了研究;运用fluent软件,采用多重参考模型和标准k-ε湍流模型对籽晶架和晶体在溶液中旋转产生的速度场进行了数值模拟,分析了不同转速对速度场和晶体长大对溶液稳定性的影响;结合实验现象与模拟结果分析可知,初始阶段适于KDP晶体快速生长的最优转速是100 r/min,随着晶体的长大,转速应适当降低。
- 刘光霞王圣来顾庆天丁建旭朱胜军刘琳王端良景晓华李伟东黄萍萍
- 关键词：KDP晶体数值模拟
- 典型阴离子杂质对KDP晶体电导特性的影响
- 2010年
- 针对KDP晶体生长过程中常出现的SO24-,NO3-和Cl-杂质,采用传统法和快速法掺杂生长了一系列KDP晶体,研究了不同阴离子杂质掺杂对KDP晶体X和Z向的电导率的影响。结果表明,X向的电导率比Z向电导率高;未掺杂时,快速生长的KDP晶体比传统法生长的KDP晶体具有更高的电导率;SO42-的掺杂增大了晶体在两个方向的电导率,且随着掺杂浓度的增加,晶体的电导率也相应增大;NO3-和Cl-对KDP晶体的电导率影响不大。分析认为,快速生长的KDP晶体具有更高的缺陷浓度,从而增大了晶体的电导率;SO42-具有与PO34-结构的相似性,从而能够取代部分PO43-进入晶格,从而产生H+空位。H+空位的定向移动能增大晶体的电导率。而NO3-和Cl-与PO34-结构差异较大,很难取代进入PO34-晶格,因此NO3-和Cl-对KDP晶体的电导率影响不大。
- 丁建旭张建芹王圣来牟晓明许心光顾庆天孙云刘文洁刘光霞
- 关键词：KDP电导率晶体缺陷
- 传统法KH_2PO_4(KDP)晶体生长温场和速度场的数值模拟研究被引量：4
- 2013年
- 在不同转速下用传统法生长了KDP晶体,并根据生长槽的实际情况,建立了三维数学模型。利用有限容积法,对晶体生长槽内的速度场和温度场进行了数值模拟,分析了不同晶体转速和晶体生长对速度场和温度场的影响规律。结果表明,随着晶体转速的增大,溶液流速越来越大,晶体生长更快,杂晶减少;较高转速(55 r/min和77r/min)较于较低转速(9.0～40 r/min)更有利于晶体生长。
- 刘光霞王圣来顾庆天丁建旭孙云刘文洁朱胜军刘琳
- 关键词：KDP晶体数值模拟速度场
- 退火条件对KDP晶体光学质量的影响研究被引量：4
- 2011年
- 本文在不同退火温度和时间下对KDP晶体进行退火实验,并对其光学质量进行了测试和分析。实验表明:合适的退火条件可以增加晶体的透过率、提高光学均匀性、减少散射颗粒,其中160℃为KDP晶体最佳退火温度。在相同的退火温度下,延长退火时间能够更好地提高晶体的光学均匀性和结构完整性。在160℃下退火48 h能够使晶体的光损伤阈值提高28%,退火240 h能够提高40%以上。
- 孙云牟晓明王圣来顾庆天许心光丁建旭刘光霞刘文洁朱胜军
- 关键词：KDP晶体退火光学均匀性透过率损伤阈值
- 不同籽晶对KDP晶体质量的影响被引量：1
- 2012年
- 采用Z片籽晶和锥头籽晶分别进行传统降温法生长KDP晶体,并对其高分辨摇摆曲线、锥光干涉图以及消光比进行测试研究。实验发现,KDP晶体在不同籽晶下均能实现较好的生长稳定性,采用锥头籽晶生长的KDP晶体具有相对更好的晶体质量。
- 孙云王圣来顾庆天许心光王波丁建旭刘文洁刘光霞朱胜军
- 关键词：KDP晶体籽晶摇摆曲线锥光干涉图
- 过饱和度对KDP晶体生长与光学性能的影响研究被引量：5
- 2013年
- 在不同过饱和度的溶液中生长了KDP晶体,对生长晶体的透过率,光散射和激光损伤阈值进行了表征。研究了不同过饱和度对KDP晶体生长及光学性能的影响。实验表明:KDP晶体可以在高过饱和度(σ>3%)溶液中实现快速生长,生长速度可大于10 mm/d;但随着溶液过饱和度的增加,KDP晶体生长溶液的稳定性降低,晶体容易出现包藏、开裂和添晶等缺陷,晶体的光学性能也随之降低。
- 朱胜军王圣来丁建旭刘光霞王端良刘琳顾庆天许心光
- 关键词：KDP晶体过饱和度稳定性透过率
- KDP晶体电弹常数的测量
- 2012年
- 采用LRC电桥、谐振法和干涉法分别测量了磷酸二氢钾(KDP)晶体的相对介电常数、弹性应变常数和压电应变常数,并与文献中的相应数值作比较。该文实验测到KDP晶体的弹性柔顺系数s11=3.11×10-11 m2/N,弹性劲度系数c11=4.6×1010 N/m2,与以往相关文献中报道不符;压电应变常数d14=9.51×10-12 C/N,纠正了以往相关文献中的不精确报道;其他电弹系数的测试结果与文献数值相符。
- 孙云王圣来尹鑫高泽亮许心光丁建旭刘光霞刘文洁朱胜军
- 关键词：介电常数
- KDP晶体生长溶液的亚稳区宽度研究
- P类晶体是现在唯一可用于惯性约束核聚变工程的非线性光学材料,KDP晶体快速生长成为近年来的研究热点,而快速生长需要生长溶液具有足够高的溶液稳定性.
- 朱胜军王圣来刘光霞刘文洁
