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李颂战

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
相关领域：电子电信文化科学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 5篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 10篇发光
  • 7篇二极管
  • 6篇发光二极管
  • 4篇电致发光
  • 4篇紫外发光二极...
  • 4篇波长
  • 4篇N-GAN
  • 3篇异质结
  • 3篇发光特性
  • 3篇ZNO
  • 2篇多量子阱
  • 2篇氧化锌薄膜
  • 2篇双异质结
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇欧姆接触电极
  • 2篇紫外激光
  • 2篇阻挡层
  • 2篇接触电极
  • 2篇空穴
  • 2篇空穴阻挡层

机构

  • 11篇武汉大学

作者

  • 11篇方国家
  • 11篇李颂战
  • 10篇龙浩
  • 10篇莫小明
  • 8篇王皓宁
  • 4篇黄晖辉
  • 2篇王建波
  • 2篇陈昭
  • 1篇黄辉晖
  • 1篇赵兴中
  • 1篇温建

传媒

  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇湖北省物理学...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2010
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于n-ZnO/n-GaN异质nN结的紫外发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种基于n-氧化锌/n-氮化镓异质nN结的紫外发光二极管及其制备方法。该异质nN结的紫外发光二极管至少包括nN结和欧姆接触电极，其是在生长有n型氮化镓的蓝宝石衬底上生长n型氧化锌薄膜形成异质nN结，或在生长有...
方国家李颂战龙浩莫小明黄晖辉
文献传递
一种Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>/ZnO/HfO<sub>2</sub>非对称双异质结发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种Ta<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>/ZnO/HfO<Sub>2</Sub>非对称双异质结发光二极管及其制备方法。该发光二极管在衬底自下而上依次为HfO<Sub>2</Sub>电子阻挡层...
方国家王皓宁龙浩李颂战莫小明陈昭
文献传递
n-ZnO/i-MgZnO/n-GaN异质结电致紫外发光
采用射频磁控溅射技术制备了结构简单的n-ZnO／n-GaN同型异质结紫外发光二极管。在此基础上，于ZnO与GaN之间插入i型MgZnO层形成n-ZnO／i-MgZnO／n-GaN发光二极管，呈现出优异的紫外电致发光性能。...
李颂战方国家龙浩黄辉晖莫小明王皓宁赵兴中
关键词：ZNO紫外电致发光
文献传递
合理构建空心多孔CoSe2纳米阵列应用于能量存储及转化
陈甜李颂战温建方国家
ZnO/ZnMgO多量子阱微结构及光电特性研究
龙浩方国家蒋奇可李颂战莫小明王皓宁黄晖辉王建波
关键词：氧化锌电致发光透射电子显微镜
ZnO基二极管电致发光特性及其物理机制
作为第三代半导体材料之一的氧化锌(ZnO),因其具有宽禁带、高激子束缚能、环境友好、成本低廉等优势,吸引了众多研究者的关注。基于该材料的发光二极管研究也取得了许多成果。本文对ZnO基发光器件中界面对发光性能的影响做了研究...
方国家龙浩李颂战黄晖辉莫小明王皓宁王建波
关键词：电致发光物理机制射频磁控溅射
文献传递
ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管及其制备方法
本发明公开了一种ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管及其制备方法。该紫外发光二极管衬底为生长在蓝宝石上的n型GaN，在衬底自下而上依次有由ZnO和Zn<Sub>1-x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O交替沉积...
方国家龙浩黄晖辉李颂战莫小明王皓宁
文献传递
基于n-ZnO/n-GaN同型异质结的电致发光器件研究
利用射频磁控溅射技术制备了n-ZnO/n-GaN 同型异质结发光器件，器件的EL 谱显示其在370nm 左右有一个较强的紫外发射峰，器件的阈值电压为3.0 V.在此基础上，利用MgO 作为插入层，制备了n-ZnO/i-M...
王皓宁方国家龙浩莫小明黄晖辉李颂战
ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管及其制备方法
本发明公开了一种ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管及其制备方法。该紫外发光二极管衬底为生长在蓝宝石上的n型GaN，在衬底自下而上依次有由ZnO和Zn<Sub>1-x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O交替沉积...
方国家龙浩黄晖辉李颂战莫小明王皓宁
一种Ta<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>/ZnO/HfO<Sub>2</Sub>非对称双异质结发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种Ta<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>/ZnO/HfO<Sub>2</Sub>非对称双异质结发光二极管及其制备方法。该发光二极管在衬底自下而上依次为HfO<Sub>2</Sub>电子阻挡层...
方国家王皓宁龙浩李颂战莫小明陈昭
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