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任堃

作品数：35 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 35篇中文专利

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 28篇存储器
  • 26篇相变存储
  • 26篇相变存储器
  • 16篇相变
  • 15篇相变材料
  • 9篇低功耗
  • 9篇功耗
  • 7篇电极
  • 7篇电阻
  • 6篇晶态
  • 5篇可逆
  • 5篇非晶
  • 5篇非晶态
  • 4篇电极结构
  • 4篇电信
  • 4篇电信号
  • 4篇信号
  • 4篇开关特性
  • 4篇分相
  • 4篇半导体

机构

  • 35篇中国科学院

作者

  • 35篇宋志棠
  • 35篇任堃
  • 26篇饶峰
  • 11篇吴良才
  • 7篇朱敏
  • 6篇周夕淋
  • 5篇刘波
  • 4篇彭程
  • 4篇宋三年
  • 4篇封松林
  • 2篇李学来
  • 2篇王玉婵
  • 2篇陈邦明
  • 2篇陈小刚
  • 2篇刘卫丽
  • 2篇孟云
  • 1篇任万春
  • 1篇吕士龙
  • 1篇成岩
  • 1篇郑勇辉

年份

  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 5篇2014
  • 7篇2013
  • 8篇2012
  • 2篇2011
共 35 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用于相变存储器的Si-Sb-Te材料
本发明揭示了一种用于相变存储器的Si-Sb-Te相变材料，其化学式为Si<Sub>x</Sub>Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>，0&lt;x≤4，可以在电信号作用下实现高低阻值之间的转换。在经过...
饶峰宋志棠吴良才任堃周夕淋
一种存储器及其制作方法
本发明提供一种存储器，至少包括：衬底和依次形成于衬底上的底电极和介质层、介质层上的复合存储结构及复合存储结构上的顶电极。本发明还提供该存储器的制作方法：在清洗后的衬底上依次形成底电极和介质层；在介质层上制作贯孔；在介质层...
宋志棠吴良才纪兴龙朱敏孟云曹良良周夕淋任堃封松林
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一种适用于浪涌保护器件的硫系化合物薄膜材料
本发明涉及电路中的浪涌保护器件领域，特别是涉及一种适用于浪涌保护器件的硫系化合物薄膜材料。本发明提供一种适用于浪涌保护器件的硫系化合物薄膜材料，所述硫系化合物薄膜材料为Ge、Al、As、Sb、Te、S或Se中任意两种以上...
任堃饶峰宋志棠陈小刚王玉婵
一种C-Ti-Sb-Te相变材料
本发明提供一种C‑Ti‑Sb‑Te相变材料，所述C‑Ti‑Sb‑Te相变材料为包括碳、钛、锑及碲四种元素的化合物，所述C‑Ti‑Sb‑Te相变材料的化学式为C<Sub>z</Sub>[Ti<Sub>x</Sub>(Sb<...
宋志棠任堃王勇
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一种Ti-Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>相变存储材料
本发明涉及可用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变薄膜材料及其制备。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料，是在Sb-Te相变材料的基础上掺入Ti而成，掺入的Ti与Sb、Te均成键，其化学通式为Sb<Sub>x</Sub...
朱敏吴良才宋志棠饶峰彭程周夕淋任堃封松林
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用于相变存储的相变材料及调节其相变参数的方法
本发明揭示了一种用于相变存储的相变材料及调节其结晶温度和熔点的方法，所述相变材料为锗、锡、碲三种元素组成的存储材料，或者为硅、锡、碲三种元素组成的存储材料。所述相变材料中，锗/硅的原子百分比含量为0.5–80，所述相变材...
饶峰任堃宋志棠吴良才
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低功耗相变存储器用限制型电极结构及制备方法
本发明提供一种低功耗相变存储器用限制型电极结构及制备方法，所述限制型电极结构包括：基底，具有金属层及覆盖于金属层上的绝缘层，绝缘层中具有一深度直达金属层的凹槽；钨材料，填充于凹槽内，其厚度小于凹槽的深度至一预设范围值，以...
饶峰任堃宋志棠
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低功耗相变存储器用环形电极结构及制备方法
本发明提供一种低功耗相变存储器用环形电极结构及制备方法，所述环形电极结构包括：基底，具有金属层及绝缘层，绝缘层中具有一深度直达金属层的凹槽；钨材料，填充于凹槽内，其厚度小于凹槽的深度至一预设范围值，以使凹槽形成一底部为钨...
饶峰任堃宋志棠
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低功耗相变存储器用限制型电极结构及制备方法
本发明提供一种低功耗相变存储器用限制型电极结构及制备方法，所述限制型电极结构包括：基底，具有金属层及覆盖于金属层上的绝缘层，绝缘层中具有一深度直达金属层的凹槽；钨材料，填充于凹槽内，其厚度小于凹槽的深度至一预设范围值，以...
饶峰任堃宋志棠
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一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法
本发明提供一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法，至少包括：首先提供金属探针，将金属探针的顶端针尖削平形成平台；然后在平台表面制备相变存储器器件，包括下电极层、相变层、以及上电极层；接着在上电极层表面淀积保护层；再...
宋志棠任堃沈佳斌郑勇辉成岩
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