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黄晖辉
作品数:
12
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供职机构:
武汉大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
方国家
武汉大学
龙浩
武汉大学
莫小明
武汉大学
李颂战
武汉大学
程飞
武汉大学
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武汉大学
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黄晖辉
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方国家
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龙浩
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年份
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2015
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2篇
2011
3篇
2010
3篇
2009
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一种有机太阳能电池及其制备方法
本发明涉及一种以CuS为空穴传输层的有机太阳能电池及其制备方法。包括透明导电衬底、CuS空穴传输层、有机活性层、电子传输层、金属电极。所述CuS空穴传输层是以先磁控溅射得到金属铜薄膜再与硫粉原位水热生长的方法得到的薄膜。...
方国家
雷红伟
黄晖辉
柯维俊
程飞
文献传递
一种n-氧化锌/p-氧化镍异质pn结紫外激光二极管及其制备方法
本发明公开了一种n-氧化锌/p-氧化镍异质pn结紫外激光二极管及其制备方法。该异质pn结二极管至少包括pn结、衬底和欧姆接触电极,pn结是在n型氧化锌薄膜上镀有p型氧化镍薄膜的异质pn结;衬底为镀有n型GaN的蓝宝石。其...
方国家
黄晖辉
莫小明
龙浩
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氧化锌纳米杆压力传感器及其制备方法
本发明公开了一种氧化锌纳米杆压力传感器及其制备方法,属于纳米器件领域。氧化锌纳米杆压力传感器包括不导电的柔性衬底、种子层、两金属电极和氧化锌纳米杆阵列;所述种子层沉积于柔性衬底上,所述金属电极沉积于种子层上,所述氧化锌纳...
方国家
刘逆霜
龙浩
黄晖辉
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ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管及其制备方法
本发明公开了一种ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管及其制备方法。该紫外发光二极管衬底为生长在蓝宝石上的n型GaN,在衬底自下而上依次有由ZnO和Zn<Sub>1-x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O交替沉积...
方国家
龙浩
黄晖辉
李颂战
莫小明
王皓宁
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ZnO基异质结电致发光器件
作为第三代半导体,ZnO被广泛认为是最有希望制备短波长光电器件如紫外发光二极管的材料之一。这是基于它独特的材料性质:它是一种常温带宽为3.37eV的宽禁带直接带隙半导体;它的激子束缚能有60meV;容易得到高质量的体单晶...
黄晖辉
关键词:
氧化锌
异质结二极管
电致发光
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一种基于n-ZnO/n-GaN异质nN结的紫外发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种基于n-氧化锌/n-氮化镓异质nN结的紫外发光二极管及其制备方法。该异质nN结的紫外发光二极管至少包括nN结和欧姆接触电极,其是在生长有n型氮化镓的蓝宝石衬底上生长n型氧化锌薄膜形成异质nN结,或在生长有...
方国家
李颂战
龙浩
莫小明
黄晖辉
文献传递
一种有机太阳能电池及其制备方法
本发明涉及一种以CuS为空穴传输层的有机太阳能电池及其制备方法。包括透明导电衬底、CuS空穴传输层、有机活性层、电子传输层、金属电极。所述CuS空穴传输层是以先磁控溅射得到金属铜薄膜再与硫粉原位水热生长的方法得到的薄膜。...
方国家
雷红伟
黄晖辉
柯维俊
程飞
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一种n-ZnO纳米线/p-NiO异质pn结二极管及其制备方法
本发明公开了一种n-氧化锌纳米线/p-氧化镍异质pn结二极管,至少包括pn结和欧姆接触电极,所述pn结由n型ZnO薄膜种子层或者掺杂ZnO薄膜种子层上生长出的n型ZnO纳米线;在ZnO纳米线上镀NiO材料而得到的异质pn...
方国家
黄晖辉
艾磊
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一种n-ZnO纳米线/p-NiO异质pn结二极管及其制备方法
本发明公开了一种n-氧化锌纳米线/p-氧化镍异质pn结二极管,至少包括pn结和欧姆接触电极,所述pn结由n型ZnO薄膜种子层或者掺杂ZnO薄膜种子层上生长出的n型ZnO纳米线;在ZnO纳米线上镀NiO材料而得到的异质pn...
方国家
黄晖辉
艾磊
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一种n-氧化锌/p-氧化镍异质pn结紫外激光二极管及其制备方法
本发明公开了一种n-氧化锌/p-氧化镍异质pn结紫外激光二极管及其制备方法。该异质pn结二极管至少包括pn结、衬底和欧姆接触电极,pn结是在n型氧化锌薄膜上镀有p型氧化镍薄膜的异质pn结;衬底为镀有n型GaN的蓝宝石。其...
方国家
黄晖辉
莫小明
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