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朱敏

作品数：56 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：文化科学自动化与计算机技术金属学及工艺一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 50篇专利
  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 6篇文化科学
  • 5篇金属学及工艺
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇化学工程

主题

  • 34篇存储器
  • 27篇相变存储
  • 27篇相变存储器
  • 17篇相变材料
  • 16篇温度
  • 16篇结晶温度
  • 15篇晶态
  • 12篇相变
  • 10篇电阻
  • 10篇选通
  • 10篇非晶
  • 10篇非晶态
  • 8篇电极
  • 8篇管材料
  • 7篇晶粒
  • 6篇溅射
  • 6篇SUB
  • 6篇SB
  • 5篇微电子
  • 5篇脉冲

机构

  • 55篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 55篇朱敏
  • 55篇宋志棠
  • 29篇吴良才
  • 26篇饶峰
  • 13篇彭程
  • 13篇封松林
  • 11篇宋三年
  • 11篇刘波
  • 10篇周夕淋
  • 8篇陈鑫
  • 7篇任堃
  • 4篇孟云
  • 2篇张挺
  • 2篇蔡道林
  • 2篇刘卫丽
  • 2篇成岩
  • 2篇郑勇辉
  • 1篇钟旻
  • 1篇王玉婵
  • 1篇陈小刚

传媒

  • 1篇无机材料学报

年份

  • 2篇2023
  • 5篇2022
  • 2篇2021
  • 6篇2020
  • 2篇2019
  • 5篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 5篇2014
  • 10篇2013
  • 8篇2012
  • 2篇2011
共 56 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种OTS材料、选通器单元及其制备方法
本发明涉及一种OTS材料、选通器单元及其制备方法。该OTS材料的化学通式为Ga<Sub>x</Sub>S<Sub>1‑x‑y</Sub>R<Sub>y</Sub>。该选通器单元包括该OTS材料。该选通器单元在外部电激励的...
武仁杰朱敏贾淑静宋志棠
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一种用于相变存储器的富锑高速相变材料及其制备方法和应用
本发明涉及微电子技术领域的金属元素掺杂的相变材料，尤其涉及一种用于相变存储器的富锑高速相变材料及其制备方法和应用。一种用于相变存储器的富锑高速相变材料，其化学通式为：A<Sub>x</Sub>(Sb<Sub>2</Sub...
宋志棠吴良才彭程饶峰朱敏
文献传递
用于相变存储器的Zr‑Sb‑Te系列相变材料及其制备方法
本发明提供一种用于相变存储器的Zr‑Sb‑Te系列相变材料及其制备方法，所述Zr‑Sb‑Te系列相变材料的化学式为Zr<Sub>100‑x‑y</Sub>Sb<Sub>x</Sub>Te<Sub>y</Sub>，其中0&...
宋志棠郑勇辉成岩刘卫丽宋三年朱敏
文献传递
用于相变存储器的V‑Sb‑Te相变材料体系及其制备方法
本发明提供一种用于相变存储器的V‑Sb‑Te相变材料体系及其制备方法，其中，所述V‑Sb‑Te相变材料体系为在Sb‑Te相变材料体系基础上掺V而成，其化学通式为V<Sub>100‑x‑y</Sub>Sb<Sub>x</S...
纪兴龙吴良才朱敏饶峰宋志棠曹良良孟云封松林
文献传递
用于相变存储器的Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>x</Sub>-SiO<Sub>2</Sub>纳米复合相变材料及制备方法
本发明公开了一种用于相变存储器的<Image file="DEST_PATH_IMAGE002.GIF" he="8" imgContent="undefined" imgFormat="GIF" wi="15"/>-<...
宋志棠朱敏吴良才饶峰张挺
相变薄膜结构、相变存储单元及其制备方法及相变存储器
本发明提供一种相变薄膜结构、相变存储单元及其制备方法及相变存储器，相变薄膜结构包括：Cr层；Ge<Sub>x</Sub>Te<Sub>100‑x</Sub>层，其中，0＜x＜100；所述Cr层与所述Ge<Sub>x</S...
宋志棠郑龙宋三年任堃朱敏宋文雄
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选通管材料、选通管单元及存储器件结构
本发明提供一种选通管材料、选通管单元及存储器件结构，选通管材料为至少包括Ge及S的化合物，所述选通管材料的化学通式为(Ge<Sub>x</Sub>S<Sub>1‑x</Sub>)<Sub>1‑y</Sub>M<Sub>y...
朱敏陈鑫贾淑静沈佳斌宋志棠
一种选通管材料、选通管单元以及其制作方法
本发明涉及微纳米电子技术领域，本发明公开了一种选通管材料，该选通管材料为包括硫化锗(GeS)和碲化砷(As<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>)的化合物；该选通管材料的化学通式为(GeS)<Sub>1‑X...
贾淑静朱敏陈鑫沈佳斌武仁杰宋志棠
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一种选通管材料及选通管单元
本发明提供一种选通管材料及其选通管单元，该选通管单元包括选通管材料层、阻挡层、第一电极及第二电极，其中，所述选通管单元采用化学通式为(Ge<Sub>x</Sub>S<Sub>1‑x</Sub>)<Sub>1‑y</Sub...
朱敏贾淑静沈佳斌宋志棠
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一种Ti-Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>相变存储材料
本发明涉及可用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变薄膜材料及其制备。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料，是在Sb-Te相变材料的基础上掺入Ti而成，掺入的Ti与Sb、Te均成键，其化学通式为Sb<Sub>x</Sub...
朱敏吴良才宋志棠饶峰彭程周夕淋任堃封松林
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