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Si过渡层对Co/Cu/Co三明治膜巨磁电阻效应的影响被引量：1: 2000年; 用高真空电子束蒸发方法制备了以半导体材料Si为过渡层的Co/Cu/Co三明治膜 .研究了不同厚度的Si过渡层对三明治膜巨磁电阻效应的影响 ,发现三明治膜巨磁电阻在过渡层厚度达到 0 .9nm时表现出明显的各向异性 ,而过渡层厚度小于0 .9nm时基本上呈各向同性 .巨磁电阻的各向异性行为可由三明治膜的平面内磁各向异性解释 .在Si过渡层和金属Co层的界面处相互扩散形成具有 ( 3 0 1)择优取向的Co2 Si诱导了三明治膜的这种各向异性 ,还研究了三明治膜晶体结构与Si过渡层厚度的关系 .; 李冠雄沈鸿烈沈勤我李铁邹世昌; 关键词：过渡层巨磁电阻硅

Co/Cu/Co三明治膜的巨磁电阻效应研究被引量：1: 1999年; 采用超高真空电子束蒸发方法在硅单晶衬底上制备了Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治膜，研究了衬底晶向、过渡层材料和生长室温度对三明治膜中巨磁电阻效应的影响；结合原子力显微镜表面形貌观察，探讨了三明治膜表面（界面）粗糙度与其巨磁电阻效应的内在关系；还分析了三明治膜经高温热退火后巨磁电阻效应退化的物理机制。; 沈鸿烈李铁沈勤我李冠雄潘强邹世昌; 关键词：磁电阻效应电子束蒸发多层膜

Si作过渡层的Co/Cu/Co三明治膜中高灵敏度巨磁电阻效应和平面内磁各向异性: 1999年; 用高真空电子束蒸发方法制备了以半导体材料Ｓｉ为过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治膜并研究了其巨磁电阻效应。当Ｓｉ过渡层厚度达到０．９ｎｍ时，三明治膜中开始出现较强的平面内磁各向异性。在Ｓｉ１．５ｎｍ／Ｃｏ５ｎｍ／Ｃｕ３ｎｍ／Ｃｏ５ｎｍ结构中，在其易轴上得到了５．５％的巨磁电阻值和０．９％／Ｏｅ的高磁场灵敏度。研究了过渡层Ｓｉ／Ｃｏ界面之间的相互扩散，发现在过渡层Ｓｉ与Ｃｏ层间形成了ＣｏＳｉ化合物。这个硅化物界面层诱导了三明治膜的平面内磁各向异性，从而导致了易轴上高灵敏度巨磁电阻效应。; 李冠雄沈鸿烈沈勤我李铁邹世昌; 关键词：巨磁电阻效应磁各向异性

Ni过渡层对Co/Cu/Co三明治膜微结构及巨磁电阻性能的影响: 1999年; 本文利用原子力显微镜对具有不同厚度Ｎｉ过渡层的Ｃｏ５．０ｎｍ／Ｃｕ３．５ｎｍ／Ｃｏ５．０ｎｍ三明治在各个制备阶段样品的表面形貌进行了系统的研究，并结合Ｘ射线衍射的结果，发现Ｎｉ过渡层可以使Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治的界面平整，并形成强的（１１１）织构，从而导致材料的巨磁电阻值增大和矫顽力减少。; 李铁沈鸿烈沈勤我沈勤我邹世昌; 关键词：微结构巨磁电阻 AFM 过渡层

La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_(3-δ)体材料的巨磁电阻特性被引量：1: 1999年; 利用高温烧结法制备了多晶立方结构的Ｌａ０．６７Ｃａ０．３３ＭｎＯ３－δ体材料。材料的居里温度（ＴＣ）为２８０Ｋ，其金属半导体转变温度（Ｔｐ）为２７０Ｋ，接近于ＴＣ。外加磁场下的磁电阻（ＭＲ）峰值温度与Ｔｐ十分接近。外加磁场为０．６Ｔ和５Ｔ时，材料的ＭＲ峰置分别达到４０％和７６％。材料具有显著的巨磁电阻效应。在液氮温度附近，也观察到了相当大的磁电阻效应。利用高温烧结法制备了多晶立方结构的Ｌａ０．６７Ｃａ０．３３ＭｎＯ３－δ体材料。材料的居里温度（ＴＣ）为２８０Ｋ，其金属半导体转变温度（Ｔｐ）为２７０Ｋ，接近于ＴＣ。外加磁场下的磁电阻（ＭＲ）峰值温度与Ｔｐ十分接近。外加磁场为０．６Ｔ和５Ｔ时，材料的ＭＲ峰置分别达到４０％和７６％。材料具有显著的巨磁电阻效应。在液氮温度附近，也观察到了相当大的磁电阻效应。; 祝向荣沈鸿烈李铁李冠雄沈勤我邹世昌KoichiTsukamatoTakeshiYamagisawaMamoruOkutomiNoboruHiguchiToshimitsuItoUditChatterjeeGopalChandraBhar; 关键词：巨磁电阻效应多晶

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李冠雄