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李晓静

作品数：19 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信理学环境科学与工程机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 5篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 4篇激光
  • 4篇激光器
  • 4篇成核
  • 3篇电池
  • 3篇电阻
  • 3篇电阻率
  • 3篇载流子
  • 3篇太阳能
  • 3篇太阳能电池
  • 2篇氮化镓
  • 2篇导体
  • 2篇电流扩展
  • 2篇电子阻挡层
  • 2篇多量子阱
  • 2篇砷化镓
  • 2篇受主
  • 2篇探测器
  • 2篇退火
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇紫外探测

机构

  • 19篇中国科学院

作者

  • 19篇李晓静
  • 18篇赵德刚
  • 13篇何晓光
  • 13篇杨静
  • 13篇乐伶聪
  • 9篇江德生
  • 8篇陈平
  • 8篇刘宗顺
  • 4篇朱建军
  • 4篇杨辉
  • 2篇吴亮亮
  • 2篇刘炜
  • 2篇李翔
  • 2篇赵丹梅
  • 2篇李亮

传媒

  • 3篇第十四届全国...
  • 2篇第13届全国...

年份

  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 4篇2015
  • 8篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2008
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构
一种InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构，包括：一衬底；在衬底上依序制作有低温成核层、非故意掺杂缓冲层、n型掺杂GaN层、非掺杂InGaN/AlInGaN多量子阱层、P型掺杂氮化镓层，该n型掺杂GaN层上面的...
杨静赵德刚乐伶聪李晓静何晓光
文献传递
Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N基紫外探测器及制备方法
一种AlxGa1-xN基紫外探测器及制备方法，该Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N基紫外探测器，包括：一衬底，所述衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接...
赵德刚李晓静江德生刘宗顺朱建军陈平
减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法
一种减小GaN基蓝紫光端发射激光器中电子泄漏的方法，包括以下步骤：步骤1：在一蓝宝石衬底上依序制作低温成核层、n型接触和电流扩展层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、InGaN/GaN量子阱有源区、InGaN插入层...
乐伶聪赵德刚江德生刘宗顺陈平杨静何晓光李晓静杨辉
文献传递
稀磁半导体量子点自旋特性的理论研究
本论文主要利用多带的有效质量理论研究了半导体量子结构的磁光性质和激子态。全文共分六章，分别研究了含有单个磁离子的半导体量子点的磁光，电光性质，以及量子同心双环中的激子态和光跃迁。第一章和第二章分别为绪论和为稀磁半导体量子...
李晓静
利用MOCVD生长参数控制GaN的C含量和电阻率
本文研究了MOCVD生长过程中的各种参数对GaN材料中的C杂质含量的影响.共生长了五个GaN样品,每个样品包括5-6个子层,每个样品样品中从最底层到最顶层阶梯改变一个生长参数,通过二次离子质谱(SIMS)测量C杂质浓度....
何晓光赵德刚乐伶聪李晓静杨静
减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法
一种减小GaN基蓝紫光端发射激光器中电子泄漏的方法，包括以下步骤：步骤1：在一蓝宝石衬底上依序制作低温成核层、n型接触和电流扩展层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、InGaN/GaN量子阱有源区、InGaN插入层...
乐伶聪赵德刚江德生刘宗顺陈平杨静何晓光李晓静杨辉
Al&lt;sub&gt;x&lt;/sub&gt;Ga&lt;sub&gt;1‑x&lt;/sub&gt;N基紫外探测器及制备方法
一种AlxGa1‑xN基紫外探测器及制备方法，该Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N基紫外探测器，包括：一衬底，所述衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接...
赵德刚李晓静江德生刘宗顺朱建军陈平
文献传递
一种高阻GaN薄膜的制备方法
本发明公开了一种高阻GaN薄膜及其制作方法。该高阻GaN薄膜包括：衬底；GaN低温成核层，其制作在衬底上；GaN高阻层，其制作在GaN低温成核层上。该高阻GaN薄膜利用MOCVD设备，并用三甲基镓和氨气作为镓源和氮源，以...
何晓光赵德刚江德生刘宗顺陈平杨静乐伶聪李晓静杨辉
文献传递
高电阻低位错GaN薄膜及制备方法
一种高阻低位错GaN薄膜，包括：一衬底；一GaN低温成核层，其制作在衬底上；一GaN合并层，其制作在GaN低温成核层上；一GaN高阻层，其制作在GaN合并层上。本发明是通过控制反应室压强，实现非故意可控碳掺杂，从而达到既...
何晓光赵德刚江德生刘宗顺陈平杨静乐伶聪李晓静杨辉
文献传递
制备低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触的方法
一种制备低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触的方法，包括如下步骤：步骤1：准备一衬底；步骤2：在衬底上生长低温成核层；步骤3：在低温成核层上生长非故意掺杂GaN层；步骤4：在非故意掺杂GaN层上生长中度Mg掺杂的p-GaN...
李晓静赵德刚江德生刘宗顺朱建军陈平
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